Мягконосов
Преобразователь постоянного напряжения в постоянное
Номер патента: 1836794
Опубликовано: 23.08.1993
Авторы: Качанов, Махов, Мягконосов, Тютин
МПК: H02M 3/07
Метки: постоянного, постоянное
...соединен с первым 4 и четвертым 7 ДЗП, а минус - со вторым 5 и третьим 6 ДЭП. Управляющие входы ДЭП4, 5, 6, 7 объединены и соединены с соответствующими выходами счетчика 2. Первая цеПочка 8 и вторая цепочка 9 из последовательно соединенных конденсаторов,число которых вкаждой равно Й, где ч = 2, включены между плюсовым иобщим и минусовым и общим выводами соответственно второго источника 10 постоянного напряжения, формирующего соответствующие выходные выводы, Первый выход первого 4 ДЭП и М-й выход второго 5,ДЭП соединены соответственно с плюсовым и общим выводами второго источника30 постоянного напрякения, а каждый из -хвыходов первого 4 ДЗП, где 1М соединен с (-1)-м выходом второго 5 ДЗП и стоЧкой соединения (-1)-го и -го конденсаторов...
Способ функциональной настройки гибридных интегральных схем
Номер патента: 1387807
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Мягконосов, Платонов
МПК: H01L 21/98
Метки: гибридных, интегральных, настройки, схем, функциональной
...элементов 2, после чего осущеществляют откачку воздуха (вакуумироночной схемы подключают к источ" нику питания и контрольно-испытательной аппаратуре посредством металлических пленочных проводников10, соединенных с разъемом 11, и при жимных контактных соединений между этими проводниками и внешними кон".тактными площадками платы. Дпя контроля функционирования ГИС используютустановки тестового контроля типа УТКили системы "Элекон-СФ". Затеи на ГИС подают питающие напряжения иОсуществляют контроль,ее электрнчес"кого функционирования, испытания инастройку, в процессе которых выяв-,ляют дефектные кристаллы ИС. Послеэтога отключают питающие напряжения,вакуумный насос, отделяют рамку 9 сгибкой диэлектрической подложкой 8от платы 1, а...
Устройство для нанесения слоя фоторезиста на подложки
Номер патента: 1385932
Опубликовано: 15.12.1991
Автор: Мягконосов
МПК: B05C 5/00, G03C 1/74, H01L 21/312 ...
Метки: нанесения, подложки, слоя, фоторезиста
...в сосуд 1, Держатель .6 с подложками 7 закрепляют посредством кронштейна 8 на крьппке 2, которую уста иавливают на сосуд 1. Затем открывагот клапан 5 в трубопроводе 14; клапан 17 в трубопроводе 16 подачи сжатого газа и, создавая давление в реВерсивном баке(1,5-2,0) х 10 Па, подают в сосуд 1 жидкость 4,контролируя ее уровень по указателю 19 уровня. При подъеме уровня жидкости 4 в сосуде 1 нанна 9 с Фаторезистом 1 О также поднимается и при достижении заданного уровня жидкости 4 подложки 7 полностью погружаются в Фоторезист 10, После этого закрывагот клапаны 15 и 17, открывагот клапан 18, устаиавлггвая в реверсивном. баке 11 давление, равное атмосферному, и герметизируют сосуд 1 прижатием крьппки 2 к.уплотнению 3, Затеи открывают клапан...
Способ сушки слоя фоторезиста на подложке и устройство для его осуществления
Номер патента: 1572337
Опубликовано: 30.11.1991
Автор: Мягконосов
МПК: H01L 21/312
Метки: подложке, слоя, сушки, фоторезиста
...метод для измерения изменениядиэлектрической проницаемости материаласлоя. В этом случае определение временитермообработки, требуемого для воспроизводимого получения Высококачестгеных 35покрытий из фоторезиста, осуществляютизмерением времени изменения значенийдиэлектрической проницаемости материала слоя емкостным меодом,Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображено устройство для реализации предложенного способа.Устройство содержит камеру 1 групповой обработки, состоящую из корпуса 2 суплотнением 3, и.крышки 4 и снабженную 45нагревателем 5, кассету бс подложками 7 сослоями 8 фоторезиста, размещеннуо В камере 1, блока контроля параметров слоя фоторезиста, состояЩего из датчика 9 снанесенным на него слоем Фоторезиста,...
