Патенты с меткой «теплоотвода»

Номер патента: 354672

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Федеративна, Ханс

МПК: F16L 59/06

Метки: внутренней, изоляцией, теплоотвода, трубах

...предлагаемого устройства.Коллектор 1 для щелевых труб 2 снабжен внутренней изоляцией 3, Снаружи коллектор окружен защитным кожухом-экраном 4. Пространство между стенкой коллектора 1 и защитным кожухом-экраном 4 разделено уплотнительными ленточками б, фиксируемыми штифтами б, на камеры 7,Для снижения температуры с помощью естественной или искусственной тяги в отводящем трубопроводе 8 через кольцевые зазоры 9 в патрубках 10 коллектора окружающий воздух всасывается из пространства, обтекает стенку коллектора 1, охлаждает ее и через перекрываемые отводы П поступает в отводящий трубопровод 8, Так как пространство между стенкой коллектора 1 и зашитным кожухом-экраном разделено на камеры 7, каждая из которых имеет собственный,перекры ваемый...

Номер патента: 568342

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Вальтер, Вернер, Иозеф, Маркус, Петер

МПК: B22D 11/16

Метки: кристаллизаторах, металлов, непрерывной, пластинчатых, разливке, стенок, теплоотвода, узких

...значение с задан. ным, соответствующим фактической температуре разливаемого металла н скорости вытягивания слитка, и при рассогласовании заданного и измеренного количества тепла автоматически изменяют утол между узкими стенками кристаллизатора.На чертеже приведена блок - схема одного устройства для реализации способа регулирования теплоотвода от узких стенок кристаллизатора.Схема включает следующие обозначения: пластинчатый кристаллизатор 1, соответственно широкие и узкие стенки 2,3 кристаллизатора, трубы 4 для подвода охладителя к узким стенкам кристаллизатора, измерительныеблоки 5 для определения отводимого количества тепла, блок 6 сравнения, заданное количество тепла 7, отводимо. го от кристаллнэатора, вычислительный блок 8,...

Номер патента: 261660

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Евтеев, Кон, Манохин, Поляков, Соколов

МПК: B22D 11/124

Метки: кристаллизующегося, непрерывного, слитка, теплоотвода

...Наличие указанных секций позволяет уменьшить теплоотвод от поверхности кристаллнзующегося слитка и регулнровать процесс охлаждения слитка в пределах,0 исключающих появление трещин и осевой пэристости. ста я регулированияующегося слитка,ионных по высотеохватывающихЭкраны контамият от него на невиде секц экранов,ериметру.или отсто ое устройствэкран выполохлажденикнии акранитка в местах отличается те ен с алектроп слитка некр расположень аибольшего те зоб мул иия тво для регу еспечивает устранение межкристал щин и рассредоточение осевой слитка. да от кристаллиаующегслитка, представляквцееэкран, охватывающий слотличающееслью устранения межкрии рассредоточения осевэкран выполнен с алектррасположением секций ив местах наибольшего те тически...

Номер патента: 671918

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Гусенков, Евтеев, Соколов, Тарасенко

МПК: B22D 11/124

Метки: кристаллизующегося, непрерывного, слитка, теплоотвода

...слитка с сечением 0,082 х 0,082 м, температура в зоне вторичного охлаждения должна быть не ниже 1150 С. Теоре-. тическое исследование этого вопроса, проведенное по указаннойвыде метоке показало, что для того, чтобы в зоне вторичного охлаждения под918Устройство работает следующим образом.При входе слитка в экран последний начинает разогреваться. По истечении б мин наступает стационарныйрежим теплоотвода,Предлагаемое устройство просто вэксплУатации, имеет малую инерционность, т.е. становится работоспособным почти одновременно с началом разливки стбли, ненуждается в дополнительных источниках энергии для своейработы, т.е. экойомично И удобно вэксплуатаций .Применение устройства устранитмежкристаллические трещины, снизитосевую пористость...

Номер патента: 855793

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Ноздрина, Паскаль, Потапенко, Преснов, Ротнер

МПК: H01L 23/34

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвода

...О.СтручеваРедактор Л.Копецкая Техред А. Ач Корректор Л, Иван Заказ 6943/76 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, ЖРаушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 эой конус от сверла в медном основании убирается, т.е, образуется цилиицрическое углубление диаметром 1,5 мм и глубиной 1,5 мм. В него помещается навеска серебра, подобранная экспериментально по весуМедное основание с навеской помещается в вакуумную камеру. В вакууме не ниже 10 Торр навеска серебра вплавляется в отверстие медного основанияКристалл алмаза с наибольшим геометрическим размером не более 1,5 мм подвергается химической очистке и металлиэации со всех сторон катодным...

