Магниторезистор

46 О 813 Союз Советских Социалистических Республик(21) 1903336 2) Заявлено 04 с присоединением зая Государственный комитет Совета Министров СССР 3) Приоритет 3) УДЫ, 621,382(088.8 1 ь й 2 публиковано 30,06.78 Бюллст елам изобретений и открытий исания 2.06. 45) Дата опубликовани(72) Авторы изобретепи ожела, Б, В. Царенков,Ю, ГЬ Яковлев А. Ю, Матуленис, Ю, К,В. Ю, Юцене и Ордена Трудового Красног полупроводников АН Литовской технический инстит(71) Заявит 54) МАГНИТОРЕЗИСТОР прпмеспых уровнеи у различных мппм,:,О раЗЛЧНП, ПОЭтОМу Прн ПЕрЕМЕШЕПИИ Э.Е.рО- пов п 0 шкале энергии пх масса и копцсп 2- ция зменяются, при этом изменяется элек- ропрОВОДНОСГЬ раЗЛПЧНЫХ уЧаетКОВ Варао- О 0 крпс 2 лла с 1 зменением струкуры зов,э прОВОдизостп ПО еГО коорднна 1 е, 2 также с ИзМЕПЕППЕХ 2 ОСОЛ 1 ОТПОГО ЗННЧЕИЯ ШРИПЫ Запрсщспнои зоны1 змснсппе электропроводности кристалла с пззепспи.м его ширины запрещешой зоны т акжс связано с увеличением эрфектпвпои массы электроноВ. Г 1 аиоолее резкое из:5 енение электропроводности варизонного кристалла Пао,одаеСя В ТОМ СлуЧаЕ, ЕСЛИ В 1 СРИСТалЛЕ имеется смена типа минимума долины зоны проводОсИ, 1 апризер, в твердом расгворе .2,.-1,.в прп х=0,3 - 0,4 тпп зПинкума мспясгс 51 с 2 на х, ч 0 сопровозкдае 1 ся Изменением эффекпьной массы прпмерпо в дес 5 ть раз.;слн такую пласпнку, через кооруо про- ПУСКаОГ ТОК 1, ПОЗ 1 ЕС 1 ИЬ В З 2 НИТНОЕ ПОЛО Г 1, направленное перпендпкулрно на равленпО Ока, то под действием силы .1 орспца элекгроны отклоняются из одной части Варизоппоо кристалла в другую, напргмср пз части крисгалла с меньшеи шириной запрещенной зоны В часть кристалла с большей шириной запрещенной зоны. 11 зобрегсннс отпосГся к области полупроводниковой техники, в частности к копструкивному вьшолпспио сопротпвзепгя, управлясъ 1010 5 агнипым позез.11 звесеп магппторсзстор, выполненный в ВИДЕ ОДПОРОДПОИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ тлаС 1 ИН- ки, па рмер пзасгинкн Германия собств:пной проводимоси, грани которой имеют различ 1 ую скорость поверхностной рекомбинации.Однако изиестпыи магшггорезистор оклада е н высокой стаоилшостьо пз-за плохой сгаоильпости поверхностных своисгв полупроводника) и малым оыс гродсйствпемО -- О- С).О целью увеличения быстродейсгвия и ста- б ОИЛЬПОСТИ В ПРЕДЛ 2 ГаЕМОМ МаГНИ 10 РЕЗИСТОРЕ пластина Вьшолпена на основе варизопного ПОЛУПРОВОДНИК 2, а КОПаКТЫ РаСПОЛ 05 КЕПЫ Па стороне пласгипы, где шпрш 2 запрещеннои зоны минимальна. 20Ы качестве варизонного полупроводника могут быть использованы твердые растворы, меняющие тип минимума долины зоны проводимоси, например 2,А 1 АВ.1 редлагаемый магпиторезистор работает 2 б следующим образом.В полупроводниках в зоне проводимости в зависимости энергии электрона от импульса имеется несколько мипимумОВ. 3 рфективная масса электрона, а также энергия ионизации 31 Знамени институг физикиССР и Ордена ленина физик им, А. ч), ИоффеПодписное Заказ 1022,5 Изд. М 485 Тираж 954 1 зПО Государственного коз.итста Совсса Министров СССР по делам изобретений и отрытий 113035, Москва, уК, Раугпская иаб., д. 451 ипографип, пр. Сапунова, 2 Таким образом, электроны перемещаются из области с малой эффективной массой в область с большей эффективной массой или в обратную сторону (в зависимости от направления магнитного поля или тока). Такое смещение носителей приводит к увеличению уменьшению) сопротивления пластинки.Наибольшей маг ниточувствительностью обладает варизонный кристалл, в котором иместся смена типа минимума долины зоны про водимости, например варизонный кристалл на основе ба 1,Л 1,Лз, в котором имеется г - хпереход. Поскольку г - х-переход является резким, то уже малое смещение носителей (на доли микрон) приводит к изменению сопро тивления, что позволяет достичь высокой чувствительности и быстродействия устройства вплоть до сверхвысоких частот, Стабильность устройства обусловлена тем, что эффект достигнут не поверхност 11 ыми, а объемными свойствами варизош 1 ого кристалла. Формула изобретения1. Магниторезистор, представляющий собой полупроводниковую пластину с контактами на одной из ес сторон, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности и быстродействия, пластина выполнена из варизониого полупроводника, а контакты расположены на стороне пластины, где ширина запрещс 1 шой зоны минимальна,2. Магниторезистор по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что в качестве варизонного полупроводника использованы твердые растворы, мсняющие тип минимума долины зоны проводимости, например ба .,Л 1 Лз.