Биполярный латеральный магнитотранзистор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 1702458Н 82 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ЕТЕЛЬСТВ К АВТОРСКОМУ вую пластину первого т приповерхностной об мированы последоват друг от друга первая область первого типа и торная область втсрог коллекторная область димости и вторая кон ласть первого типа пр ипа проводимостл, в лас и которой сфорельно на оассконтактная броводимасти,о типа проводищорого типаактная баэововодимости. агнии зовая нжекмости, ровос й Однако известн ральный транзистор кой магн иточу вст коллекторных токах,Цель иэобретени точувствительности,полярныи латетеризуется ниэльностью пои шающих 0.5,л А. вышение магнихара вите превь я ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Институт по физике твердого тела (В 6) (72) Йордан Димитров Касабов (ВО) и Н. Д, Смирнов (ЯО)(54) БИПОЛЯРНЫЙ ЛАТЕРАЛЬНЪЙ МАГНИТОТРАНЗИСТОР(57) Изобретение относится к биполярному латеральному магнитотранзистору, который используется в качестве датчика магнитного паля. Цель изобретения повышение магниточувствительности, Биполярный латеральный магнитотранэистор включает полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхИзобретение относится к микроэлектронике, а именно к биполярным латеральным магнитотранзисторам, используемым в качестве датчиков магнитного поля,Известны биполярные магнитотранэиторы содержащие эмиттер, базу и коллектор с соответствующими контактами,Недостатком такого транзистора являе. ся невысокое значение магниточувствительности, обусловленное размерами базовой области и расположением коллекторной области.Наиболее близким к предлагаемому является биполярный латеральный магнитотранзистор, содержащий полупроводниконостнои области которои сформированы последовательно на расстоянии друг от друга первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжекторная область второго типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая область первого типа проводимости. В приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второго типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстолн 1.: большем, чем расстояние ежду первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью, Введение допол и- тельной инжекторной области позволяет управлять коллектарным током в зависимости от направления магнитного поля, что позволяет детектиравать очень слабые магнитные поля, 1 ил, 1702458Поставленная цель достигается тем, что в биполярном латеральном магнитотранзисторе, содержащем полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформирОВэны последовательно на расстоянии друг от друга. первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжекторная область Второго типа проводимости, коллекторная область Второго типа провоДимОсти и Вторая контактнаЯ базоВВЯ Область первого типа прОВОдимости, В приповерхностной Области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второ О типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.На чертеже приведен биполярный латеральный магни готранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединения.Биполярный латеральный магнитотранзистор состоит иэ полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно расположенные на расстоянии один О 1 другого первая контактная базовая область 2 первого типа проводимости, инжекторная область 3 Второго типа проводимости, коллекторная область 4 второго типа провоцимости и вторая контактная базовая область 5 первого типа проводимости, С другой стороны первой контактной базовой области 2 располокена дополнительная инжекторная область б второго типа проводимости, Инжекторные области 3 и б соединены между СОбОЙ и пОДключены В прямом напраВлении по отношению к Второл контактной базовой области 5 с источником питания 01. Первая контактная базовая область 2 подключена к тому же источнику питания 01 и по отношению к Второй контактной базовой области той же полярности, Коллекторный р-и-переход, образованный областями 4 и 1, подключен в обратном направлении по отношению к второй контактной базовой области 5 и второму источнику и Остов нного нап ряжения О 2, в его цег:ь подсоединено сопООтивление нагрузки Рн. Внешнее постоянное 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 или переменное магнитное поле В 7 расположено перпендикулярно со стороны магнитотранзистора, Выходной сигнал снимается между коллекторной областью 4 и второй контактной базовой областью 5,Устройство работает следующим образом,Посредством напряжения питания 01 и регулируемых сопротивлений К 1 и Я 2 выбирают режим действия прибора, при котором обе инжекторные области 3 и 6 инжектируют одновременно неосновные носители в пластине 1, при этом инжекторная область 3 работает в режиме отрицательного сопротивления. Коллекторный ток магнитотранзистора определяется током неосновных носителей. инжектированных в пластину 1 инжекторной областью 3. Магнитное поле В воздействует на инкектированные неосновные носители инжекторных областей 3 и б, и в зависимости от направления коллекторный ток повышается или понижается.Введение дополнительной инжекторной области позволяет повысить магниточувствительность и возможность детектирования очень слабых магнитных полей при одновременном повышении каллекторного тока на два-три порядка, что способствует повышению помехозащищенности. Формула изобретения Биполярный латеральный магнитотранзистор, ьключающий полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на расстоянии одна от другой первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжек:орная область второго типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая Область первого типа проводимости, о т л ич а о щ и й с я тем, что, с целью повышения магниточувствительности, в приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второго типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью,1702458 оставитель В.Тихонехред М,Моргентал Реда кт оектор Н,Ревск олинска зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарин акаэ 4548 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5