Манюшите
Устройство для бесконтактного измерения силы больших электрических токов
Номер патента: 1624339
Опубликовано: 30.01.1991
Авторы: Гринберг, Даниленко, Левитас, Манюшите, Мишин, Шилальникас
МПК: G01R 15/02, G01R 19/00
Метки: бесконтактного, больших, силы, токов, электрических
...источники 1 и . тока, соединенные соответственно с потокочувствительными датчиками 3, 4, расположенными на фиксированном расстоянии а параллельно друг другу, блок 5 умножения и блок б вычитания, входы которых соединены с выходами потокочувствительных дачиков, а выходы - с входом блока 7 деления. Выход блока 7 деления соединен с выходным прибором 8.Устройство работает следующим образом.Выходные сигналы О и Ог потокочувствительных датчиков 3 и 4, прямо пропорциональные магнитному полю, создаваемому измеряемым током, и обратно пропорциональные расстоянию до провода с током, поступают на входы блока б вычитания и блока 5 умножени, с выходов которых сигналы поступают на вход блока 7 деления, на выходе которого формируется сигнал 08,...
Устройство для измерения индукции магнитного поля
Номер патента: 1559322
Опубликовано: 23.04.1990
Авторы: Ефимова, Манюшите, Рудайтис, Сащук, Шилальникас
МПК: G01R 33/06
Метки: индукции, магнитного, поля
...эффектовполя. Третья составляющая обусловлена высокочастотным сигналом, которыйот магнитного поля не зависит и после низкочастотного Фильтра 10 наблок 11 не поступает,Импульсом, поступающим с блока 15управления после насыщения выходного55 5 5593импульса магнитотранзистора 1, запускается преобразователь 11, осуществляющий преобразование напряженияПе = Г 1 В + ЕТ Г в код, про 5порциональный величине Б,-Б , которая записывается в регистры сумматора 12. После записи импульсами, протекающими с блока 15 управления, осуществляется сброс и подготовка преобразователя 11, а переключатель 6переводится в состояние, при которомвыход "-" источника 7 постоянного тока соединен с электродом 2 магнитотранзистора 1, В следующем (втором)такте...
Устройство для измерения активной мощности
Номер патента: 1068829
Опубликовано: 23.01.1984
Авторы: Левитас, Манюшите, Сакалаускас
МПК: G01R 21/08
...изобретения является снижение трудоемкости процесса измерения.Поставленная цель достигается тем,что в устройство для измерения активной мощности, содержащее индикатор, подключенный к выходным выводаммагииточувствительного элемента, размещенного в зазоре магнитопровода,охватызающего шину с током нагрузки, 40введен источник тока, выход которого подключен к входу индикатора, ана боковую грань магниточувствительного элемента, обращенную внутрьмагнитопровода, нанесены изоляцион-. 45ный и электропроводящий слои.На чертеже изображена функциональная схема устройства.Устройство содержит разборныймагнитрровод 1 с зазором, магнито" чувствительный элемент 2, изоляционный слой 3, эпектропроводящий слой - электрод 4,источник тока 5 и индикатор...
Магниточувствительный прибор
Номер патента: 966797
Опубликовано: 15.10.1982
Авторы: Гуга, Малютенко, Манюшите, Сашук
МПК: H01L 29/82
Метки: магниточувствительный, прибор
...вбли-зи освещенной грани, в зависимости отнаправления магнитного поля прижимаются силой Лоренца либо к освещенйойграни с изменяющейся скоростью поверхностной рекомбинации, либо к ее противоположной.Если носители прижимаются к освещенной грани с изменяющейся скоростьюповерхностной рекомбинации, то в полупериод, когда скорость поверхностной рекомбинации уменьшается, носите- фли накапливаются у этой грани, времяжизни их увеличивается и сопротивление прибора падает. В следующий полупериод, когда скорость поверхностнойрекомбинации увеличивается, носители,прижатые к освещаемой гр-ни, рекомбинируют с большей скоростью, т. е,. время жизни их уменьшается и концентрацйя носителей падает - сопротивлениеприбора возрастает. В результате это- фго на...
Способ измерения магнитной проницаемости
Номер патента: 894625
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Манюшите, Пожеда
МПК: G01R 33/12
Метки: магнитной, проницаемости
...в. отсутствие образца;В- значение индукции в этой жеточке поля. после помещенияв поле образца;К - величина градиента индукциимагнитного поля;сС - угол между силовыми линиями магнитного поля,и нормалью к поверхности образца, удовлетворяющий условию О" ( сС ( 90.д - толщина образца.На чертеже дана схема осуществления способа измерения .магнитной.проницаемости.На нем изображены исследуемая пластина-образец 1,с магнитной проницаемостью ц и.источник 2 неоднородного магнитного поля .с постоянный градиентом индукции Силовые линии магнитного поля З.образуют с нормалью к поверхности пластины угол д . Магнитная индукция поля измеряется в фиксированной точке 4 поля.Способ измерения магнитной проницаемости заключается в следующем.10 тины и измерив...
