G01N 23/227 — измерением фотоэлектрического эффекта, например оже-электронов

Номер патента: 389450

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 23/227

Метки: lissrji, всрсоюзнаяд, им, институт, курнаковаан, лшавторызаявителиинститут, неорганической, общей, ссср, сссрbhbihottlka, химии, ъlt, электрохимии

...вакуумной установки, Коллектором фотоэлсктронов является положительный электрод вакуумной установки (анод). На электроды вакуумной установки подается соответствующая разность потенциалов, Работа выхода электрона из металла в вакуум при фотоэлектронной эмиссии отличается от работы выхода электрона из диэлектрика, что позволяет отделять частотные характеристики фотоэмиссионного тока с частиц металла от фотоэмиссионного тока с диэлектрика или полупроводника. 15 Экспериментальная спектральная (частотная или волновая) характеристика тока фотоэлектронной эмиссии с частиц металла, находящихся на поверхности или в приповерхностном слое исследуемого образца, 20 сравнивается с расчетной частотной (волновой) зависимостью фотоэмиссионного тока,...

Номер патента: 783661

Опубликовано: 30.11.1980

Автор: Адельсон

МПК: G01N 23/227

Метки: оже-электронов, спектрометр

...Формула изобретения аказ 8532/45одписное НИИПИираж 1019 илиал ППП "Патент", Ужгород, ул. Проек ройство 11, подсоединенное вторым входом к источнику 4 напряжения развертки, второй модулирующий генератор 12, подключенный к энергоанализатору 3, последовательно соединенные полосовой Фильтр 13 и второй фазочувствительный детектор 14, подсоединенный вторымГвходом к выходу модулирующего генератора 12.Спектрометр работает следующим образом.Источник 1 возбуждения образца воз- действует на исследуемый образец 2, в результате чего образцом 2 испускается поилок электронов, поступающий на энер-: гоанализатор 3, к которому прикладыва ется сигнал от источника 4 напряжения 15 развертки и сигналы от модулирующих генераторов 5 и 12, частоты которых...

Номер патента: 892341

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Лазовский, Монтримас

МПК: G01N 23/227

Метки: инерционности, слоев, электрофотографических

...способа.Устройство содержит (фиг, 2) прозрачный, проводящий сигнальный электрод 1, измеряемый образец (полупроводниковый слой) 2, проводящую подложку 3 слон, измеритель 4 заряда,компенсационный усилитель 5, блоки6 и 8 управляющих синхроимпульсов,источник 7 импульсного освещения,блок 9 измерителя скорости изменения потенциала, блок 10 управляемого пикового детектора, блок 11 совпадения, измеритель 12 временногоинтервала, блок 13 управляемого пикового детектора, управляемый блок14 регистрации потенциала и вычита 5 ющий блок 15.Устройство работает следующим образом.Предварительно заряженный слой 2помещается под прозрачным электро 10 проводящим сигнальным электродом 1.На выходе измерителя 4 заряда получаем напряжение,...

Номер патента: 1040390

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Асланов, Ежова, Застенкер, Ким

МПК: G01N 23/227

Метки: исследования, монокристаллов, рентгено-графического

...основание, держатель образца, смонтированный на нем с возможностью поворота, средства воздействия на образецсмонтированные на том же основании источник и детектор рент 1геновских лучей, снабженные механизмами независимого относительного поворота и совместного поворота вокруг оси, лежащей в плоскости, которая проходит через образец параллельно основанию, и средствами отсчета углов поворота Э 3 .Недостаток известного устройства состоит в том, что в нем нельзя испольэовать средства воздействия на образец, обладающие большим весом, размерами и требующие для своей работы жесткой фиксации относительно оси вращения держателя образца, например, нельзя облучать образец прямым лучом ОКГ, включая ультрафиолетовое излучение, ось луча...

