Патенты с меткой «латеральный»

Номер патента: 1702458

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Йордан, Смирнов

МПК: H01L 29/82

Метки: биполярный, латеральный, магнитотранзистор

...сформирована вторая инжекторная область второ О типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.На чертеже приведен биполярный латеральный магни готранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединения.Биполярный латеральный магнитотранзистор состоит иэ полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно расположенные на расстоянии один О 1 другого первая контактная базовая область 2 первого типа проводимости, инжекторная область 3 Второго типа проводимости, коллекторная область 4 второго типа...