Силовой диффузионный лавинный вентиль

Номер патента: 1774397

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: базовой, заряда, концентрации, носителей, области, р-п-перехода

...захваченных носителей с постоянной времени О, где 0 определяется параметрами ГЦ, Тогда разность между двумя значениями емкости в моменты времени т 1 и 1 г после окончания импульса инжекциие 11/О М е 1 г/О М (е ц/О- е сг/О): ЬСм, (3)где М - полная емкость р-п-перехода, обусловленная ГЦ.Если между окончанием импульса прямого напряжения и началом импульса обратного прошло время таад, при котором напряжение на структуре равно нулю, перезарядка ГЦ будет определяться двумя процессами;во-первых, термической ионизацией,во-вторых, во время Гзад, когда напряжение и, следовательно, электрическое поле вбазе р-и-структурыы равно нулю, захватомносителей из зоны с погтоянной времени г.После окончания тэад и начала импульса обратного напряжения...

Номер патента: 1131388

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий легирование монокристаллического кремния n-типа проводимости примесями - донором мелкого уровня (мышьяком) и акцептором мелкого уровня (бором) - с общей концентрацией примесей, превышающей 8 1018 атомов см-3, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа, на бездислокационную полупроводниковую подложку кремния наносят поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 3 - 10% ангидрида-диффузанта акцептора мелкого уровня или...

Номер патента: 771576

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Дорошенко, Кернер, Минин, Перельман

МПК: G01R 31/26

Метки: локального, области, перегрева, структуры, температуры, транзисторной

...эмиттер-база.формула изобретения ОфмоН ВНИИПИ Заказ 6688 Фираж 1019 Подписно филиал ППП "Патент .Ужгород,ул.Проект 4 ус,: фрр3 с 771576 4фв у)Эта цель достигается.тем, что на структуры определяют, например, изчальную температуру устанавливают меряя температуру этих областей инпутем пропускания тока, величина ко- фракрасным радиометром на негерметиторого соответствует максимальному зированном транзисторе той же серии,напряжению эмиттер-база, а изменение что и испытуемый.напряжения эмиттер-база измеряют при Предложенный способ повышает точтоке, превышающем эту величину. ность измерения температуры областейРасчеты и эксперимент показывают, локалЬного перегрева транзисторнойчто коэффициент К в приведенной фор- структуры, что позволит....

Номер патента: 1575829

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...