Патенты с меткой «микроэлектронных»

Номер патента: 168519

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Савченко, Сидоренко

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: диодных, матричных, микроэлектронных, полосовых, структур

...в 10%-ном при плотности тока 1 = 0,2 - пор, пока р-гг-столбики гермаишь на перекрестиях, где имеаемый спо что слой снимают холостые алениПредлагных тем,германияровкой, ают полным уднии,Это позволяет уптовления диодных мизолирующие свойсшин матриц.Сущность способа соб отлича исходнойэлектрохимперекрестием германг ется от известг-р-п-пластины ической полия шин получая при травлеостить технологию изгоатриц (полос) и повысить ва холостых перекрестий О Таким образом, получается ная диодная матрица, предста две взаимно перпендикулярны раллельных шин, в утолщения положены диоды. икроэлектронляющая собойсистемы пакоторых расзаключается в следующем.Исходный матер подвергают двусто в атмосфере водор слоев полученной электрохимической кой...

Номер патента: 273342

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Жул, Пелипейко, Плокс, Подв

МПК: G01R 31/28, G01R 31/3177

Метки: логических, микроэлектронных, схем

...селектора 11. На выходах проверяемой логической схемы сигналы реакции появляются с запаздыванием, зависящим от времени их задержки в цепях, которые подвергаются диагностической проверке в данном тесте.Через временной селектор 11 в амплитудный селектор 8 могут пройти лишь те сигналы реакции на входной тест, которые появились на выходах проверяемой логической схемыраньше, чем во временной селектор 11 из управляемой линии 9 задержки поступит сигнал запрета. Сигналы, прошедшие через временной селектор, подвергаются амплитудному контролю в амплитудном селекторе 8. В запоминающий регистр 12, таким образом, проходят только те сигналы, которые удовлетворяют как временным, так и амплитудным требованиям, заложенным в программу испытаний....

Номер патента: 646280

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Поддубный, Ящук

МПК: G01R 31/3177

Метки: логических, микроэлектронных, схем

...входных сигналов 6 ошибочноподключен не вход схемы 17,я поэтомублок контроля коммутаторов входов 16запрещает формирование сигнапов "навы-ходах блока формирователей входных сиг-налов 6; а на блоке индикации 13 индицируются номера выводов микроэлектронных логических схем, напряженйена которых не соотвеФсчвует- входномунапряжению интегральных микросхем.Если напряженйе на выводах схемы17 соответатвует напряжений," нормальному для взводов схемы 17 блок контроля коммутаторов входов 16 разрешаетпоступление сигналов с выходов блокаформирователей входных сигналов 6 навходы йроверяемой" схемы 17.Таким образом, блок контроля-комму.таторов входов 16 предотвращает короткое замыкание выходов блока формирователей входных сигналов 6 на...

Номер патента: 809185

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Кулаков, Лось, Рябцев, Ткаченко

МПК: G06F 11/26

Метки: микроэлектронных, узлов, функциональногоконтроля

...10 индикации, элемент И 11,формирователь 12 сигнала отключения питания объекта контроля.Устройство работает следующим образом.Программа проверки с пульта 1 заносится в память блока 2. Проверяемая микросхема устанавливается в контактирующее устройство, расположенное на платеблока 7. По командам, поступающим изблока 2, блок 5 выбирает необходимые ячейки памяти контролируемой БИС, а блок 6заносит контрольную информацию в регистр передачи информации, которая подается через блок согласования в проверяемую микросхему.В устройстве остановка контроля происходит только при обнаружении ошибоксравнения во всех одновременно проверяемых микросхемах, что не требует повторения контрольных тестов для восстановленияинформации, потерянной при замене...

