Запоминающее устройство12

ОПИСАНИЕ 4 ОМ 54ИЗОЬРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистицеских РеспубликК ПАТЕНТУ Зависимый от )патента-968 ( 1274193/26-25 М.1 хл. Н О 11,14 ая)влсн Приоритет 17.Х.1967,6758 сударотвеиив)й комитетоввтв Министров СССРпо делам изобретенийи открытий Х 1.1973. Бюллетснь4 Опубликовано УДК 621.382.9 (088.8);зобресн.я ИностранцыДжозеф Харлонг Скотт младший и Джон Торк(Соединенные Штаты Америки) Уоллмарк Иностранная фирма РКА КорпорейшнСоединенные Штаты Америки) Д 5)ВИТС;)ь УСТРОЙСТВО АПОМ 11 зобрстснис отюсн Гс к запоминающим устройствам нд полупроводниках.11 звестны конструкции элемента памяти, выполненные нд нолупроводникак, в которых используется управление проводящим каналом в полупроводнике посредством электриче- скОГО ио,)51, И 1)и,1 яГясмОГО )срсз диэлектрик.О;нак) Ири выходе из строя или отключении источнид питания танис но:)1 провод)иковь)с запоминающие устройства теряют хранимуО:)нформацию. Поэтому возникаег нсооходимость иметь дублирующие источники питания.П 1)сдлоксннос запоминающее устройство не имеет этого недостатка.:)то достигается путем использования мно- ГОС,ОНОГО ДЭЛСКТР)КД, В КОТОРОМ ПЕРВЫЙслой толииной приблизительно 25 А обсснси)вс т ннсльнос ирохокдснис носитслеЙ зяр 5 л 1;)з нозуироводпике) а второй - зяВят их ня ГГуооких уровняг 211 а чертеже показано нонсрсчнос сечениенрс;)лагасмого запоминающего устройства.,"5 строЙство сос) ои) из иог) ироводниковогоматериала 1 с заданным типом проводимости, 2 к верхней поверхности которого прилегают разнесен;)ыс зоны 2 и,) с проводимостью типа, противоположного проводимости материала 1, в;15 нощисс 51 зон)ыи истока (диода) и стока (ктоля). Иа поверхности полупроводника 3 рясно;)ожс) Вынс 1 каза)нны 1 МИОГОслОЙный диэлектрик. Г 1) слой нитрида кремния 4 наложен мстяллисеки электрод 5 д.)я нриложеии 5 элсктри)еского иол 51 к приоорт . Двя состон;)я прибора хардктсризуются наличием или огсутствием зярядд во втором слое. Эффект запоминания может быть продемонстрирован ит тс) Измерени 5 с)1 кости систем 11 пар)л,Сльны. пластин, в кя 1 сствс Оок,1 ядок кот)рьх служат метяллическиЙ элсктрОд 1 пО луироволник, а в качестве диэлектрика - изоляционный и зарядонакопитсльный слои.1 р: изменении потенциала раствора емкость )змснется )ГО известному закону, образуя явно выряженную петлю гистсрезиса, Ес. ,н при.1 Оксн нос ннр 51 кение б) дст имсть до статочно большую отрицательную величину О емкое)ь ска)ко) Перейдет 1 Оо;ьшсзу знд. снио и )стс)нстс 51 и) этом уроВне иос,е сия.орицятс)нного изИхльс). Ес,и иаирже нис ид затворе будет иметь достаточно боль шую положительную величину, то емкость пе рсйдст на низшии уровень,При подаче на затвор достаточно большогс отрицательного импульса электроны путе) туннельного прохокаления к зоне проводимо сти кремния могут покидать ловушки, находя щисс в слое нитрида кремния вблизи его по всрхиости раздела со слоем двуокиси крем ни 51. Г 10 с,с 10 ГО кдк э,сктроны покидд 10 т ло409454 Сосчавичсль О. Федюкина Техред 3, Тараненко Редактор В, Левятов Корректор Н, Торкина Тираж 768 Подписио.Сове га Министров СССРоткр ьгмшнаб., д. 4,5 ч а 1 ур Иад. ЛЬ 111 ЗЦ 11 ИИПИ Гостдарствепиого комитсгаио делам иаобретений и Москва, 1 К, Раушская Обл. тип. Костромского управчепия пчдательств, полиграфии и к ижной торгов.чи вушки, последние остаются заряженными положительно, в результате чего происходит накопление положительного заряда на поверхности раздела двух диэлектриков, что переводит прибор в одно из его двух состояний.После снятия отрицательного импульса ловушки в слое нитрида кремния остаются заряженными положительно и пороговое напряжение прибора понижается. При подаче положительного импульса электроны могут совершать туннельный переход из зоны проводимости кремния в зону проводимости нитрида и затем рекомбинировать с ловушками для их нейтрализации. Накопленный положительный заряд рассасывается, положительное напряжение на затворе понижается, и прибор возвращается в состояние с более высоким пороговым напряжением. Величина накопленного заряда зависит от напряжения на затворе и продолжительности его приложения, опа определяет пороговое напряжение, при котором включается транзистор. Прибор сохраняет накопленный заряд в течение достаточно долгого времени и после снятия напряжения с затвора, благодаря чему может долго находиться в одном из его двух состояний, что и приводит к использованиюего в запоминающих устройствах.Предмет изобретения5 1. Запоминающее устройство, выполненноепз полупроводникового материала с заданнымтипом проводимости, электрические характеристики которого меняются под воздействиемэлектрического заряда на поверхности, гдерасположены слой изолирующего материалаи металлический электрод, отличающееся тем,что, с целью сохранения информации при отключенном источнике питания, изолятор подполевым электродом выполнен из нескольких15 слоев, один из которых обеспечивает туннельное прохождение электронов, а другой - ихзахват на глубокие уровни,2. Устройство по п. 1, отличающееся тем,что оно выполнено на кремнии, первый слойизолятора состоит пз двуокиси кремния, а второй - из нитрида кремния.3. Устройство по п. 1, отличающееся тем,что выполнено па кремнии, первый слой изолятора состоит из двуокиси кремния, второйиз кремния, на котором нанесен третий слойиз изолирующего материала.