Способ получения спектра электрон-фононного взаимодействия в металлах

Номер патента: 1326145

Авторы: Камарчук, Хоткевич, Янсон

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 8013 50 4 Н 01 Ь 39/22 ИИ ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯа соиска уннельна пектроскопия прных возбужденийТИНТ АН УССР..26-31. азичастичелах,975,арьк УДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(71) Физико"технический институтнизких температур АН УССР(57) Изобретение относится к материаловедению. Цель изобретения состоитв повьппении точности определенияфункции электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ) методом микроконтактной спектроскопии за счет уменьшенияуровня фона. Экспериментально показано, что уменьшения уровня фона можно достичь, выполнив одновременно.два условия: 1) отобрать контакты,для которых выполняется соотношение1/й ) 10, где 1 - длина свободногопробега электронов, с 1 - диаметр контакта; 2) перевести микроконтакт всверхпроводящее состояние. Уровеньфона нри этом уменьшается в несколько раз. Поэтому введение этих операций в известный способ полученияспектра ЭФВ в металлах повьппает достоверность и точность полученнойинформации, поскольку при таком способе измерения четче выражены особенности ЭФВ.1326145 вНИИПИ Заказ 1200 Тираж 746Подписное Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано при . исследовании металловметодом микроконтактной,спектроскопии, атакже в электроизмерительной технике,Цель изобретения - уменьшение уровня фона в микроконтактном спектре и повьппение точности определения функции электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ) методом микроконтактной спектроскопии.Сущность изобретения состоит в следующем.Измерение микроконтактного спект ра сверхпроводящего контакта проводят по низкочастотной модуляционной методике при низкой температуре, например при 1,5 К, которую получают путем откачки паров жидкого гелия. 20 После химической обработки поверхности электроды монтируют в устройство для создания контактов,и помещают в криостат. Контакт между сверх- проводниками или сверхпроводником и нормальным металлом создают, например, методом сдвига электродов относительно друг друга. В соответствии с критериями качества проводят предварительный отбор контактов, которые ЗО ,удовлетворяют соотношению 1/й10 (1 - средняя длина свободного пробега электрона в области контакта, Й - диаметр контакта). Контакты, прошедшие такой отбор, имеют микроконтактные спектры, позволяющие с высокой степенью точности восстановить функцию ЭФВ. На основе экспериментальных данных показано, что зависимости Ч (Ч) сверхпроводящих контактов, для 40 которых справедливо неравенство 1/Й 1, не содержат спектральных особенностей ЭФВ. Если диаметр контакта сравним с длиной свободного пробега электрона, т.е. 1 м с 1 то микроконтактный спектр имеет большой уровень фона, низкую интенсивность и, слабо выраженные максимумы ЭФВ. При этом уменьшения уровня фона в сверхпроводящем состоянии не наблюдается.На выбранный контакт Н, находящий.ся в сверхпроводящем состоянии, подают постоянный ток смещения, кото" рый задается источником тока. Приэтом на контакте возникает постоянное напряжение смещения Ч . Ток смещения модулируется переменным токомнизкой частоты. Для этого используютгенератор низкочастотных синусоидальных сигналов и преобразователь напряжения в ток. Генератор одновременноявляется источником опорного напряжения, подаваемого на синхронный детектор,На контакте возникает переменное напряжение, вторая гармоника Ч которого пропорциональна второй производной ВАХ контакта, Вторую гармонику Чг выделяют при помощи резонансного фильтра. Затем сигнал Ч усилиг вается селективным усилителем и выпрямляется синхронным детектором.Автоматическая запись зависимости Ч (Ч) осуществляется с помощью двух- координатного самопишущего потенцио" метра,Ф о р м у л а и з о б р е т е н.и я Способ получения спектра электронфононного взаимодействия в металлах,заключающийся в том, что через микроконтакт пропускают постоянный ток,модулируют его низкочастотным синусоидальным сигналом и измеряют вторую гармонику переменного напряжения,возникающего на микроконтакте, о т -личающийся тем, что, сцелью уменьшения фона в микроконтактном спектре и повышения точности определения функции электрон-фононнового взаимодействия, предварительноотбирают микроконтакты, удовлетворяющие требованию1/й ) 10,где 1 - средняя длина свободного пробега электрона в области контакта;Й - диаметр контакта,а вторую гармонику переменного напряжения на выбранном микроконтактеизмеряют, когда один из электродовмикроконтакта находится в сверхпроводящем состоянии.

Смотреть

Заявка

3969736, 22.10.1985

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУР АН УССР

КАМАРЧУК Г. В, ХОТКЕВИЧ А. В, ЯНСОН И. К

МПК / Метки

МПК: H01L 39/22

Метки: взаимодействия, металлах, спектра, электрон-фононного

Опубликовано: 15.03.1988

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1326145-sposob-polucheniya-spektra-ehlektron-fononnogo-vzaimodejjstviya-v-metallakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения спектра электрон-фононного взаимодействия в металлах</a>

Похожие патенты