Номер патента: 367490

Авторы: Заика, Коваль, Костюк

ZIP архив

Текст

б 4 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Саветскик Соцналистическиз РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. етельствавлено 23.Ч 11,1969 ( 1351636/26-25 1. Кл. Н О 1 11/00 Н 01 ц 7/00соединением заявкиКомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРПриоритетОпубликовано 23 Л.1973. БюллетеньДата опубликования описания 16.111.1973 УДК 621,382.2(088.8) вторызобретени. В. Заика, А. А. Коваль и В. Д, Костюк Заяви КОСТНЪй ТРИО 2 оласти полупроможет быть иссхем, в частного и диодно-емойчивых элеменмет изобретен и 0 Емкостной т структуры мет ник, отличающ чения возможн пряжением, не 5 лупроводникедлины экранир проводника вь р - п-переход.риод, выполненный на алл - диэлектрик - полу ийся тем, что, с целью ости управления емкос зависящим от входног а глубине не .более деб ования от поверхности пполнен обратно сме основе проводобеспе. ью на, в поаевскойлолу- щенный я приповерхностнои обратно смещенный Изооретение относится к оводниковой электроники ипользовано в широком классести, в схемах параметрическокостного усиления, в многоусттах ит.д,Известные управляемые,полупроводниковые емкости являются двухполюсными системами, что затрудняет построение схем из-за необходимости разделения входа и выхода, а также развязки цепей по переменному и постоянному току.Цель изобретения - обеспечение возможности управления входной емкостью напряжением, не зависящим от входного. Это достигается сочетанием взаимодействующих структуры металл - диэлектрик - полупроводник и р - и- перехода.Принцип работы нелинейной поверхностной емкости заключается в том, что измерением напряжения на металлическом электроде регулируется степень обеднения или обогащения основными носителями приповерхностной области полупроводника, а зяачит, и емкость структуры металл - диэлектрик - полупроводникАналогичную роль длобласти может играть и р - п-переход, расположенный не глубже дебаевской длины экранирования от поверхности полупроводника. С ростом обратного напряжения на таком р - и-переходе пространст венный заряд распространяется вплоть дограницы раздела с диэлектриком, т. е. емкостью структуры металл в диэлектрик в полупроводник (МДП) можно управлять напряжением на р - п-переходе, расположенном 10 вблизи поверхности.На этом ,принципе основана предлагаемаяконструкция нелинейной емкости с независимым управлением.Такая конструкция может быть выполнена, 15 например, по технологии изготовления МДПтранзистора со встроенным каналом.

Смотреть

Заявка

1351636

Авторы изобретени витель

В. В. Заика, А. А. Коваль, В. Д. Костюк

МПК / Метки

МПК: H01L 29/93

Метки: емкостный, триод

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-367490-emkostnyjj-triod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Емкостный триод</a>

Похожие патенты