Интегральная схема
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1083858
Авторы: Гончаров, Григорьева, Кабузак, Томашпольский, Фролов, Чижик
Текст
(19) Н 01 1, 23 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ий, С.П. Чижик, ров, Л.К.Гри 218154 9 2268358,5. 7 ОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54) (57) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводниковый кристалл,соединенный с кристаллодержателемвыводной рамки, выполненной иэ металлической ленты, плакированной полосойалюминия, о т л и ч а ю щ а я с ятем, что, с -целью повьппения техноло"гической и эксплуатационной надежности, в кристаллодержателе выполненоокно для раэмещения полупроводникового кристалла, основание которого соединено с основанием кристаллодержателя.1083858 ВНИИПИ Заказ 3395 Тираж 74 б Подписное произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к областиэлектронной техники и может быть использовано в микроэлектронике припроизводстве интегральных схем и по 5лупроводниковых приборов.Известна интегральная схема, содержащая полупроводниковый кристалл,закрепленный на кристаллодержателевыводной рамки, выполненной иэ металлической ленты, плакированной золотом.Золото позволяет осуществить надежный низкоомный контакт полупроводникового кристалла с кристаллодержателем.Недостатком данной конструкции является необходимость использованиядрагоценного металла золота,Известна также конструкция интегральной .схемы, содержащая полупроводниковый кристалл, закрепленныйна кристаллодержателе выводной рамки, выполненной из металлической ленты, плакированной полосой алюминия, 25в которой выполнено углубление.Полупроводниковый кристалл в данной конструкции электрически соединен коммутационными.проводниками свнутренними концами выводной рамки, 30контактная поверхность которых покрыта алюминием.Покрытие алюминием обеспечиваетвысокую надежность контакта коммута- .ционного проводника с внутреннимконцом выводной рамки. Однако следуетотметить, что, т.к. монтажная область кристаллодержателя также покрыта алюминием, возникают затрудненияв обеспечении надежного низкоомного 40контакта с полупроводниковым кристаллом.Это объясняется тем, что пайкак алюминию обычно осуществляется специальными припоями с использованием45агрессивных флюсов. Применение жеультразвуковых методов пайки вызывает значительные механические воздействия. на полупроводниковый кристалл,что приводит к его разрушению. Кроме того, соединения кристалла с алю-.минием не обеспечивают надежный низкоомный контакт.Целью изобретения является повышение технологической и эксплуатационной надежности интегральной схемыеУкаэанная цель достигается тем,что в интегральной схеме, содержащейполупроводниковый кристалл, соединенный с кристаллодержателем выводнойрамки выполненной иэ металлическойленты, плакированной полосой алюминия, в кристаллодержателе выполненоокно для размещения полупроводникового кристалла, основание которогосоединено с основанием кристаллодержателя,На чертеже изображен общий видинтегральной схемы, Интегральная схема имеет полупроводниковый кристалл1, размещенный внутри окна, выполненного в кристаллодержателе 2 выводной рамки 3, изготовленной из металлической ленты,плакированной алюминием, благодаря чему контактныеплощадки внутренних концов выводнойрамки 3 и кристаллодержатель 2 покрыты слоем 4 алюминия,Полупроводниковый кристалл 1электрически соединен коммутационными проводниками 5 с контактнымиплощадками внутренних концов выводной рамки 3. Полупроводниковый кристалл 1 соединен при помощи армированного припоя 6 с основанием кристаллодержателя 2, которое не покрыто алюминием, вследствие чего достигается надежный низкоомный контакти упрощается технология сборки интегральной схемы. Полупроводниковыйкристалл 1 в сборе с выводной рамкой3 заключен в пластмассовый корпус 7.Использование данного изобретенияпозволит повысить надежность схемыи снизить себестоимость ее Изготов-,ления.
СмотретьЗаявка
2621840, 25.05.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5737, МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. К. Э. ЦИОЛКОВСКОГО
ТОМАШПОЛЬСКИЙ Л. В, ЧИЖИК С. П, ФРОЛОВ В. Д, ГОНЧАРОВ В. И, ГРИГОРЬЕВА Л. К, КАБУЗАК Н. В
МПК / Метки
МПК: H01L 23/12
Метки: интегральная, схема
Опубликовано: 15.06.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1083858-integralnaya-skhema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Интегральная схема</a>
Способ утонения пластин с кристаллами полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 1787295
Опубликовано: 07.01.1993
Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук
МПК: H01L 21/304
Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения
...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...
Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов
Номер патента: 1102433
Опубликовано: 15.07.1993
Авторы: Глущенко, Дмитриев, Колычев
МПК: H01L 21/48, H01L 21/76
Метки: кристаллов, полупроводниковых, приборов
...подложка с пассивирующей пленкой, нанесенной на рельеФную поверхность; на Фиг,5 - завершенная полупроводниковая транзисторная структура со вскрытыми контактными площадками55На фиг.1-5 изображены полупроводниковая подложка 1, базовая область 2, эмиттерная область 3, за 33 4щитное покрытие 4, контактные площадки металлизации 5, слой Фоторезиста 6, канавки 7 диэлектрической изоляции, подтравленные канавки8 диэлектрической изоляции, пассивирующая пленка 9.П р и м е р. В полупроводниковойподложке кремния 1 толщиной 300 мкм,служащей коллектором, Формируют диФФузией бора из трехбромистого бораВВг базовую область 2 глубиной залегания - 10 мкм и противоположногоподложке р-типа проводимости,ДиФФузию проводят в две стадии:загонка примеси при...
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
Номер патента: 1738039
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых
МПК: H01L 21/60
Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.
Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора
Номер патента: 1533135
Опубликовано: 27.02.1995
Авторы: Брицис, Стасюк, Фридлендер, Шевцов
МПК: B23K 1/20
Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения
СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий нанесение на посадочную поверхность кристалла слоев алюминия и германия, на поверхность кристаллодержателя - слоя алюминя и последующую пайку кристалла к держателю, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности паяного соединения, металлизированную посадочную поверхность кремниевого кристалла покрывают пленкой припоя на основе алюминия и германия, полученной с помощью их одновременного осаждения из паровой фазы.
Устройство для присоединения кристаллов к основаниям полупроводниковых приборов
Номер патента: 1038984
Опубликовано: 30.08.1983
Авторы: Иваш, Лепетило, Мурашко, Черкасов
МПК: H01L 21/50
Метки: кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения
...10 кристаллов расположен под нагревателем 3 механизма 2 подачи основний, поэтому для защиты адгезионного носителя 1 О кристаллов от воздействия температуры нагревателя 3 на тракте механизма 2 подачи оснований между нагоевателем 3 и держателем 9 адгезионного носителя 10 кристаллов закреплен узел30 16 охлаждения адгезионного носителя10 кристаллов, выполненный в виде полого экрана 17 (фиг. 3 ) с прикрепленной к нему коышкой 18 с отверсти" яйи 19 и штуцером 20 для отбора теплого воздуха от адгезионного носителя 1 О (фиг.1 и 2 ) кристаллов 21,Для компенсации возможной температурной и усталостной деформации адгезионного носителя 10 кристаллов держатель 9 адгезионного носителя 40 содержит механизм компенсации деформации адгеэионного носителя...
Предыдущий патент: Способ получения винилхлорида
Следующий патент: Способ вывода заряженных частиц из сильнофокусирующей кольцевой магнитной системы
Случайный патент: Форматор-вулканизатор для покрышек пневматических шин