Остаповский

Номер патента: 740077

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Власов, Остаповский, Портнягин, Ротман

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, структура

...содержит полупроводниковую подложку 1 р-типа с образованными на ней эпитаксиальными слоями 2 и 3 противоположного типа проводимости, В верхнем эпитаксиальном слое 2 выполнены области/р-и-р-транзистора: эмиттер 4, база 5, коллектор 6 (часть коллектора расположена в эпитаксиапьном слое 3).В эпитаксиальной базе транзистора выполнена дополнительная область 7 того же типа проводимости с поверхностной концентрацией донорной примеси М 1 = 6 10 см . Указанная концент 17 -3рация примеси дополнительной области превышает концентрацию примеси в остальной области базы, которая составляет М р = 5 10 см ; Область 8, выполненнаяна границе эпитаксиального слоя 3 и подложки 1 предотвращает смыкание области коллектора с подложкой. Для получения омических...

Номер патента: 297326

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Гаштольд, Кутолин, Остаповский, Степанов, Тепман

МПК: H01G 13/00

Метки: конденсаторов, тонкопленочных

...электродов и ди электрика. Это приводит к перерасходу мате риала и уменьшению пробивного напряже Цель изобретения - зкономия материала, увеличение пробивного напряжения и получение однородной границы металл-диэлектрик,Это достигается тем, что диэлектрическую пленку конденсатора и его электроды получают путем последовательного испарения нитридов переходных металлов при температурах испарения, С:исп= 1300 - 1350поп = 1750 - 2000Изобретение поясняется чертежом, на котором приведен общий вид и разрез узла тонкопленочных емкостных элементов, где: 1 - нижний электрод - нитрид алюминия с металлической гроводпмостью, 2 - диэлектрик - нитрид алюминия с высоким удельным сопротивлением, 3 - верхний электрод - нитрид алюми. ния с металлической...