Емкостный триод
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
б 4 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Саветскик Соцналистическиз РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. етельствавлено 23.Ч 11,1969 ( 1351636/26-25 1. Кл. Н О 1 11/00 Н 01 ц 7/00соединением заявкиКомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРПриоритетОпубликовано 23 Л.1973. БюллетеньДата опубликования описания 16.111.1973 УДК 621,382.2(088.8) вторызобретени. В. Заика, А. А. Коваль и В. Д, Костюк Заяви КОСТНЪй ТРИО 2 оласти полупроможет быть иссхем, в частного и диодно-емойчивых элеменмет изобретен и 0 Емкостной т структуры мет ник, отличающ чения возможн пряжением, не 5 лупроводникедлины экранир проводника вь р - п-переход.риод, выполненный на алл - диэлектрик - полу ийся тем, что, с целью ости управления емкос зависящим от входног а глубине не .более деб ования от поверхности пполнен обратно сме основе проводобеспе. ью на, в поаевскойлолу- щенный я приповерхностнои обратно смещенный Изооретение относится к оводниковой электроники ипользовано в широком классести, в схемах параметрическокостного усиления, в многоусттах ит.д,Известные управляемые,полупроводниковые емкости являются двухполюсными системами, что затрудняет построение схем из-за необходимости разделения входа и выхода, а также развязки цепей по переменному и постоянному току.Цель изобретения - обеспечение возможности управления входной емкостью напряжением, не зависящим от входного. Это достигается сочетанием взаимодействующих структуры металл - диэлектрик - полупроводник и р - и- перехода.Принцип работы нелинейной поверхностной емкости заключается в том, что измерением напряжения на металлическом электроде регулируется степень обеднения или обогащения основными носителями приповерхностной области полупроводника, а зяачит, и емкость структуры металл - диэлектрик - полупроводникАналогичную роль длобласти может играть и р - п-переход, расположенный не глубже дебаевской длины экранирования от поверхности полупроводника. С ростом обратного напряжения на таком р - и-переходе пространст венный заряд распространяется вплоть дограницы раздела с диэлектриком, т. е. емкостью структуры металл в диэлектрик в полупроводник (МДП) можно управлять напряжением на р - п-переходе, расположенном 10 вблизи поверхности.На этом ,принципе основана предлагаемаяконструкция нелинейной емкости с независимым управлением.Такая конструкция может быть выполнена, 15 например, по технологии изготовления МДПтранзистора со встроенным каналом.
СмотретьЗаявка
1351636
Авторы изобретени витель
В. В. Заика, А. А. Коваль, В. Д. Костюк
МПК / Метки
МПК: H01L 29/93
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-367490-emkostnyjj-triod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Емкостный триод</a>
Предыдущий патент: Газоразрядный источник резонансного излучения
Следующий патент: Водоактивируемая первичная батарея
Случайный патент: Кондуктор