Номер патента: 1103128

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Вдовенков, Городыский

МПК: G01N 23/227

Метки: оже-спектроскопии, поверхности, твердых, тел

...пространственном разрешением лучше 1000 А и разрешанием по энергии 0,2 эВ для энергии 100 эВ.Однако указанные характеристики известного способа не всегда достаточны для решения ряда исследовательских задач.Цель изобретения - повышение чувствительности и разрешающей способности,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу оже-спектроскопии поверхности твердых тел, заключающемуся в облучении исследуемой поверхности модулированным по интенсивности первичным пучком электронов,пропускании вторичных электронов через энергетический анализатор и регистрации прошедших через анализаторвторичных электронов в соответствиис параметрами модуляции первичногопучка, модуляцию первичного пучка осу.ществляют путем формирования пакетовл ф,+ аьсо...

Номер патента: 1182361

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Колотыркин, Петрова, Томашпольский

МПК: G01N 23/227

Метки: варианты, кислорода, концентрации, оксидах, поверхностной

...состава при з вследствие фо .и определяют кислороду в об стехиометричес формуле ких диэлектрическихводят измерение сдвиых линий любого элеи эталона известного рядке их поверхности оэлектронной эмиссии еличину дефицита по разце относительно кой концентрации по О о) макс Вт " вт е х и хмакс 1" с ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДсЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(56) Авторское свидетельство СССР Р 366765, кл. С 01 М 23/222, 1973.Миркин А.Е., Томашпольский Ю.Я. Рентгеноспектральное определение дефицита кислорода в сложных окислах. - Заводская лаборатория,т. 44, 1978, И 8, с. 962-963.Нефедов В.И., Сергушин Н.П., Жаворонков Н.М. Рентгенозлектронныйколичественный анализ. - ЖАХ, т. ХХ 1 Х, вып. 2, с. 231-235.(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ...

Номер патента: 1224692

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Балдохин, Гольданский, Ефремов, Колотыркин, Тарасевич, Шведчиков

МПК: G01N 23/227, G01N 27/50

Метки: измерений, протекании, процессов, спектральных, электрохимических

...конверсионных и Оже-электронов на мессбауэровском спектрометре, В процессе поляризации электродов как при электрохимических, так и при химических и коррозионных процессах могут проводиться следующие режимы спектральных измерений.1. Исследование фазовых превращений на поверхности образцов путем рассеяния мессбауэровских гамма- квантов (исследуемые глубины до 20 мкм), Измерения ведут как в режиме углового рассеяния с использованием наполненных пропорциональных счетчиков, так и рассеяния в геометрии 211 с использованием специальных пропорциональных счетчиков 18 со сквозным отверстием через объем счетчика (в этом режиме измерений используются вибратор 13, мессбауэровский источник 11 и приемник 18).2. Измерения в геометрии 21 Г...

Номер патента: 1272198

Опубликовано: 23.11.1986

Автор: Дегтярев

МПК: G01N 23/227

Метки: анализа, зернограничных, количественной, межфазных, оже-спектроскопии, поверхностных, сегрегаций, состава, электронной

...химическим (или другим,но не с помощью электронной 15 оже-спектроскопии, и болееточным, чем последний) методом анализа, ат.7,;1 - интенсивность пика ожеэлектронов для одного из20 химических элементов (входящих в состав объекта) отвнутренней области объекта,отн. ед,П р и м е р. Определяют концентра 25 цию фосфора в области зернограничнойсегрегации стали после закалки при1200 С из соляной ванны в маслеи отпуска при 550 С 1 ч. Непосредственно перед проведением анализа обра 30 зец стали диаметром 3 мм с Ч-образным кольцевым надрезом разрушаютстатическим изгибом в камере спектрометра при комнатной температуре в вакууме 5 ф 10 Па. Поверхность изломаоблучают электронным пучком диаметром около 3 мкм с ускоряющим напряжением 5 кВ. Регистрируют...