Номер патента: 851414

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Клоков, Колпаков, Милькевич, Сычев, Шевелев

МПК: G06F 17/16

Метки: матричныхиспытаний, микроэлектронных, проведения

...логический блок с числом пар состояний, соответствующих числу параметров исследуемой схемы. Каждая пара состояний характеризует нижнюю и верхнюю границу допустимых значений одного параметра. Компоненты первого начального случайного вектора, поступающие на его входы, опрокидывают обе его границы в положение, в цифровом эквиваленте соответствующее пришедшему номинальному значению каждого параметра исследуемой схем. Компоненты второго случайного вектора опрокидывают одну из каждой пары его границ, причем левую (нижнюю) или правую (верхнюю) в зависимости от того, меньше или больше соответствующая компонента второго начального случайного. вектора соответствующей компоненты первого начального случайного вектора, Компоненты каждого...

Номер патента: 868778

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Колпаков, Семенов, Сычев, Шевелев

МПК: G06F 17/16

Метки: испытаний, матричных, микроэлектронных, проведения, схем

...оптимальное двумерное сечение допусковой области. Параллельно с работой вычислительного блока 13 продолжается случайный перебор квантов первого и третьего внутренних параметров схемы, первого и четвертого и т.д. Таким образом, получают серию оптимальных двумерных сечений допусковой области относительно первого параметра. Первый вычислительный блок 13 проводит совместную обработку всей серии сечений, определяя максимально допустимый диапазон изменения первого параметра и его оптимальное для этой серии сечений номинальное значе"ние. При получении сечения области работоспособности первого и последнего параметров первый вычислительный блок 13 останавливает работу устройства домомента выдачи оптимального номинального значения первого...

Номер патента: 942046

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Колпаков, Милькевич, Сычев, Шевелев

МПК: G06F 17/00

Метки: вычисления, микроэлектронных, оптимальных, параметров, схем

...впроцессе проектирования пленочноймикросхемы, которое обычно включает45в себя и изготовление опытной партииэтих схем. Составление плана и реализация такого эксперимента в данномслучае предполагает, что варьируемыми параметрами, т.е, принудительно5 Оизменяемыми в процессе реализацииопытной партии микросхемы, являютсяне только параметры компонентов, нои параметры оптимизируемых технологических операцийДопустим, чтопараметром качества микросхемы служит 55один иэ ее выходных параметров, аоптимизируемой технологической операцией является операция, наиболее важня с точки зрения ее влияния на разброс параметров компонентов, Например, в случае пленочной технологиитакой операцией является напыление наподложку разистивного слоя....

Номер патента: 273865

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Воителев, Зибров

МПК: H05K 3/46

Метки: микроэлектронных, многослойная, печатная, плата, приборов

...(например, на фольгированномдиэлектрике - химическим или комбинированным способами; на нефольгированном - электрохимическим и т. д,), В качестве гибкой диэлектрической основы используются 20 пленко- и волокнообразующие полимеры.Например, гетероцепного ряда - поликапрол актам (капрон), пол иэтилентерефталат (лавсан), карбоцепного ряда - полиэтилен.Совмещение гибкого слоя с другими слоями 25 многослойной печатной платы, сборка пакета для прессования производится с использованием того же оборудования, приспособлений и с применением тех же приемов, что и совмещение других слоев мно- ЗО гослойной печатной платы, выполненных273865 Редактор О. филиппова Корректор Н. федорова Техред И. Пенчко Заказ 1022/3 Изд. 1 е 185 Тираж 883...

Номер патента: 1374004

Опубликовано: 15.02.1988

Авторы: Верба, Винокур, Кирпач, Халатов, Чубаров

МПК: F25B 21/02, G01R 31/00

Метки: испытаний, микроэлектронных, приборов, термокамера

...исходной температуре,и утоплены в специальное углубление.55Между верхней 3 и нижней 4 плитами,а также между последней и корпусомприборов 9 существует тепловойконтакт, Наличие в зазоре 5 теплопроводной жидкости, заполняющей неплотности при замыкании зазора,улучшает тепловой контакт междуплитами 3 и 4,При низкотемпературных режимахиспытаний при включении питания натермоэлектрический холодильник 6происходит интенсивный перенос теплоты от, испытываемых ппиборов 9 ктеплопоглощающим спаям холодильника6, Тепловыделяющие спаи последнегоохлаждаются посредством охладителя11 путем прокачки через него водыили фреона. Охладитель 11 может представлять собой испаритель холодильного компрессионного агрегата иливодяной теплообменник. Между...

