Способ очистки тетрахлорида ванадия

Номер патента: 207227

Авторы: Крашенинникова, Кул, Фурман

ZIP архив

Текст

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете МинистровСССР :546.05(088.8) Дата опубликования описания 26.11.1968 Авторы изобретения А. А. Фурман, А. А, Крашенинникова и А. С. Кулясова ЗаявительСПОСОБ ОЧИСТКИ ТЕТРАХЛОРИДА ВАНАДИЯИзобретение относится к способам очистки тетрахлорида ванадия, который может быть использован, например, в качестве катализатора процесса полимеризации олефинов.Известен способ очистки тетрахлорида ванадия от сопровождающих его примесей, в частности окситрихлорида ванадия, ректификацией исходного продукта, осуществляемойпри атмосферном давлении и температуре 152 С.Конечный продукт, полученный этим способом, неустойчив при хранениив течение10 месяцев степень его разложения составляет 31,8%.По предложенному способу процесс ведут при остаточном давлении не более 50 мм рт. ст. и температуре не выше 70 С. В результате получают конечный продукт достаточно высокой степени чистоты, степень разложения которого при хранении в течение одного года составляет 027%.Пример 1. 713 г технического тетрахлорида ванадия подвергают ректификации приостаточном давлении 15 мм рт. ст. и определяемой этим давлением температуре. Получают 498 г тетрахлорида ванадия чистотой 99,99%. Степень разложения конечного продукта при хранении его в течение 1 года составляет 027/0.При мер 2. 753 г технического тетрахлорида ванадия подвергают очистке. Процесс ведут как в примере 1, но при остаточном давлении 50 млт рт. ст. Получают 503 г тетрахлорида ванадия, степень чистоты и устойчивости которого та же, что и в примере 1.Способ очистки тетрахлорида ванадия от сопровождающих его приьтесех, в частности от окситрихлорида ванадия, путем ректификации исходного продукта, отличающимся тем,что, с целью повышения стабильности конечного продукта, процесс ведут при остаточном давлении не более 50 мм рт. ст. и температуре не выше 70 С.

Смотреть

Заявка

1101651

А. А. Фурман, А. А. Крашенинникова, А. С. Кул сова

МПК / Метки

МПК: G01K 15/00, H01L 35/20

Метки: ванадия, тетрахлорида

Опубликовано: 01.01.1968

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-207227-sposob-ochistki-tetrakhlorida-vanadiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки тетрахлорида ванадия</a>

Похожие патенты