Номер патента: 1326970

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Ашихмина, Богатиков, Лубнин, Томашпольский, Фрих-Хар

МПК: G01N 23/227

Метки: восстановительной, выявления, магме, минералообразования, среды

...поверхности,На первом этапе спектроскопического анализа подбирают условия регистрации оже-спектров - энергиюи ток электронного зонда. Оптимальным считается ток, при котором спектроже-электронов не изменяется завремя регистрации спектра. Это свидетельствует об отсутствии химических ч структурньгх превращений в образце. Для уменьшения вероятностиизменения состава за время записиспектров последние регистрируЮтсяс помощью аналогового устройства -мультиплексора, что позволяет наряду с ускоренной записью спектров вы"являть детали тонкой структуры ожелиний и их энергии с точностью+ 0,5 эв,На втором этапе с помощью шагового сканиронания электронным зондомдиаметром 5-15 мкм выявляют наиболеехарактерные детали тонкой структурыи энергию...

Номер патента: 1368747

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Алексеев, Запорожченко, Коломейцев

МПК: G01N 23/227

Метки: анализа, количественного, металлах, полупроводниках, примесей

...от Ях, не содержащего примесей, при настройке спектрометра надлину волны Аз-К слибо как число импульсов от исследуемого образца принастройке спектрометра относительноЗ 5 линии Аз-К. Первый способ коррекциифона является предпочтительным, поскольку в этом случае нет необходимости в перестройке спектрометра идостигается более высокая точность,40 Предлагаемый способ позволяет исключить ошибку приопределении, связанную с неопределенностью дозы атомов примеси в анализируемом слое исследуемого образца, внедренных мето 45 дом ионной имплантации. Зто делаетвозможным проводить аттестацию образцов с неоднородным распределениемпримеси на глубину и использовать ихв качестве стандартных для градуи 50 ровки приборов технологического контроля изделий...

Номер патента: 1451785

Опубликовано: 15.01.1989

Автор: Горелик

МПК: G01N 23/227, H01J 49/48

Метки: анализа, заряженных, частиц, энергетического

...коллектора, и, крометого, импульсы от частиц, сфокусированных в точках с координатами х в момент времени- х/ч. Энергия этих частиц также равна Е (С)В момент- х/ч энергия торможения была равна Е = С( - х/ч), следовательно,Е (е-х/ч) = Ем+ Е, =С (-х/ч) ЕЕ (с-х/ч) = Е,+ Е= С(-х/ч) + Е и в соответствии с выражением (3)энергия частицы, сфокусированной вмомент С-х/ч в точке х, равнаЕ( - х/ч) =Е (-х/ч) + Е (С -х/ч)-Е(С-х/ч)1Е - ЕС (-х/ч) + Е + ---- Х1(4) тицы с энергиями, заключенными внутри интервала Л Е, проходят черезанализатор 4 и отклоняются на координатно"чувствительный коллектор 5, Увыхода 6 коллектора фиксируются частицы с энергией145 3 Поскольку величина С выбрана изусловия Ег - Е,Ф ЬЕ С= - -ч= то выражение (4)+ Е Ет(") Таким образом,...

Номер патента: 1474529

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Тимченко, Шевцов

МПК: G01N 23/227

Метки: диэлектриков, исследования, методом, спектроскопии, фотоэлектронной

...сигнал сизмерителя 6 электростатического поляравен нулю, управляющий электрод 11источника 9 медленных электронов находится под положительным потенциаломотносительно катода 10.Попеременно включая источник 1возбуждающего излучения и источник 9медленных электронов, по сигналам сизмерителя 6 электростатического поляи блока 15 регистрации Фотоэлектронных спектров, настроенного на электроны определенной энергии поверхность исследуемого образца 3 устанавливается на электронно-оптическую осьэнергоанализатора 12 с помощью манипулятора 2 и рычагов 18 и 19. Затемна ней совмещаются зарядовые пятна,образующиеся на образце 3 под действием остросфокусированпых пучковисточника 1 возбуждающего излученияи источника 9 медленных электронов,Причем,...

