Способ формирования знаков совмещения на полупроводниковой подложке

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАДИСТИЧЕСНИИРЕСПУБЛИИ Прецигицеских О Злект, И 11 г.1 пона Фи осле об ложка ложка азана по2-по аботки в стно акт на Фи;-. е травле На Ф маской маской слоем 3 растворе со оного веподлож ия углублеове щелоци кой пос ества ка сния 4 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТГ 1 РИ ГКНТ СССР(56) Патент СИА Р ч 2683 ч 7кл. В М С 1/22, 1983,Гузь Н,В., Журавлев В.зионное совмещение технолслоев по рельефным знакамронная промышленность,(54) СПОСОБ ФОРИИРОВД 1 ИЯ ЗНАКОВ СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ 7) Изобретение относится к технолоИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для совмещения технологическихрисунков в проекционной Фотолитогра, Фии при изготовлении интегральныхсхем,Цель изобретения - повышение контрастности знаков совмещения путемобработки подложки в водном растворещелочи с добавлением поверхностноактивного вещества перед плаэмохимическим травлением углублений в подложке, которые используются в качестве знаков совмещения, Это позволяет получить рельефную поверхностьуглубления, которая имеет хоровую,рассеивающую способность по отношению к свету,ЫЛ 3552830 А 1 1, 21312, С 03 1 9/ гии изготовления интегральных схем.Цель изобретения - повышение конт:растности знаков совмещения. На поверхи:-сти подложки создают маску.Проводят обработку подложки в водномрас дворе, содержащем О, 01-3,00 мас.ьповерхностно активного вещества и0,001-0,100 мас,3 щелоци, Выполняютплазмохимицеское травление подложкив плазме галогенсодержащего газа,Каталитицеское воздействие на процесс травления атомов щелочных метал"лов позволяет получить поверхностьуглублений с раэвитыл рельеФом. Этоспособствует поглощению света, падающего на знаки совмещения, и повышает их контрастность. 3 ил. П р и м е р. Кремниевые подложки ,1 (см,. Фиг. 1) диаметром 100 мм ориентацией (100) и (111) оисляются до толщины окисла 500 А или 1000 А. На часть пластин наносится слой нитрида кремния толщиной 1500 А. Насу 2 для травления знаков совмещения получают методом проекционной Фотолитографии, Размер ячейки знака совмещения Зк 3 или 5 х 5 мкм. Обработку пластин водным раствором, содержащим 0,014)авитель В.Руед Идидыке иа е ю ю е ю а Со Те едактор Т.Иагова аа а Заказ 4333 ВНИИПИ Госу Тираж 461комитета поМосква Ж"3 Подписноезобретениям и открытияРаушская набе д 4/5 ГКНТ СС ственног 113035 ент инаткии оизводст венно-из 3,00 мас.3 поверхностно-актйвного вещества и 0,001-0,1 мас.1 щелочи, про, водят на автомате гидромеханицеской отмывки 04 ЧЩ"125-005, Режимы обра" ботки; нанесение в течение 15+3 с и 1:и скорости вращения 1000+200 об/мин сушка в течение 20+3 с при скорости вращения 3500+200 об/мин, щетки не используются. В качестве поверхност О но-активного вещества применяются; сйациватель СВП, синтенол ЛСоксифос. В качестве щелочи используют КОН и МаОН. Плазмохимицеское травление проводят на установках 08. ПХОООТ(смесь СР + 103 0 давление 40 Па, напряжение анода 15 кВ ток 0,5 А). В результате каталитицеского воздействия на процесс травления атомов щелочных металлов, находящихся в слое 3 (см. фиг, 2) поверхностно-активного вещества и щелочи, который образуется на поверхности подложки в результате обработки в растворе, скорость травленияувелицивается. Поверхность углублений 4 (см, Фиг. 3) имеет развитыйрельеФ. Глубина травления 2-2,5 мкм.При этом контрастность знаков 0,8 О 9Ф о р.м у л а и э о б р е т е н и я Способ формирования знаков совме" щения на полупроводниковой подложке, включающий создание маски на поверх" ности подложки и плазмохимицескоЕ травление подложки в плазме,галоген" содержащего газа, о т л и ц,а ю .- щ и й с я тем, что, с целью повыше"ния контрастности знаков совмещейия перед плазмохимицеским травлением проводят обработку подложки в воднойрастворе, содержащем 0,01-3,00 мас,ь поверхностно активного вещества и, 0,001-0,100 мас.Ъ щелочи. б,цоКорректор И.Иуска, еееа а а а ю а ю ееагжгород, ул.Гагарина1