Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа

Номер патента: 1589963

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Астахов, Борисов, Варганов, Демидова, Дудкин, Ежов, Зигель, Колбин, Мирошников, Мозжорин, Пасеков, Просветова, Савельева, Таубкин, Фадеева, Цепов

МПК: H01L 31/18

Метки: n-типа, антимониде, индия, проводимости, фотодиодов

Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости, включающий подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, формирование легированных областей p-типа проводимости, анодное окисление в электролите, содержащем раствор электропроводной добавки в глицерине и органический растворитель в объемном соотношении 1 1, нанесение пассивирующего диэлектрика и формирование контактной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда, анодное окисление проводят в электролите, содержащем в качестве электропроводной добавки сернистый натрий в количестве 0,1,...

Номер патента: 1218855

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Веригин, Егорушкин, Крючков, Логачев, Печенкин, Погребняк, Рмнев

МПК: H01L 21/265

Метки: имплантации, ионов, материалы, полупроводниковые

СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, включающий облучение ионами легируемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности способа, облучение проводят импульсным сильноточным пучком ионов с плотностью энергии (0,9 - 1,5) 103 Дж/см3 и дозой (5 1012 - 5 1014) частиц/см2 за импульс.

Номер патента: 766423

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бреус, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, транзисторных

...источник диффузионного легирования, Поверхностное сопротивлениедиффузионного слоя составляет 50-70 -,ОмВо время второй стадии диффузии при1150 С в течение 120 мин ведения процессав комбинированной среде сухого и увлажненного кислорода диффузионную базовуюобласть 4 разгоняют до глубины 3 мк с поверхностным сопротивлением 150, ВОмпроцессе диффузии в окислительной средевырастает маскирующий слой 5,Толщина пленки должна быть достаточной для маскирования полупроводниковойподложки 1 от всех последующих воздействий имплантацией ионами бора или термической эмиттерной диффузии. Полученная 3величина 0,5 мк (и не менее) отвечает необходимым требованиям. Далее фотолитографией в маскирующем слое 5 вскрываютокно 6, через которое формируют...

Номер патента: 936100

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Громов, Кузьмин, Попов, Укше

МПК: H01M 10/08

Метки: ионных, твердых, типа, электролитов

...ул;Проектная, 4 3 93610 ции расплава и повышение его термодинамической стабильности.Цель достигается тем, что согласно способу получения твердых ионных электролитов типа Ад, М , где М- .ионы калия, рубидия или аммония, включающему плавление стехиометрической смеси иодидов аммония или ще лочного металла и серебра в инертной атмосфере с последующим охлаждением 10 расплава на воздухе, в расплав добавляют 1,3-1,75 мас.Ф сульфида серебра при 350-450 С.П р и м е р 1. 50 г смеси, содержащей 40-78 г Ад 1 и 922 г ВЫ, , з расплавлено в стеклянной ампуле в атмосфере аргона при 450 С. В расплав добавлено 0,65 г (1,3 мас.Ф)Ад 8. После 5-минутной выдержкИ с периодическим перемешиванием расплава встря- гф хиванием ампула извлечена из печи и...

Номер патента: 1609381

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Дектярев, Компаниец, Пузыревич, Рябчиков, Шипилов

МПК: H01J 37/317

Метки: имплантации, ионов

1. Способ имплантации ионов, включающий вакуумирование объема до давления 10-2 - 10-5 Па, формирование пучка ускоренных ионов, облучение образца и измерение дозы, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерения дозы внедряемой примеси, одновременно с облучением основного образца производят облучение дополнительного образца последовательностью импульсов тока пучка ускоренных ионов, причем дополнительный образец изготавливают из материала, характеристическое рентгеновское излучение которого отлично от характеристического рентгеновского излучения внедряемой примеси, а измерение дозы осуществляют по характеристическому рентгеновскому излучению примеси в промежутке между...