Способ жидкостного травления полупроводниковых пластин

СОЮЗ СОВЕТСНИХСО 1.1 ИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 1) 5 Н 01 1, 21/30 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ Н АВТ Бюл. 11 4(212 ов, А.А.Деекий88.8)Введение в хВысшая шк мию пола, 1974 свидетельство СССР С 30 В ЗЗ/00, 1985(54) СПОСОБ КЩКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН(57) Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именнопланарной (групповой) технологииизготовления интегральных схем наподложках - полупроводниковых пласнах и может быть использовано дляумейьшения толщнн полупровбдпластин путем травления их не никовых рабочих Веем(56) Угай Я.А.проводников. Мс. 98,Авторское11 1168636, кл МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ сторон. Цель - повышение процентавыхода годных кристаллов ннтеграпьных схем за счет исключения подтравливання рабочих сторон пластин. Вданном способе полупроводниковыепластины совмещают попарно рабочими поверхностями, на которых сформированы интегральные схемы. Зазорлмежду пластинами заполняют деиониэованной водой и охлаждают пластины дотемпературыэамерэания воды. Обработку пластин производят в жидком травителе, температура которого ниже 0 С.Наличие слоя льда между совмещенныфми попарно пластинами препятствуетпроникновению в зазоры жидкого травителя в процессе обработки, в резуль- Фтате чего исключается подтравпиваниерабочих сторон пластин, увеличивается процент выхода годных кристаллов (интегральных схем.. 1436775 лажденный до - 10 С. Во время травления осуществляется экзотермическая реакция с выделением тепла. Во избежание. таяния слоя льда, образованного между каждой парой полупроводниковых пластин, температуру жидкого травителя поддерживают не выше - 5 С.Травление осуществляют в течение 30 мин, в результате чего с одной требующей травления обратной стороныкаждой полупроводниковой пластины удален слой .толщиной 0,2 мм,После травления полупроводниковые пластины окунают в деионизованную воду на 5 мин и просушивают. Для оценки качества травления производят контроль кристаллов, сформированных на планарной стороне полупроводниковых пластин, по внешнему .виду с помо- щью микроскопа, Выход годньм кристаллов составил,1007 Формула изобретения. Способ жидкостного травления попу проводниковьм пластин с нерабочей стороны, включающий заполнение деионизованной водой зазоров между полупроведниковыии пластинами, совмещенными попарно своими рабочими стоИзобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно кцлацарцой (групповой) технологии иэготовлеция интегральных схем на под 5ложках - полупроводниковых пластинахи может быть использовано дляуменьшения толщин полупроводниковьмР,.пластин путем травления их нерабочих сторон. 10Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключенияпод;равливация рабочих сторон плас- итиц. 15В предлагаемом способе полупроводниковые пластинысовмещают попарнорабочими поверхностями, на которьксформированы интегральные схемы,После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованнойводы, Благодаря наличию слоя льдамежду совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа".нию температуры жидкого травителяниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, аэкэотермическая реакция, возникающаяпосле окунания полупроводниковыхпластин в жидкий травитель, не при-.водит к таянию слоя льда В результате этого жидкий травитель не воздей- ..ствует на рабочие стороны полупровод.. 35никовых пластин со сформированными.интегральными схемами, а следовательно.исключается растравливание крис 3таллов, за счет чего увеличиваетсяпроцент выхода годных кристаллов интегральных схем.1 П р и м е р. По предлагаемому способу изготавливают кристаллы интегральной схемы серии 580. Подложками служат полупроводниковые кремниевые пластины длиной 100 мм, толщиной 0,5 мм в количестве 50 шт.Для разделения полупроводниковьмпластин на кристаллы резкой алмазнымдиском и удобства монтажа кристалловв корпус необходимо стравить слойкремния с обратных сторон полупроводниковых пластин толщиной 0,2 мм.50 шт. полупроводниковых пластинсо сформированными на рабочей сторо-, 55не кристаллами складывают попарно,совмещая при этом в каждой паре полупроводниковые пластины рабочими сто-,чроцами. Каждую пару полупроводниковых пластин устанавливают в гнезда кассеты, предназначенной для обработки пластин, Кассету с 25 парами полупроводниковых пластин кратковременно погружают в деионизованную воду, врезультате чего в зазор между полупроводниковыми пластинами каждой пары проникает деиоризованная вода.После этого кассету с полупроводникоными пластинами подвергают обдувутеплым воздухом в течение 1 мин до.спарения деиониэованной воды с открытых поверхностей полупроводниковых пластин и кассеты, при этом деиониэованная вода, находящаяся между полупроводниковыми пластинами, сохраняется там и после обдува. Затем кассету с полупроводниковыми пластинами устанавливают в морозильнуюо камеру при температуре камеры - 10 С, В течение 3 мин деионизованная вода, находящаяся между полупроводниковыми пластинами, превращается в лед,После этого кассету с полупроводниковыми пластинами окунают в жидкий травитель, составленный наоснове азотной и плавиковой кислот и охСоставитель Т.КолмаковаТехред М.Моргентал Редактор Е.Хорина3 Корректор М.Демчик Заказ 4327 1: Тираж 461 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий Подписное 113035, Москва, Ж 35, Рауаская наб.д. 4/5Производственно-лолиграфйческое предприятиег; Ужгород, ул. Проектная, 4 з 14367 ронами,. на которых сформированы интегральные схемы, обработку пластин жидким травителем, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения подтравливания рабочих сторон,754полупроводниковые пластины после заполнения зазоров деиониэованной водой охлаждают до ее замерзания, а обработку проводят в жидком травителе, поддерживая температуру ниже 0 ОС.