Многоколлекторная транзисторная структура

ОП ИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 11 11786748 Союз Советских Социалистических Республик5) Дата опубликования опцсац 07.07(72) Авторы изобретения зо и И. К, Пожиток. А. Матсон, В. Е Минский радиотехнический инст 71) Заявител ОЛЛЕКТОРНАЯ ТРАНЗИСТОРНА СТРУКТУРА 54) МН цательцоц юстц,Цель достигается тем, что в многоколлекторной транзисторной структуре одна5 цз коллекторных областей выполнена вформе кольца, внутри которого расположенконтакт к базе, а расстояние между кольцом и соседней коллекторцой областьюравно внутреннему диаметру, величина ко 10 торого не превышает удвоенной шириныобласти пространственного заряда в полупроводнике в подложке.На чертеже представлена многоколлекторная транзисторная структура.15 Она содержит полупроводниковую подложку 1, в которой образованы эмиттерцая2 ц коллекторные области 3, 4, а коцтакт кколлекторцой области 5 расположен междуконтактом к эмцттеру 6 и контактом к ба 20 зе 7, который окружен коллекторной областью 4, выполненной в форме кольца,Прц включении устройства по схеме собщим эмцттером, к области коллекторар-типа 3 прикладывается отрицательныйл потенциал выходного напряжения, а к омц.ческому контакту базы 7 - отрицательныйпотенциал входного напряжения. Прц этомр-и-переход коллектор-подложка (база)смещается в обратном направлении, аЗ 0 р-и-переход эмпттер-подложка (база) смЕ. Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к полупроводниковым приборам с отрицательной дифференциальной проводимостью, и может быть использовано в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения, например, в импульсной технике.Известен полупроводниковый прибор с отрицательной дифференциальной проводимостью, содержащий область и+-типа, ооласть р-типа и область и-типа, соединенную с метаЛлическим затвором, расположенным над р-и переходом эмиттер-база (1,Недостатком его является малая величина отрицательной дифференциальной проводимости.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является мцогоколлекторная транзисторная структура, содержащая полупроводниковую подложку, в которой образованы эмиттерная, базовая ц коллекторные области с контактом к коллектору, который расположен между контактами к эмиттеру и базе 21,Однако, подобная структура не позволяет получать вольт-амперную характеристику с участком отрицательной дифференциальной проводимости.Цель изобретения - памперной характеристики олучение вольтс участком отриГосУдврствеииый комитет (23) П ио и дифференциальной проводивщается в прямом направлении. Последнеевызывает появление эмиттерного тока, который разделяется на базовый ток, текущий от эмиттерной области 2 через каналв подложке (базе), окруженный коллекторной областью 4, к омическому контакту базовой области 7 и коллекторный ток, текущий от эмиттера 2 через подложку(базу) 1 к коллектору 3,Вначале при увеличении выходного напряжеция коллектор-эмиттер прибор работает как обычный биполярный транзистор,т. е. с ростом напряжения происходит увеличение, а затем и насыщение тока коллектора (при этом входное напряжение базаэмиттер и ток базы остаются постоянными).Когда величина выходного напряжениядостигает значения, при котором ширинаобласти пространственного заряда р-и-перехода коллектор-подложка (база) сгановится равной расстоянию между коллекторными областями 3 и 4, происходит смыкание р-области коллектора 3 с р-областьюколлектора 4. При этом область 4 оказывается под отрицательным потенциалом, 2;,который сместит р-ц-переход коллекторподложка (база) в обратном направлениии приводит к полному смыканию областейколлектора 4.Таким образом, область омического контакта базы оказывается изолированной отподложки (базы), что приводит к прекращению протекания базового тока. Напряжение на р-д-переходе эмиттер-подложка(база) падает до нуля. Ток эмиттера так- д;же падает до нуля, что в свою очередь вызывает резкий спад тока коллектора до незначительной величины, определяемой током утечки коллектора.В отличие от аналогичных полупроводниковых приборов, в которых на участке сотрицательной дифференциальной проводимостью уменьшение выходного тока происходит постепенно с увеличением выходного напряжения, в приборе по изобретенИю вследствие того, что к области коллектора 4 при выходном напряжении, соответствующем максимальному выходному току, сразу прикладывается напряжение, смещающее его р-и-переход в обратном направлении и большее напряжения смыкания коллекторной области, спад выходного тока при увеличении выходного напряжения будет очень резким.Устройство увеличивает отрицательную дифференциальную проводимость, а следовательно и быстродействие импульсных устройств на его основе,Формул а изобретенияМногоколлекторная транзисторная структура, содержащая полупроводниковую подложку, в которой образованы эмиттерная, базовая и коллекторные области с контактом к коллектору, который расположен между контактами к эмиттеру и базе, отличающаяся тем, что, с целью получения вольт-амперной характеристики с участком отрицательной дифференциальной проводимости, одна из коллекторных областей выполнена в форме кольца, внутри которого расположен контакт к базе, а расстояние между кольцом и соседней коллекторной областью равно внутреннему диаметру, величина которого пе превышает удвоенной ширины области пространственного заряда в полупроводнике в подложке,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе Топотав Кау 1 Ейжагй е 1 а 1, ТЬе ИЕИ 1: 1, А зцг 1 асе-соп 1 го 11 ед педа 11 че ппрес 1 апсе 1 гапз 1 з 1 ог, 1 ЕЕЕ агапэ. Е 1 ес 1 гоп. Реисез, 1977, 24, Мо 8, 1070 - 1076,2, Заявка ФРГ Мо 2609219, кл, Н 01 Ь 27/04, опублик, 1976 (прототип), 786748Составитель Т, Йоронежцева Редактор Е. Хейфиц Техред А, Камышникова Корректор Л. Слепая Заказ 1018/12 Изд. Мо 183 Тираж 758 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2