Крыштоп

Номер патента: 1245162

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Король, Крыштоп

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходов, глубоких, кремнии, п-типа

Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см2, а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750oС в течение 25-6 мин соответственно.

Номер патента: 1203078

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Завьялов, Крыштоп, Молчанова, Панич, Разумовская, Рудковская, Сервули, Фесенко, Филипьев, Чернер

МПК: C04B 35/497

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...на стадии спекания размеров кристаллитов до 100-200 мкм, что является одним из необходимых условий достижения высокого уровня пьезоэлектрических параметров.Синтез составов керамического материала производят с использованием в качестве исходного сырья следующих реактивов: РЬО (или РЬСОЗ) ч.д.а., МЬО Нбо-Пт, КСОз х.ч.Материал синтезируют методом твердофазных реакций. На первом этапе получают метаниобаты свинца (РЬМЪО) и калия (КЯЬОз) .Метаниобат свинца синтезируют из шихты РЬО (или РЬСОЗ);ИЬОз - 1:1,смешанных мокрым способом ц вибромельнице. Температура синтеза 9501000 С, продолжительность - 3 ч.Спеки размалывают ншаровой мельнице, Для получения К 1 ЪР компонентысмешивают ца вибромел лице сухимспособом и шихту подвергают двухкратному...

Номер патента: 1130555

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Аржановская, Бондаренко, Гавриляченко, Данцигер, Девликанова, Завьялов, Крыштоп, Резниченко, Фесенко, Филипьев

МПК: C04B 35/495

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...чений коэффициента электромеханической связи и скорости звука. Наиболее близким к изобретениюявляется керамический материал, содержащий, мас,Х: Ба 20 0,82-1,64;КО 2,34-4,08; РЬО 33,93-37,13;БЬ,у 0,55, 44-57,02; УО у 2,03-5, 73 2). Известный материал характеризу-,20 ется небольшими значениями диэлектрической проницаемости Е / =212-289 и механической добротности Я =4-38,5. Его недостатками являются высокие значения диэлектрических 25 потерь 1 д 3 =0,95-1,867, плотности й= 5,91-6,43 кг/м и температур спекания Тс =1360-1430 К, а также низкие значения коэффициента электромеханической связи 8 =0,24- О,З, пьезоэлектрического модуля й =(28-33,5)10 ф Кл/Н скоростй звука 7=(3,14-3,43)ф 10 и/с, модуля Юнга У =(0,61-0,65) 10 Па.Ч йЦелью изобретения...

Номер патента: 1066970

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Аржановская, Бондаренко, Гавриляченко, Данцигер, Девликанова, Завьялов, Крыштоп, Сервули, Фесенко, Филипьев, Цихоцкий

МПК: C04B 35/497

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...юееютт Ееттт веютюав тет.ют т Х У . 2 0 Бвюавюют вещав ееееюета авт ю вта 4,30 0,28 30,55 62,57 2, 30 1100 370 2 3 91 0,2927 70 64,53 3,57 1180 280 3 3,69 0,30 26,20 65,56 4,25 1100 230 4,94 1100 180 4 3,47 0,31 24,65 66,63 5 4,49 0,27 31 88 61,65 1,71 1100 380 1100 213 6 За 23 Ою 32 23 ю 03 67 е 75 5 ф 67 Изобретение относится к пьезоэлектрическим материалам и может бытьиспользовано в высокочастотных уст-.ройствах с минимальными .потерями навнутреннее трение, например, в уст ройствах на поверхностных акустических волнах.Известны следующие пьезоэлектрические материалы на основе ниобатов:хБаБЬОЗ .-уЬ 1 БЬ 03 - ИНГО 13; Ба 20ио - Бь о - т 102 - Рьо Г 23; 10ЬТБЪОБ - ЯгБЬ О - БаБЪО Г 33.Однако эти материалы имеют низкие значения...

Номер патента: 785711

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Девликанова, Крыштоп, Сидоренко, Турик, Фесенко

МПК: G01N 27/22

Метки: бронзы, вдоль, вектор, входящих, калиевовольфрамовой, которой, кристаллах, направления, ориентирован, оси, поляризации, сегнетокерамики, состав, спонтанной, структурой, тетрагональной, типа

...спонтанной деформации, метрию; в последнем случае возможныприводящей к растяжению элементарной два направления вектора спонтаннойячейки вдоль полярной оси и одновремен- поляризации: либо вдоль направленияному сжатию в перпендикулярных нап (001, (ось С), либо вдоль (010785711 формула изобретения 01 а но кристаллографической оси 001 (ось С) .П р и м е р 3. Кроме того, были выполнены измерения диэлектрической проницаемости полученного ряда твердых растворов горячепрессованной сегнетокерамики со структурой ТКВБ (1-х) К И+БЬОРц-.хРЬКНЬ Оэ, особенностью которых является налйчие морфотропной области, разделяющей составы тетрагональной и ромбической симметрии,1 О Измерения выпслнены на частоте 10 Гц при комнатной температуре, На...

Номер патента: 742416

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Аржановская, Бондаренко, Данцигер, Девликанова, Завьялов, Комаров, Крыштоп, Куркин, Мирошниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/497

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...керамический материал, включа ющии йсз 2 О, К О,РЬО,НЬ, О дополнительно содержит %0 при следующих соотношениях компонентов, весЛ:42416 атемпература 1100-1160 С давление2 ОО кг/см 2, выдержка 40 мин.Подяризацню образцов производят в сипиконовом масле при 140 С в течение 540 мнн в поле наряженностью 4045 кВ/см с поспедующим охлаждением подполем до 90 СЗпектрофизические и технологическиепараметры исследуемых составов системы 0 К 20 -Иа 20 -ХРЬО -и МО -ФН 3 ьсприведены в сдедующей табдице 1, 4,08 0,82 33,9 З 5,73 55,44 1150 227 0,249 037 13,94 28 24 402 2349 109 3467 4 Ы 5584 1130 289 0254 О 39 12,78 32;7 29 426 3, 2,47 1,36 37,13 203 57,02 1160 212 0,302 0,485 17924, 2,32 1,64 36,15 3,27 56,63 1100 285 0,239 0,32 1155. 2,30 2,07...