Контактное устройство
Номер патента: 1401653
Опубликовано: 07.06.1988
Авторы: Мягконосов, Платонов
МПК: H05K 1/18
Метки: контактное
...не выше твердости контактных площадок контролируемого изделия и соединены с диэлектрической прокладкой в неразьемный элемент, выполненный с возможностью продольного изгиба. Составитель Н. ШмелевТехред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец Редактор А, Шандор Заказ 2794/57 Тираж 832 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 13035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в контрольно-измерительном оборудовании производства полупроводниковых и гибридных интегральных схем.Цель изобретения - повышение достоверности контроля и снижение повреждаемости контактов...
Способ определения энергетических характеристик концентраторов лучистой энергии
Номер патента: 1070389
Опубликовано: 30.01.1984
Авторы: Байрамов, Беккер, Гурбанязов, Мягконосов, Петухов
МПК: F24J 2/06
Метки: концентраторов, лучистой, характеристик, энергетических, энергии
...материала и последующей дешифрации полученной информации, перед экспонированием регистрирующую пластину, выполненную из светочувствительного стекла, облучают от постороннего источника ультрафиолетового излучения через сетчатый фотошаблон, а экспонирование осуществляют путем нагрева регистрирующей пластины температурным полем концентратора.На фиг. 1 показано устройство для экспонирования регистрирующей пластины; на фиг. 2 - дешифратор-фотометр.Способ осуществляют следующим образом.,Сначала на регистрирующую пластину 1 через сетчатый фотошаблон (не показан) с нанесенным на него несплошным хромовымпокрытием, представляющим собой ряд чередующихся равноотстоящих полос, направляют ультрафиолетовое излучение, на 5 0 15 20 25 Зо...
Свободная маска для напыления пленочных элементов и способ ее изготовления
Номер патента: 1019017
Опубликовано: 23.05.1983
Авторы: Беккер, Кузнецов, Лященко, Мягконосов, Смирнова
МПК: C23C 13/02
Метки: маска, напыления, пленочных, свободная, элементов
...маски с подложкой при взаимодействии тонкого металлического слояиз Ферромагнитного материала, сФормированного на поверхности базовой пластины с внешним магнитйым полем.На фиг. 1 представлен Фрагмент свободной маски, Вид сверху, на Фиг, 2 " сечение А-А на Фиг, 1; на Фиг, 3 - базовая пластина, расположенная между тонкой, прозрачной для ультраФиолетового света лавсаиновои пленкой и защитной полиэтиле новой пленкой; на Фиг. ч - базовые пластины из СПФ, соединенные с тоннкои лавсановой пленкой и содержа 017 4щие сквозные прецизионные отверстия; на фиг, 5 - базовые пластилиныиз СПФ с нанесенным металлическимслоем; на Фиг. 6 - свободная маска,выполненная предложенным способом,содержащая базовую пластину из СПФ,металлический слой из...
Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках
Номер патента: 951387
Опубликовано: 15.08.1982
Авторы: Василенко, Мягконосов, Чистяков
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающей, матрицы, сердечниках, ферритовых
...отверстия 3, при этом кольцевые углубления-пазы 2 выполняются глубиноюравной высоте ферритовых .сердечников,4 устанавливаемых в эти пазы 2(Фиг. 2). Затем на обе поверхности щплаты 1 наносят слой 5 изолирующегоматериала, например, сухого пленочного фоторезиста (Фиг. 3),Эта операция может быть выполнена, например, накатыванием слоя 5 сухого пленочного фоторезиста толщиною10-20 мкм сначала на одну, а затемна противоположную поверхность платы1, Для этого плату 1 нагревают до 6080 С. При этом в первую очередь слой зоФоторезиста формируют на поверхностиплаты 1 с выступающими над ней илицастично утопленными ферритовыми сердечниками 4. Далее плату 1 экспонируют через соответствующие фотошаблоны с изображением рисунка обмоток ипроявлением...
