Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры

Номер патента: 880174

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/268

Метки: отжига, пластин, полупроводниковых

...того, в этом способе трудно реализовать 35высокую производительность процесса.Наиболее близким техническим реше"нием к настоящему изобретению является способ отжига полупроводниковыхпластин импульсами некогерентного .40электромагнитного излучения миллисекундного диапазона 13 1.Требуемая в этом способе высокаяплотность энергии и излучения приводитк необходимости использования форсиро 45ванного режима ламп-источников излучения, что существенно снижает ихдолговечность и отрицательно сказывается на надежности способа и безопасности работы. 50Кроме того, облучение пластин содной стороны создает условия для возникновения повышенных термических напряжений, особенно в начальный момент взаимодействия мощного луча света с поверхностью, что на...

Номер патента: 1001232

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/00

Метки: импульсного, отжига, полупроводниковых, структур

...содержит замкнутую камеру 1, в которой выполнены щели 2 и 3 соответственно для загрузки и выгрузки полупроводниковой структуры 4, расположенной наопоре сетке ) 5, Внутри замкнутой камеры по обе стороны от опоры расположены линейные галогенные лампы б накаливания так, что их продольная ось перпендикулярна направлению движения спотк, перемещаемой с помощью привода 7. Замкнутая камера имеет изогнутую форчу и служит одновременно для фокусировки . излучения на поверхность полупроводниковой структуры.Линейные галогенные лампы накаливания расположены от опоры на расстоянии 10-100 д, где о - толщина подложки полупроводниковой структу ры. Указанное соотношение определяется как размерами используемых подложек (в производстве...

Номер патента: 1772711

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01N 27/22

Метки: кристалла, неоднородностей, распределения, структуры

...поля для частоты, равной нулю, судят о распределении неоВ предложенном способе определения распределения неоднородностей структуры кристалла новыми, в сравнении с прототипом и другими известными решениями, существенными признаками являются: измерение напряженности электрического. поля, соответствующей началу диэлектрической нелинейности, в кристаллах неполярных классов, использование напряженности поля, соответствующей точке перегиба ветвей петли гистерезиса, экстраполяция указанных значений поля на нулевую частоту,На чертеже приведена блок-схема устройства, с помощью которого реализован предложенный способ. Устройство содер- жит соединенные электрически последовательно: генератор электрических колебаний 8, повышающий трансформатор...

Номер патента: 150488

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Калнач, Одзиня

МПК: C30B 15/04

Метки: введения, испаряющихся, легко, полупроводниковых, примесей, расплав

...устройство исключает казанный недостаток. Достиется это тем, что оно снабжено поплавком,На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство состоит из пузырька 1 грибовидной формы с цилиндрической ножкой 2, имеющей отверстие 3, которое плотно закрыто пришлифованным к нижней поверхности ножки поплавком 4. Держатель 5 прикреплен к концу штока для вытягивания кристаллов.Принцип действия устройства следующий. Пузырек 1 через отверстие 3 заполняют легкоиспаряющейся примесью. После расплавления полупроводникового материала устройство опускают в расплав так, что в последний погружены поплавок и часть ножки пузырька, При этом примесь в пузырьке нагревается и испаряется. По достижении соответствующего давления пары примеси отталкивают...

Номер патента: 1226209

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Афанасьев, Имамов, Пашаев, Половинкина

МПК: G01N 23/20

Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенографический, структуры

...1). Падающий пучок от острофокусного источника коллимируется горизонтальной Я и вертикальной Я-гщелями. Вследствие конечного размера вертикальной щели 5, и малогоугла падения 9 на кристалле засвечивается полоска дВ , длина которойопрецеляется размером щели Е. ивеличиной угла падения , , а ширина полоски АВ определяется размеромгоризонтальной щели Е , Дифрагиро 1 О ванный пучок выходит с ВходнОЙ поверхности кристалла и фиксируетсяна фотопленке в виде штриха АВ( фиг. 2), Таким образом, по предлагаемому способу рентгеновской типографии реализуется брэгговская дифракция от лауэвских плоскостей,отклоненных на малый угол от нормалик поверхности кристалла.При дифракционном отражении рентщ геновских лучей в стандартной брэгговской дифракции...