Заявлин

Номер патента: 743506

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Балтянский, Бордина, Далецкий, Дорохина, Заявлин, Каган, Летин, Любашевская, Рябиков, Чернов

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрический

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь с двухсторонней чувствительностью на основе материала с низкой диффузионной длиной неосновных носителей, содержащий базовую область с расположенными под рабочими поверхностями слоями с противоположным базовой области типом проводимости и контакты, нанесенные на базовую область и слои с противоположным типом проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения его эффективности, слои с противоположным типом проводимости расположены друг от друга на расстоянии, превышающем диффузионную длину не менее чем на порядок, при этом на одну из рабочих поверхностей выведены участки базовой области, примыкающие к торцам фотопреобразователя, на...

Номер патента: 673088

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Далецкий, Евдокимов, Заявлин, Леонихин, Летин, Рыбин, Холева

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрический

Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь, выполненный из пластины монокристаллического кремния с концентрацией легирующей примеси - 1015-1017 см-3, имеющей p-n переход, омические контакты к легированной и базовой областями расположенные с двух сторон просветляющие и защитные покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения температуры, участок базовой области, площадь которого составляет 5-10% от площади фотопреобразователя, выполнен свободным от p-n перехода и содержит, по крайней мере, два омических контакта, расположенных на одной из его сторон.