Устройство неразрушающего контроля полупроводниковых структур

ОП ИСАНИ ИЗОБРЕТЕН И к двторском свидетильст Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(23) Приоритет -аявки Х сударственнын комнте публиковано 07 Бюллетеньисання 17. по мелам нзобретеннй ата онубл рмтнй ования(7 ры льнь 1 й н В. Л И. П изобретени Белорусский ордена университет им. В технологическое бю государствеТрудового КргсцогИ. Ленина и Спе о с опытным произ гном университетефотоэдс аглиз 11)ется ногокацлг,ц 1,ианализатором. Получаемая информациявьВодцтс 51 Г ьнде нстрОГраммы. Потеру г.1 ро;раммь определяют величинуконтролируемого параметра 2.5 Не. "с Гатком этОГО устройства, 518,15 егс 5его высокая сложность.Целью изобретения является упрцснустройства,Г 1 оставленная цель достигаетсяГов устройство неразрушающего конт;гголупроводниковых структур, содержан,источник света, блок сканирования ц фоксировки луча, электролитицескуо кюь.т).усилитель и анализатор, введены КБ-триггер и генератор тактовой частоты, а5 лизатор содержит первый и второй ком 1;)нторы, схему антисовпадения и ключ, нрчемпервые входы первого и второго ком:ардт 5 ров подключены к источникам всрхцо; инижнего порогового напряжения сот(Ото-, 1,но, вторые входы компараторов соединеныс выхочамн усилителя, а выходыс входамн схем ацтисовпадения, выход кот- рой подключен к первому входу ключа, ворой вход которого соединен с выходом гснера гора тактовой частоты и 1(,-входом казанного устроиства пособленность для эксве для контроля парниковых структур сигнн,Изобретение относится к технике нераз рушающего контроля и может быть использовано при контроле параметров полупроводниковых структур на стадии входной и операционной разработки в технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем по планарной технологии.Известно устройство контроля параметров полупроводниковых структур, содержащее источник света систему фокусировки светового пятна на поверхность исследуемой структуры, устройство сканирования светового пятна, электроды съема электрического сигнала и устройство регистрации сигнала 11 .Недостатком уявляется его неприспресс-анализа.Наиболее близки м к изобретению является устройство, содержащее источник света, лок сканировация и фокусировки луча, электрол итическую кювету, ус ил и- тель регистратор, и многоканальный регистратор.В этом устройстметров полупроводн 1 т 2 л 1 т:,(1 и" Е 1 .Ел(КЧ"ЬИБДИ 0 м, Знамени госхда1 альцос конструкторскоодством нри Белорусском им. В. И. Ленинатриггера, Я-вход которого подключен к вхду регистратора и выходу ключа, трсийвход которого соединен с выходом триггера.На фиг. 1 представлена структурнаясхема устройства; на фиг. 2 - временныедиаграммы, иллюстрирующие форму сигнала в различных точках устройства, в томчисле 11 - сигнал фотоэдс; Ьг - напряжение тактовой частоты; 1)в - сигнал на выходе устройства; на фиг. 3 - временныедиаграммы, иллюстрирующие, влияниедребезга компараторов на форму сигналов в различных точках устройства.То обстоятельство, что информация оконтролируемом параметре. заключена вплощади части гистрограммы, заключенноймеждУ каналами Х 1 и Мк, позволЯет заменить сложный многоканальный анализатор с нижним порОгом .)пн, соответствующим каналу Я 1, и верхним порогом )вв,соответствующим каналу Ы, и верхвимпорогом Цщ, соответствующим каналу М(фиг. 2),Устройство содержит источник 1 света,луч которого проходит через блок 2 сканирования и фокусировки, электролитическуюкювету 3 с погруженным в электролитконтролируемым образом, усилитель 4, квыходу которого подключен анализатор 5,устройство 6 регистрации и КЯ-триггер 7.Анализатор 5 содержит компаратор 8 верхнего порога, компаратор 9 нижнего порога,схему 10 антисовпадений и ключ 11,Устройство работает следующим образом.При оптическом возбуждении образцафотоэдс (рис 2), усиленная усилителем 4,поступает на одноименные входы компараторов 8 и 9. Скорость нарастания фотоэдсопределяется скоростью сканирования лучапо поверхности образца, пространственнойчастотой неоднородностей в приповерхностном слое образца и временем дрейфа ионовмежду контактами шин съема фотоэдс кюветы 3. Эти факторы предопределяют достаточно малую величину йУ/с, Поэтому вмомент приближения уровня фотоэдс куровню нижнего порога компаратор 9 начинает дребезжать, как показано на фиг. 2.В исходном состоянии ключ 11 анализатора 5открыт по третьему входу, так как триггер 7снимает блокировку по каждому отрицательному перепаду импульсов тактирующей частоты. Одновременно ключ 11 закрыт по первому входу схемой 10 антисовпадений. Та формула изобретения 5 О 5 20 25 30 35 40 45 50 ким образом, сигнал тактирующей частоты не поступает на вход регистратора 6. Первый импульс дребезга. совпадающий с вы соким потенциалом импульса тактирующей частоты, проходит на выход ключа1 и вход регистратора 6 и, поступая на Я-вход триггера 7, вызывает блокировку ключа 11 по его третьему входу. Таким образом, остальные импульсы дребезга, расположенные на интервале, равном оставшейся части периода следования тактирующей частоты, не пересчитываются, поскольку отрицательным перепадом импульса тактовой частоты снимается блокировка по третьему входу ключа 11 и одновременно вводится по второму входу этого ключа.Таким образом, обладая существенно меньшей сложностью, пр длагаемое устройство не уступает известным в точности неразрушающего контроля полупроводниковых структур. Устройство пер азрушающего контроля полупроводниковых структур, содержащее источник света, блок сканирования и фокусировки луча, электролитическую кювету, усилитель и анализатор, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, в него введены ЙЯ-триггер и генератор тактовой частоты, а анализатор содержит первый и второй компараторы, схему антисовпадения и ключ, причем первые входы первого и второго компараторов подключены к источникам верхнего и нижнего порогового напряжения соответственно, вторые входы компараторов соединены с выходами усилителя, а выходы - с входами схемы анти- совпадения, выход которой подключен к первому входу ключа, второй вход которого соединен с выходом генератора тактовой частоты и К-входом триггера, Ь-вход которого подключен к входу регистратора и выходу ключа, третий вход которого соединен с выходом триггера.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР171925, кл. б 01 М 15/00, 24.02.64.2. Борзунов Н. Г Макаров В. С., Медведев Ю. В. Сб. Методы и средства измерения электромагнитных характеристик радиоматериалов. на ВЧ. и СВЧ.Новосибирск, 1979, с. 93 (прототип).. Верес Состави Техред И Тираж 717 осударственного к м изобретений и а, Ж - 35, Раушс атент, г. Ужгороедактор В. Д аказ 7676/37 ВНИИПИпо д113035, Мо илиал ППП рректор Н. КоролдписноеССР