Патенты с меткой «металл-диэлектрик-полупроводник»
Устройство для измерения зависимости емкости конденсатора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник от велечины поверхностного электростатического потенциала
Номер патента: 693276
Опубликовано: 25.10.1979
Автор: Рагаускас
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: велечины, емкости, зависимости, конденсатора, металл-диэлектрик-полупроводник, поверхностного, потенциала, структурой, электростатического
...идеализированные теоретические зависимости.Второе из известных устройств содержитгенератор линейно изменяющегося напряжения, аналоговое дифференцирующее устройством, образованное операционным усилителем и исследуемой МДП-структурой, ко торая включена между выходом генератора и инвертирующим входом операционного уси лителя, и осциллограф 2. Это устройство также не обеспечивает измерения зависи мости емкости МДП-структуры от величиныповерхностного электростатического потенциала.. Брызгаовая Составитель ЮТехред О. ЛугТираж 1073Государственного клам изобретений иква, Ж - 35, РаушсПатент, г. Ужгоро Редактор И, Нестеро Заказ 6066/1 6р Н. Стене митета С открытий кая наб.,ул. Про ЦНИИПИпо д 113035, Мо лиал ППП д. 4(5 ктная, 4 времени,...