Ярмалис

Номер патента: 873161

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Ашмонтас, Гашка, Субачюс, Ярмалис

МПК: G01R 29/08

Метки: зонд, напряженности, поля, распределения, сверхвысокочастотного, электрического

...легирующей примеси.Переход со ступенчатым изменением концентрации легирукщей примеси может иметь несколько вариантов, например о+- и, рф-р и и"р переходы.Разрешакщая способность опреде" ляется толщиной перехода и его ориентацией относительно продольной оси зонда. Современная технология выра873161 Формула изобретения Составитель Г. ЧелеиТехред М. Рейвес Корректор М. Шароши Редактор Н. Воловик Заказ 9026/71 . Тираж 7 ф ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4,щивания кристаллов методом Чохральского позволяет получать переходы 3толщиной порядка 1 мкм. При этомразрешающая способность предлагаемого зонда по...

Номер патента: 447108

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Денис, Иванникова, Калюжная, Репшис, Ярмалис

МПК: H01L 21/26, H01L 21/28

Метки: контакта, создания

...камеру, 15 не прерывая нагрева подложки концентрированным световым потоком, подают дозированную смесь очищенного водорода с тетрахпоридом кремния, легированным хпо ристым фосфором. Прн этом пластину крем ния располагают таким образом, что пэ верхность, на которую осуществпяется на:ращивание слоя, нагревается до более вы. сокой температуры, чем толща подложки. Найдено, что необходимым усповием рос та зеркально гладких слоев толщиной 150-200 мкм явпяется бопее высокий на 40-70 оС) нагрев поверхности растущей пленки по сравнению с обратной стороной пластины. Рост ппенки кремния ЗО толщиной 150-200 мкм происходит в спедующем режиме: температурный градиент по топщине ппасгины составляет 250- ЗООоС/см, температура роста ппенки 1000-1200...

Номер патента: 536442

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Денис, Каружа, Скучас, Ярмалис

МПК: G01R 29/14

Метки: зонд, исследования, поля, сверхвысокочастотного, структуры

...тока. Величина измснеция сопротивления зависит от ориентациипродольной оси перемычки 3 относительно на 5 правления электрическоц со тавляющсй сверхвысокочастотного поля.Для измсрсци 5 Измспсп:я сопротпвлсп 11 япредложсцного зонда через него пропускаютпостоянный по велцчпцс ток, а падение напряжения на зонде, пропорциональпос изменению536442 Составитель Г, ЧелейТехред Е. Подурушина Корректор А. Галахова Редактор Н. Данилович Заказ 3015/3 Изд,377 Тираж 1029 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 его сопротивления, регистрируют индикатором, Направление электрической составляющей сверхвысокочастотного поля...