Номер патента: 1502990

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Гимельфарб, Городский

МПК: G01N 23/227

Метки: количественного, микроанализа, образцов, поверхностью, шероховатой, электронно-зондового

...направление проекции нормали к поверхности образца в этой точке на горизонтальную плоскость, а угол . между нормалью к поверхности в данной точке и оптической осью микроанализатора однозначно определяется отношением разности максимальной и минимальной интенсивностей1502990 где в правой части находятся известные (определенные из эксперимента) функции, х и у - координаты выбранной точки, а Е(0,0)=сопзС, произвольно. Тогда путем интегрирования в этой системе уравнений находят функцию 2(х,у), описывающую микрорельеф поверхности на исследуемом участке.П р и м е р 2. Требуется определять элементный состав поверхности излома кристалла СаАз в трех заданных точках А, В, С . Для этого образец 9 помещают в держатель 3, оснащенный описанным...

Номер патента: 1550389

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Бабенков, Бабенкова, Назаренко, Петухов

МПК: G01N 23/227

Метки: исследования, поверхности, твердых, тел

...и т,п,) участка поверхноститвердого тела, адсорбировавшего водород, так как системы ион гелияповерхность в тех местах, где тритийне адсорбировался, не образуются.Предлагаемый способ реализуетсяс помощью стандартного времяпролетного спектрометра с использованием позиционно-чувствительных старт- истоп-детекторов 1 и 3.Определение энергии оже-электроновпроисходит следующим образом,Распад адсорбировавшегося в слое2 исследуемого вещества Н и после 3дующая релаксация образовавшейся системы ион гелия - атом поверхностипроисходят с испусканием излучения,которое фиксируется как старт-, таки стоп-детекторами 1 и 3, В рамкаходиночного события один атом тритияраспадается в слое 2 исследуемоговещества вблизи поверхности входногоокна старт-детектора...

Номер патента: 1562809

Опубликовано: 07.05.1990

Автор: Дегтярев

МПК: G01N 23/227

Метки: изломов, концентрации, молибден, поверхности, содержащих, сплавах, фосфора

...концентрации фосдюра.Способ осуществляется следующим образом.В дополнение к облучению пучком электронов поверхности исследуемого излома в сплавах, содержащих молибден, регистрации оже-электронов, измерению интенсивности пиков оже.801 6 809 А 1 2(57) Изобретение относится к электронной оже-спектроскопии и может быть использовано при исследовании инструментальных сталей и их сплавов. Цель - повьппение точности определения концентрации Фосфора на поверхности изломов в сплавах, содержащих молибден, Дополнительно к регистрации оже-спектра электронов от поверхности излома проводят регистрации ,спектра оже-электронов от шлифа, а интенсивность пика оже-электронов Фосфора определяют как разницу между интенсивностью пика оже-электронов с...

Номер патента: 1569686

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Галль, Михайлов, Рутьков, Тонтегоде

МПК: G01N 23/227

Метки: адсорбированной, графитовой, доли, металле, пленке, углеродной, фазы

...составляет стандартную величину - 0 = 3,80 101 атомов /с см.Монослой графита должен быть нанесен на металлическую подложку, так как именно в этом случае имеет место перетекание заряда от атомов Сз к граФиту и характерные изменения структуры оже-пика углерода, которые и позволяют использовать его как эталонный образец в оже-спектроскопии, применение которого дает возможность повысить чувствительность за счет определения доли графитовой Фазы в монослойных и субмонослойных пленках.Облучение рабочих поверхностен образца и эталона атомами Сз применяются потому, что при их адсорбции имеет место перетекание заряда от адсорбата в граФитовую пленку и, как следствие, появление тонкой структуры на оже-спектре углерода (пик с энергией Е = 285...

