Способ изготовления электролюминесцентного экрана

Союз СоветскнхСоцналнстнческмхРеспублмк пп 655257 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51)м. Хл.2 с присоединением заявки М Н 01 Ь 21/20 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(72) Авторы ИЗОбрЕТЕНИя ВЕ Золотухин И.Е. Марончук, Ю.Е, Марончук и Б,С, Лисенкгр Институт физики полупроводников Сибирского отделения( 71) Заявители АН СССР и Новосибирский государственный университет(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГОЭКРАНА го и произвольных линейных размерах приводит к существенному разбросу выходных характеристик элементов экрана, что не позволяет получать с его помощью качественных элементов табло,Цель изобретения - увеличение размеров контрастного табло с возможностью одновременного включения большого числа элементов. Проведение э питаксиальн ого выра" щивания при произвольном расположении стержней один относительно друго-Зо Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частностик способам изготовления электролюминесцентных табло, и может быть использовано в электронной и вычислительной технике при изготовленииоптоэлектронных приборов и вычислительных машин,По основному авт. св, Р 580772известен способ изготовления электролюминесцентного экрана, заключающийся в том, что электролюминесцентныйэкран создают путем выращивания ри-переходов на подложках в видестержней монокристаллов полупроводника, собранных в пакет и расположенных друг от друга на расстоянии0,5-2 мм, затем пакет заполняют раствором-расплавом металлов, образующимомический контакт со структурами, ипосле остывания полученный монолитразрезают на пластины перпендикулярно оси стержней, Однако этот способпредназначен для изготовления мозаичных многоэлементных экранов с большой плотностью однотипных элементов,Это достигается тем, что торцы иодну и з ст орон профилирован ныхстержней защищают диэлектрикам, стержни устанавливают в пакет в порядке,.образующем в сечении, перпендикулярном оси стержней, необходиже элементы табло,Суть способа заключается в том,что выращивание р - и-переходов производят на обеих поверхностях подложек, которые затем нарезают на полоски, покрывают диэлектриком, например БЮ 4, и устанавливают в кассетутак, что они в сечении составляютэлементы табло, после чего заполняютметаллическим сплавом, например 70М + 30 И (для табло на основе СаР,СаАЯ), полученный монолит нарезают по сечению на пластины, которые далее спекают с диэлектрически-ми платами, имеющими металлическиеконтакты к элементам табло, Полученные при этом р - п-переходы светодиодов расположены перпендикулярнок поверхности, контакты и поверхность излучения находятся на разныхсторонах табло, этим существенноповышается КПД табло, Таким способом также достигается хорошая контрастность изображения за счет того,что каждый элемент табло окружен металлом, Такая конструкция решает ипроблему теплоотвода, что в свою очередь позволяет экрану работать сбольшой светоотдачей, т,е, одновременно включать большое число элементов,Предлагаемый способ позволяетупростить технологию изготовлениятабло, получить значительную экономиюисходного полупроводникового материала, так как нет необходимости, например, стравливать значительнуючасть полупроводника, кроме того,разрезание р - и-переходов большихплощадей на стержни позволяет существенно увеличить полезную плошадь полупроводникк ов ого матери ал а,П р и м е р. На подложках фосфидагаллия и-типа (диаметром 25-30 мм)методом жидкостной эпитаксии из органического объема раствора-расплавагаллия, насыщенного фосфором, выращи"вают эпитаксиальные слои сначалап-типа (при легировании теллуром),азатем р-типа (при легировании цинкоми кислородом).Полученные структуры покрываютслоем нитрида кремния (для этого используется казотранспортная реакцияЯ 1 Ст 4 и ИН 4 в потоке Я) и нарезаютна полоски размерами 0,5 х 3 х 60 мм,которые определяются размерами таб"ло.Полученные структуры устанавливают в пакет так, что в сечении ониоставляют заданное табло, Затем полоски отжигают в атмосфере чистогокислорода при 850 С 20 мин, При этомна незащищенной поверхности структуры образуется слой окиси галлия,55257 4иОа О ", )соторый служит для защиты ри-перехода. Изготовленные структурыпротравливают в НР для снятия слояЯ 1 р Н 4, никелируют зле ктрохимическимспособом и отжигают в атмосфере водорода при 650 С 2-3 мин.5 Затем при 700 С пакет заполняютсплавом 65 М + 356 В . При взаимодей ствии никелевого покрыти я сосплавом,АР-бе происходит частичноерастворение последнего, что обеспе чивает качество смачивания и заполнение сплавом промежутков междустру кту рами.Монолит, полученный после затвердевания сплава М : 60 с инкрустированными р - п-структурамибаР, нарезают на пластины перпендикулярнооси полупроводниковых стержней,Полученные пластины механическиполируют и травлят в смеси НСР -НИОКР 20 по е чего помещ т в графитовуюкассету с индиевыми навесками, расположенными против инкрустированныхв металлическую матрицу кристалловООР, и производят их вжигание при500 С 5 мин в атмосфере водорода,Изготовленное табло с контактамиустанавливают на изолирующей платес нажимными контактными шинами так,что контакты табло располагаютсяпротив подготовленных контактов пла"ты, и при 150 С приводят их спекание.Таким способом изготавливают цифровые и буквенные индикаторы, микросхеьн.35Формула изобр етени яСпособ изготовления электролюминесцентного экрана по авт. св.М 580772, о т л и ч а ю щ и й с я 40 тем, что, с целью увеличения размеров контрастного табло с воэможностьюодновременного включения большогочисла элементов, торцы и одну из сторон профилированных стержней защища ют диэлектриком, стержни устанавливают в пакет в порядке, образующемв сечении, перпендикулярном осистержней, необходимые элементы табло,Составитель В, ГаврюшинРеаактсо т, Копоикева Техрак И.астаисш ко екто Г. Решетиик Заказ 5309/59 Тираж 923 Подпи сн ое ЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 Москва Ж" 35 Р ская наб. дФилиал ППППатент , г. Ужгород, ул. Проектная, 4