Номер патента: 1088870

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Болдырев, Пугачев, Стофато, Тутов, Ханин, Хорохорина

МПК: B22D 11/124

Метки: кристаллизующегося, непрерывного, слитка, теплоотвода

...в основномизлучением, и интенсивность теплоотвода меньше, чем в кристаллнзаторе. В результате происходит разогрев поверхностных слоев слитка засчет еще незатвердевшей с"рдцевины.Так,например, температура поверхности середины граней чугунного слитка квадратного или прямоугольногосечения повышается до 1050 С. Поэтому прн непрерывном литье чугунав случае образования отбела в поверхностных слоях слитка вследствие интенсивного охлаждения его в кристаплизаторе, наблюдается явление самообжига чугана, т.е, самопроизвольный распад цемента при температуреовыше 900 С под действием внутреннеготепла слитка, Однако температурана ребрах слитка квадратного илипрямоугольного сечения вследствие тороцевого эффекта как правило ниже 900 Сили очень быстро...

Номер патента: 1626267

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Коркунова, Мамыкин, Павленко, Пельтек, Яременко

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводникового, прибора, прокладка, теплоотвода, электроизоляции

...высокую теплопроводность из-за повышенного экранирующего воздействия низкотеплопроводной упругой составляющей,П р и м е р, Порошок нитрида алюминия с диаметром частиц 60 - 80 мкм помещают в планетарную мельницу и размалывают в течение 2 ч. В результате получают высокодисПерсный порошок с удельной поверхностью1626267 Составитель Е,ПановРедактор Н,Лазаренко Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец Заказ 280 Тираж 361 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 5-8 м /г и размором частиц 0,2 - 0,3 мкм. Полученный порошок перед использованием просушивают в сушильном шкафу при...

Номер патента: 1729648

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конончук, Лысак, Медко, Тихончук

МПК: B21C 37/06

Метки: сварке, теплоотвода

...балки 1 прижимают к свариваемой обечайке гибкой металлической диафрагмой 2, являющейся рабочим элементом прижима. Наличие по меньшей мере еще одной гибкой диафрагмы 3, смежной с диафрагмой 2, обеспечивает возможногть свободного изменения формы поперечного сечения балки 1, в результате чего гибкая металлическая диафрагма 2 облегает поверхность свариваемои обечаики 4, приобретая ту же кривизну. В канал полых балок 1 подается под давлением охлаждающая среда ( например, вода), под действием которой гибкая диафрагма 2 более плотно поджимается к свари- . ваемой обечайке 4, повторяя ее поверхность и обеспечивая интенсивный теплоотвод из зон, прилегающих к сварном шву. При сварке продольных швов обечаек ругой кривизны (например, обечаек...

Номер патента: 1729649

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конончук, Лысак, Медко, Тихончук

МПК: B21C 37/06

Метки: сварке, теплоотвода

...обечайке гибкой металлической диафрагмой 2, являющейся рабочим элементом. прижима, Наличие по меньшей мерВ одного шарнирно соединения 3 элементов 4 и 5 не являющих- О ся рабочими и выполненных жесткими, Дь обеспечивает возможность свободного из- ЧО менения формы поперечного сечения балки 1, в результате чего гибкая металлическая диафрагма 2 принимает форму, которая определяется кривизной свариваемой обечайки и копирует ее поверхность. При этом определенное положение занимает и элемент 5 балки, шарнирно соединенный с элементом 3 верхнего пояса. В канал полых балок 1 подается под давлением охлаждающая жидкость (например, вода), под действием которой гибкая диафрагма 2 более3 1729649 10 Формула изобретения Составитель В.В ехред...

Номер патента: 1819066

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Арутюнян, Бородулина, Новиков, Тюлягин

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, напайки, никелированную, поверхность, полупроводниковых, приборов, теплоотвода

...10 с при скорости разогрева 500 С/мин и составляет 100 С, В результате максимальная температура поверхности теплоотвода составляет не более 500 С, что не приводит к нарушению поверхности алюминиевых контактов кристалла,При большой скорости разогрева припоя до высокой температуры 500 С гораздо выше температуры плавления припоя 230 ОС), происходит быстрое расплавление припоя и формирование шарика за счет сил Формула изобретенияСПОСОБ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА НИКЕЛИРОВАННУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ТЕПЛООТВОДА, включающий помещение в герметичную камеру теплоотвода, . трафарета, кристалла и навески припоя, откачку камеры, нагрев сборки, прекращение откачки и введение в камеру нейтрального газа, содержащего азот 5 10 15 20 25 30...

Номер патента: 1233735

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Клебанов, Кожевников, Малеев, Филин, Шаров

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвода

Способ получения теплоотвода для полупроводниковых приборов, включающий введение между тепловыделяющей и теплоотводящей поверхностями легкодеформируемой теплопроводящей прослойки, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости теплоотвода и повышения коррозионной стойкости контактирующих микронеровностями поверхностей при обеспечении высокой эффективности теплопередачи, теплоотводящую поверхность изготавливают из алюминиевых сплавов и подвергают ее анодному оксидированию до получения разрыхленного слоя толщиной 15 - 20 мкм.