Способ измерения характеристик управления магниточувствительностью полевых магнитотранзисторов
Номер патента: 894618
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Манюшите, Рагаускас
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: магнитотранзисторов, магниточувствительностью, полевых, характеристик
...через переключатель 13 ко входу вертикальной развертки цифрового графопостроителя 14. Вход горизонтальной развертки цифрового графопостроителя 14, а также входы управления преобразователей 10, .11 и 12, импульсного генератора 7 и переключателей 9 и 13 соединены с блоком 15 управления.Способ осуществляется следующим образом.В момент времени Й импульсом, поступающим с блока 15 управления, запускается импульсный генератор 7, на выходе которого формируется видеом импульс положительной полярности. Дпительность этого импульса 6 устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магннтотранзистора. Одновременно импульсами, поступавцими с блока управления, запускается, горизонтальная развертка цифрового графопостроения 14,...
Способ измерения температурных характеристик биполярных двухколлекторных магнитотранзисторов
Номер патента: 894615
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Манюшите, Рагаускас
МПК: G01R 31/26
Метки: биполярных, двухколлекторных, магнитотранзисторов, температурных, характеристик
...полупроводниковых приборов.Основными температурными характе ристиками биполярных двухколлекторных магнитотранэисторов являются температурная зависимость магниточузствнтельности4.ф- ф 1 где дОкг- изменение напряжений на первом и втором коллекторах магнитотранэистора при изменении на дВ индукции магнитного поля, а также температурная зависимость начальной разности коллекторных напряже- ний нсации температурных погруществляют с использованием характеристик ,(Т)и ООо(Т),Известны способы измерения температурных характеристик биполярных ф транзисторов, основанные на воздействии на испытуемый транзистор тепловым потоком, регистрации величины температуры этого потока, а такжерегистрации величины напряжений или 10токов) на электродах...
Цифровой магнитометр
Номер патента: 866517
Опубликовано: 23.09.1981
Авторы: Манюшите, Рагаускас
МПК: G01R 33/06
Метки: магнитометр, цифровой
...блока 14 55управления.Цифровой магнитометр работает в четыре такта, причем в первые два такта из 17меряется магнитная индукция, а в третий и четвертый тахт - ее градиент. В исходном состоянии переключателя 6 токовый электрод 3 магнитотранзистора 1 соединен с выходом источника 7 постоянного тока, величиной 3. , В начале первого такта работы импульсом, поступающим с блока управления 14, запускается управляемый импульсный генератор 13, на выходах которого формируются видеоимпульсы напряжения одинаковой амплитуды О и противопо-.1ложной полярности, При этом, в результате полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта и эффекта поля, на выходе магнитотранзистора 1 (на токовом электроде 3) формируется видеоимпульс напряжения 08 в...
Устройство для измерения магнитныххарактеристик ферромагнитныхматериалов
Номер патента: 798653
Опубликовано: 23.01.1981
Авторы: Манюшите, Пожела
МПК: G01R 33/12
Метки: магнитныххарактеристик, ферромагнитныхматериалов
...источником питания,На чертеже представлена функциональная схема устройства,Устройство содержит намагничиваюшую обмотку 1, нанесенную на П-об798653 Формула изобретения Заказ 10020/57743 Подписное ППП "Патент",д,ул.Проектная.4 разный сердечник 2, в зазоре которого находится потокочувствительный датчик 3, соединенный с выходным прибором 4, компенсационную обмотку5, подключенную через амперметр бк регулируемому источнику 7 тока. Компенсационная обмотка 5 нанесенана дополнительный П-образный сердечник 8, в зазоре которого находится дополнительный потокочувствительный датчик 9, соединенный с нуль-индикатором 10. Потокочувствительные датчики 3 подсоединены к источникам 11 питания, а дополнительный потокочувствительный датчик 9...
Множительное устройство
Номер патента: 428396
Опубликовано: 15.05.1974
Авторы: Жебрюнайте, Манюшите, Сталиорайтис
МПК: G06G 7/162
Метки: множительное
...множительного устройства представлена па чергеже.2Устройство состоит из основного модуляционного датчика 1 и компенсационного модуляционного датчика 2, включенных последовательно в цепь источника по "тояппого напряжения 3 и размещенных в магнитном поле редме зобретеп ГасУдаРственный камитет 1 З) П о иСовета Министров СССРпа делам изааретеиий, Оп, бл;и;овгпо 1и открытий 72) Авторы "ооР"" 8 Г 1 Л(ебрюн айте Знамени и:стигут физикиЛитовской ССР иический ин:титут 1 катушки индуктивности 4, подключепнои к источнику умпожаемого напряжения 5. Модуляционные пластины 6, 7 датчика 1 соединены с противоположными пластинамн 8, 9 датчика 2 и подключены к источнику другого умножаемого напряжения 10.При подаче напряжения на модуляционные...