Номер патента: 1599735

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Будинавичюс, Пранявичюс, Тамулевичюс

МПК: G01N 23/227

Метки: оже-анализа, послойного, состава, твердых, тел, химического

...текущей координаты по глубине.Способ осуществляется следующим образом.На исследуемый образец направляют пучок электронов и регистр руюи т бжеспектры. Послойное распыление осу; ществляют с помощью ионного пучка, .энергию которого периодически меняют частности контролю химического состава твердых тел как на его поверхности, так и в глубинных слоях, Цель изобретения - увеличение точности измерения текущей координаты по глубине, Способ послойного Оже-анализа химического состава твердых тел основан на анализе энергий и количестве Оже-электронов, излучаемых твердым телом при облучении его пучком уско,ренных электронов, и послойном распылении ионным пучком, Распыление осуществляется ионным пучком, энер гия которого периодически меняется...

Номер патента: 1617347

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Агеев, Бурмистрова, Кузнецов

МПК: G01N 23/227

Метки: исследования, поверхности, твердого, тела

...очередь, это проявляется в смещении положения максимума Е распрео деления(Е) десорбированных атомов па величину ВЕ /Т(Ю) = Е /т(Я) - Е /Т (Я) (8) при нагреве поверхности до люЬой фиксированной температуры Т ) Т не прео)вышающей температуру Т д начала термодесорбции адсорбата с поверхности,С использованием выражений (5)-(7)определяют положение максимума Е /Тораспределения ) (Е) и строят зависимость смещения ЬЕ /Т(Я) для темпераотуры Т.Повторно измеряя энергетическоераспределение (Е)/Т ионов десорбированных атомов адсорбата при температуре Т, определяют положение максимума Ец/Т этого распределения, находят величину смещения Е /Т отоизмеренного ранее положения максимума Ео/То при температуре Т и по построенной зависимости Е /Т(Ц) нахоодят...

Номер патента: 1651174

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Будинавичюс, Пранявичюс, Тамулевичюс

МПК: G01N 23/227

Метки: анализа, пленок, послойного, тонких

...следующим образом.Послойный Оже-анализ двухслойной структуры А 9-Я производят в вакуумной камере при давлении остаточных газов 10 Па.-8 Облучение исследуемого образца пучком ионов, пучком электронов и регистрацию Оже-электронов осуществляют при помощи серийного Оже-анализатора, Облучение электронами производят с энергией 11 кэВ, Одновременно с регистрацией Оже-электронов производят регистрацию характеристического рентгеновского излучения с помощью пропорционального счетчика и1651174 Формула изоб ретения Составитель К,КононоТехред М.Моргентал Корректор О,Ципле едактор О.Голо каз 1603 Тираж 411 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5-издательский комбинат...

Номер патента: 1679320

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Алиев, Ахраров

МПК: G01N 23/227

Метки: атомов, кристалла, локализации, примесных

...эффективно какалируются в симметричных направлениях, что приводит к наиболее эффективному возбуждению примесных атомов, находящихся в этих направлениях. При этом эмиссия Оже-электронов примескых атомов резко возрастает, так как вторичные упруго и неупруго отраженные (рассеянкые) электроны способны в 3-4 раза больШе воз 167932010 15 20 25 30 35 40 45 50 55 буждать Оже-электроны, чем первичные заряженные частицы,Локализация внедренных (или примесных) атомов в элементарной ячейке (решетке) кристалла и их химическое состояние играет важную роль в изменении тех или иных свойств материалов, В зависимости от локализации примесных атомов в решетке они могут находиться в нейтральном или заряженном состояниях, создавать дефекты различных...

