Холева

Номер патента: 673088

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Далецкий, Евдокимов, Заявлин, Леонихин, Летин, Рыбин, Холева

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрический

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь, выполненный из пластины монокристаллического кремния с концентрацией легирующей примеси - 1015-1017 см-3, имеющей p-n переход, омические контакты к легированной и базовой областями расположенные с двух сторон просветляющие и защитные покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения температуры, участок базовой области, площадь которого составляет 5-10% от площади фотопреобразователя, выполнен свободным от p-n перехода и содержит, по крайней мере, два омических контакта, расположенных на одной из его сторон.

Номер патента: 1700452

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Григорьев, Кесслер, Лоскутов, Холева

МПК: G01N 23/00

Метки: керамического, состава, фазового

...газа, используемого в качестве источника первичных ионов. Из всех ВИ, составляющих масс-сп ктр исследуемого образца, только эмиссия ВИ СиОд не зависит от вида образца, а только от его фазового состава, Поэтому для увеличения экспрессности анализа нет необходимости измерять весь масс-спектр ВИ во всем диапазоне масс 60 - 300 а.е.м., а достаточно измерить его в узкой полосе с центром около 216 а.е.м который соответствует эмисии+СцО, Ширина полосы измеряемого спектра зависит в основном от характеристик масс-спектрометра ВИ и при улучшении их может быть сокращена,П р и м е р 1. Образец исследуемого керамического материлаВа 2 СцзОм" помещают в масс-спектрометр ВИ, снабженный источником первичного ионного пучка. В качестве рабочего газа...