Баргий

Номер патента: 1552940

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Баргий, Дзян, Мацкевич

МПК: G03F 9/00, H01L 21/312

Метки: знаков, подложке, полупроводниковой, совмещения, формирования

...позволяет получить поверхностьуглублений с раэвитыл рельеФом. Этоспособствует поглощению света, падающего на знаки совмещения, и повышает их контрастность. 3 ил. П р и м е р. Кремниевые подложки ,1 (см,. Фиг. 1) диаметром 100 мм ориентацией (100) и (111) оисляются до толщины окисла 500 А или 1000 А. На часть пластин наносится слой нитрида кремния толщиной 1500 А. Насу 2 для травления знаков совмещения получают методом проекционной Фотолитографии, Размер ячейки знака совмещения Зк 3 или 5 х 5 мкм. Обработку пластин водным раствором, содержащим 0,014)авитель В.Руед Идидыке иа е ю ю е ю а Со Те едактор Т.Иагова аа а Заказ 4333 ВНИИПИ Госу Тираж 461комитета поМосква Ж"3 Подписноезобретениям и открытияРаушская набе д 4/5 ГКНТ СС...