Номер патента: 1681212

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Кузнецов, Протопопов

МПК: G01N 23/227

Метки: поверхности, состояния, твердых, тел, химического

...к 1 МЕСКОМУ ЭЛЕМЕНТУг 33 ом, поскольку скорость оже-элек.Опн,"-. Ян;чительно вЬше скорости рассеян.О,"0 п 8 рвичнОГО иана, сиГнэлКЕ-ООНОВ С ВЫХОДЭ Системы 7 Регистоации зэдер)хивается линией 5 задержки наЗОЛИЧИНУ Ь Т = Тоже - 1 ион. ГДВ Тоже И Т ион;",00 Гв РТСТ ВР Н Н С,Одноваеменно с Возбуждением аже 1 миссии на поверхности образца происходит рассеяние частиц первичных ионов, Б;сотаве рассеянны ионов имеются какОны, рассеянные после ОднОкратнОГО соу:Эрения с атомами павехности, тэк и иОны,г)эссея.ные в результате многократноо гоДарения ." атомами повЭохности".Остэв рас еяннай компоненты первич Г, , ЯЭВИСИТ В ЗНЭЧИТВПЬ)й МРРЕ От,.-,;- - .,.т-, :,- )ГИ М,";о,;Ы ИОНОВ у а падения. Так, с возрастанием ;Гла пад 8 нияпеовичнаго пка на...

Номер патента: 1702269

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Веневцев, Калева, Колганова, Политова, Томашпольский

МПК: G01N 23/227, H01L 39/00

Метки: высокотемпературных, качества, сверхпроводящих

...эоны) проявляется при содержании кислорода, близком к стехиометрии, При потере кислорода происходит изменение в электронной структуре сверхпроводника. заклнчающееся, в частности, в непрерывном ум: ньшении концентрации свободных носителей .- зоне проодмоси с ростом дефицита кислорода. В этом случае независимо от донорн ого или акцепторного типа проводимости число эмиттированных вторичных электронов будет возрастать за счет уменьшения электрон-электронного взаимодейств я, Таким образом, уровень вторичной электронной эмиссии в ВТСП-материалах является функцией степени кислородного дефицита, цто позволяет провести измерения относительного содержания кислорода, Для абсолютных измерений следует применять эталоны.Определим возможность...

Номер патента: 1718069

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Блехер, Заславский, Кораблев

МПК: G01N 23/227

Метки: длин, пробега, свободного, средних, электронов

...спекмакстров 70% (макс, мин) - максимальное и соседнее с ним минимальное значение наугловой зависимости соответственно). Ки- ризует часть тока первичных электронов, нетическая энергия 2 рЗ/2- и Зр-рентгена- прошедших пленку, не испытав неупругих вских фотоэлектронов составляет 551 зВ взаимодействий.4 ср. иср средниезначеи 1408 эВ при возбуждении включением 5 ния интенсивности на угловых зависимоКа А. стях интенсивности рентгеновскихПроцессы взаимодействия электронов фотоэлектронов, полученных от чистого моизучают в пленке бария, наносимой на мо- нокристалла и монокристалла с нанесенной нокристалл Сц 001) путем термического ис- на него пленкой соответственно.парения из специального источника, Для 10 Подсреднимзначениеминтенсивности...

Номер патента: 1709818

Опубликовано: 28.02.1994

Автор: Матора

МПК: G01N 23/227, G01T 1/36

Метки: спектра, фотоэлектронов, энергетического

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА ФОТОЭЛЕКТРОНОВ, эмиттированных твердым телом, состоящее из вакуумной камеры, импульсного лазера, устройства компенсации геомагнитного поля и сферического коллектора, отличающееся тем, что, с целью улучшения энергетического разрешения, внутри вакуумной камеры размещены секция образца, пролетная секция и секция коллектора, каждая из которых ограничена металлическим заземленным экраном, причем экран перед коллектором имеет набор малых сквозных отверстий, при этом зазор между поверхностью, обращенной к коллектору, и коллектором выбран минимальным, а в экранной стенке между секцией образца и пролетной секцией расположено сквозное отверстие.