Способ изготовления трафарета для ориентации ферритовых сердечников
Номер патента: 898501
Опубликовано: 15.01.1982
Авторы: Василенко, Мягконосов
МПК: G11C 5/02
Метки: ориентации, сердечников, трафарета, ферритовых
...сформированы расположенные в мат 4 ричном порядке прозрачные области 2, окруженные частично прозрачными дпя ультрафиолетового света областями 3, разделенными полностью непрозрачными для ультрафиолетового света областями 4, фО На фиг. 2 изображена схема экспонирования пластины 5 из светочувствительного стекла через фотошаблон 1На фиг. 3 - экспонированная пласти- фф на 5 после операции термообработки. Обпасти 6 имеют большую степень кристаллизации по сравнению с областями 7. 4На фцг. 4 изображено сечение фрагмента трафарета, содержащего пазы 8для сердечников, кацапы 9, вакуумнойфиксации,фотошаблон 1, представляющий собойстацдартцую плоскопараллепьную стеклянную пластину, на поверхности которой фотолитографическим способом...
Способ изготовления матрицы на ферритовых сердечниках
Номер патента: 875453
Опубликовано: 23.10.1981
Авторы: Василенко, Мягконосов, Платонов
МПК: G11C 5/12
Метки: матрицы, сердечниках, ферритовых
...осуществляют охлаждение ферритовых, сердеч 4 ников в местах расположения липкойленты до температуры не превышающейтемпературы текучести клеящего вещества.Источники информации,о принятые во внимание при экспертизе.1. Патент США 9 3837951,кл.156-85,опублик. 1974.2. формирование полей ферритовыхсердечников матриц и накопителей ЗУ.фТехнологическая инструкция Бы 25201.,00008 ТИ", Отчет МРП, 1971 (прото- тип).ль В. Вакаролинка Корректор Г. Назарова Заказ 9356/78 Тираж 648 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП "Патентф, г . Ужгород, ул, Проектная, 4 В дальнейшем ферритовые сердечники прошиваются координатными провода-. ми 2 .Недостатком известного...
Способ подгонки пленочных резисторов
Номер патента: 871232
Опубликовано: 07.10.1981
Авторы: Василенко, Мягконосов, Платонов
МПК: H01C 17/00
Метки: пленочных, подгонки, резисторов
...приводит к увеличению деформации и даже разрушению материала резистора, особенно вдоль периметра пятна засветки. Разрыв пленки по периметру экспонированного участка приводит к увеличению числа Ч и соответственно к возрастанию электрического сопротивления резистора, Когда площадь засветки превышает площадь пленочного резистора, при усадке подложки наблюдается уплотнение пленки и уменьшение величины РПТаким образом, предлагаемый способ позволяет производить подгонку резистора в сторону увеличения и в сторону уменьшения величины При одновременном экспонировании нескольких резистОров, расположенных на подложке, возможна групповая подгонка. Поскольку изменение сопротивления связано с усадкой подложки, облучаемой с той стороны, которая...
Устройство для изготовления запо-минающих матриц ha ферритовых сердеч-никах
Номер патента: 841037
Опубликовано: 23.06.1981
Авторы: Беккер, Василенко, Золотенков, Мягконосов, Твеленев
МПК: G11C 5/12
Метки: запо-минающих, матриц, сердеч-никах, ферритовых
...сердечников, расположенную под рамкой с отверстиями для прошивочных проводов, вакуумную камеру, 4 о связанную с вертикальными каналами первого электромагнита, штифты и липкую подложку, содержит второй электромагнит, на котором установлены плата с пазами для ферритовых сердечников и штифты, на которых размещецй,. рамка с отверстиями ля.45 црошивочных проводов, над которой рас.положена липкая подложка, установленная на первом электромагните, а второй электромагнит расположен на вибраторе.На фиг.представлено устройство дляизготовления запоминающих матриц на ферритовых сердечниках; на фиг, 2 - платас пазами для ферритовых сердечников и рамка с отверстиями для прошивочных проводов. 55Устройство содержит вибратор 1, плату 2с пазами 3...
Способ изготовления запоминающейматрицы ha ферритовых сердечниках
Номер патента: 822285
Опубликовано: 15.04.1981
Авторы: Василенко, Мягконосов
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающейматрицы, сердечниках, ферритовых
...счет исключения соединений н шине считывания. Обеспечение существенно прямолинейного движения шины считывания на протяжении всей строки сердечникон матрицы, сформированной из четных строк нечетных фрагментов и нечетных строк четных Фрагментов при формировании одной половины шины считывания или же каждой строки матрицы, сформированной из нечетных строк фрагментов и четных строк четных Фрагментов при формировании нторой половины обмотки считывания, позволяет автоматизировать процесс Формирования шины считыВания. На фиг, 1, 2 и 3 поясняется сущ,ность изобретения,Запоминающая матрица содержит нечетный Фрагмент 1, четный, фрагмент2, шину 3 считывания, Ферритовые сердечники 4,Четный фрагмент 2 (Фиг. 1) смещенотносительно нечетного фрагмента...