Номер патента: 1398004

Опубликовано: 23.05.1988

Автор: Байле

МПК: H01T 4/10

Метки: гальванически, защиты, коммутационных, микроэлектронных, перенапряжений, развязанных, схем

...Редактор В.Петраш Заказ 2604/52 Т.ираж 632 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по,целам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано винформационно-управляемых и вычисли -тельных системах для защиты гальвани 5чески развязанных схем, передающихсИгналы напряжений и така, от коммутационных перенапряжений.Цель изобретения - повышение надежности работы. 10На чертеже изображено предлагаемое устройство,Устройство содержит разрядные электроды 1 из резистивных полосок, искровой промежуток 2, концы 3 резистивных полосок, развязанные элементы 4.Сущность изобретения заключаетсяв...

Номер патента: 1540050

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Бансявичюс, Бисигирскис, Рагульскис

МПК: F04B 35/04, H05K 7/20

Метки: микроэлектронных, охлаждения, узлов

...его плоскости направлении, что гасит колебания одного конца резонатора 3 и увеличивает амплитуду колебаний другого. Таким образом н сумме обеих форм движения с наибольшей амплитудой колеблется только один конец резонатора 3, а другой - незначительно, и воздушный поток создается только в одном направлении, Изменив переключателем 8 фазу электрических колебаний, подаваемых на среднюю Р часть вибровозбудителя, на величину 11, изменяется фаза колебаний средней части вибровозбудителя 2 ввиду чего гасятся колебания другого конца резонатора 3 и увеличивается амплитуда движений первого. Воздушный поток направляется в противоположном напргвлении.Для достиженяя поставленной цели резонатор 3 крепится Т-образно на вибровозбудителе 2...

Номер патента: 1614148

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Бансявичюс, Бисигирскис, Рагульскис

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: микроэлектронных, охлаждения, узлов

...би 35Морфного пьезокерамического вибро.возбудителя 1,Устройство для охлаждения микроэлектронных узлов работает следующимобразом.40Подача переменного напряжения наэлектроды 4 и 5 пьезокерамическихпластинок 2 вызывает колебательныедвижения частей электродов 4 и 5 в 45противоположных фазах. Фазы колебаний частей электродов 4 также, каки частей электродов 5 обоих пьезокерамических пластинок 2 совпадают,так как обо указанные пластинки 250поляризованы по толщине в одном на-правлении, Это приводит к изгибу пла-;стины 3 из металла основания биморфного пьезокерамического вибровозбудителя 1, Формы которого в противопо 55ложных фазах показаны на эпюрах(Фиг,2 а,б). Передняя часть пластины3 из металла на эпюрах показана прямой линией, так как...

Номер патента: 1677460

Опубликовано: 15.09.1991

Автор: Кирпач

МПК: F25B 21/02

Метки: испытаний, микроэлектронных, приборов, термокамера

...пружинами 19 прижимают приборы 16 к теплопроводам 14, 15 через нагреватели 5 и 6, обеспечивая их тепловой контакт. От источ. ника 24 подают напряжение через переключатель 23 полярности и регулятор 21 мощности непосредственно на термоэлектрический охладитель 7 и через регулятор 25 мощности и диод 27 - на нагреватель 5. При этом полярность включения диода 27 и термоэлектрического охладителя 7 согласуют с полярностью 24 с помощью переключателя 23 таким образом, что охладитель 7 работает в режиме нагрева теплопровода 14 и охлаждения участка плиты 9, соприкасающегося с его холодными спая 5 10 15 20 ми, а нагреватель 5, питаемый электроэнергией через диод 27, дополнительно нагревает теплопровод 14, доводя его температуру до заданного условиями...