Способ изготовления трафарета дляориентации ферритовых сердечников
Номер патента: 822284
Опубликовано: 15.04.1981
Авторы: Василенко, Мягконосов
МПК: G11C 5/02
Метки: дляориентации, сердечников, трафарета, ферритовых
...ультрафиолетового излучения. Фото- шаблон пазов имеет систему прозрачных для ультрафиолетового света "окон" определенного размера в зависимости .От размеров ферритовых сердечников,822284 Формула. изобретения Составитель В. ВакарРедактор Н. Недолуженко Техред Л.Пекарь КорректорЕ. Рошка Тираж 645 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 1883/79 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 которые будут размещаться в трафарете для ориентации. Фотошаблон каналов содержит "окна" в форме окружностей совпадающих по расположению с "окнами" фотошаблона пазов,и проектируемых при экспонировании в их центры.Время экспонирования через фотошаблон каналов...
Способ изготовления трафарета длязапоминающих матриц ha ферритовыхсердечниках
Номер патента: 794665
Опубликовано: 07.01.1981
Авторы: Василенко, Мягконосов, Пестерова
МПК: G11C 5/02
Метки: длязапоминающих, матриц, трафарета, ферритовыхсердечниках
...выдавливания ячеек с помощью рельефной матрицы позволяет достигнуть высокой плотности расположения ячеек и исключить искажение их профиля, которое возникает при последовательном выдавливании ячеек и обусловлено вытеснением материала трафарета в направлениях, перпендикулярных направлению движения пуансона.Соединительные каналы формируют фотохимическим методом после операции выдавливания ячеек, что позволяет увеличить поперечное сечение каналов и исключить .выпадание сердечников из ячеек трафарета.Способ осуществляется следующим образом.Сетку натягивают на раму и нагревают до 60 - 80 С, после чего на нее накатывают и напрессовывают слой сухого пленочного фоторезиста при удельном давлении 0,1 - 0,3 кг/см в течение 5 - 10 мин. Размеры...
Способ изготовления матриц для запоминающих блоков
Номер патента: 729632
Опубликовано: 25.04.1980
Авторы: Беккер, Василенко, Красюк, Мягконосов, Платонов
МПК: G11C 5/12
Метки: блоков, запоминающих, матриц
...жидкости, смачивающей серпечники и обладающей достаточной величинойкоэффициента поверхностного натяжения.Одним из вариантов заполнения отверстий трафарета жидкостью является установка трафарета на плоскость, напримерстеклянную, смоченнуюжидкостью,например водой.Жидкость засчет квпилярного эффектачастично заполняет отверстия трафарета,После этого заполняют трафарет сердечниками, В отверстиях трафарета сердечники удерживаются силами поверхностногонатяжения, Глубина слоя жидкости недолжна превышать толщины трафарета,иначе процесс заполнения траФарета звтрупняется иэ-за появления жипкости нанаружной поверхности трафарета, не контактирующей со слоем жидкости, и прилипания серпечников к этой поверхности небоковой поверхностью, а...
Способ изготовления трафарета для ориентации ферритовых сердечников в запоминающей матрице
Номер патента: 702409
Опубликовано: 05.12.1979
Авторы: Беккер, Боргман, Каминский, Красюк, Левенталь, Мягконосов, Петрушина
МПК: G11C 5/02
Метки: запоминающей, матрице, ориентации, сердечников, трафарета, ферритовых
...матрицы существенно усложйяейся"итрудоемкбсть его возрастает.Цель изобретения - повышение точностй воспроизведения микрогеометриитрафарета.Поставленная цель достигается тем,что при изготовлении трафарета для ориентации ферритовых сердечников Ь. запоминающей матрице, предлагаемым способойЪкйюфТакйим селективное экспони"роваФЙе йластины из светочувствительного стекла, проявление ее путем термообработки, травление экспонированныхучйбИов"до получения сквозных отверстйй, перед селективным экспонирова-нием на поверхности пластины формиру-ют контактную маску из фоторезиста,Пример изготовления трафарета пред-лагаемым способом,На пластину из светочувствительногостекла, например фотоситалла, любойтолщины наносят с одной стороны слойфоторезиста,...