Способ подготовки образца кремния для определения дефектности структуры

(57) Назначение; иэобретени области микроэлектроники и пользовано для препарирова при контроле структуры крем изобретения: поверхность об гают обработке селективны Травление проводят путем э ского травления при освеще сти некогерентным светом проводят в две стадии, На и плотность энергии света н Дж/см, на второй не боле 1 ил. вательскии институт еских проблем им,В,С.Соловьев иИ.В.Ти 66, ч,52, р. 529, Г. 3. ЕестгосЫт. Яос есгосЬп). Яос, 1977,ОТОВКИ ДЕЛЕНИ БРАЗЦА ЕФЕКТПредлагаемый способ исследования дефектной структуры образца кремния поясняется схемой, представленной на чертеже.Исследуемый образец 1, снабженный тыловым контактом 2, укреплен на держателе 3, который помещен в электролитическуюванну 4 с катодом 5 и источником света 6, заполненную травителем для анодного электрохимического растворения, При приложении внешнего напряжения плотностьВтока, протекающего через границу раздела полупроводник-электролит в каждой точке, а следовательно, и скорость растворения материала. определяются, с одной стороны, .электрохимическими характеристиками используемого электролита и временем травления, которые постоянны для любой точки поверхности, и с другой стороны, геометрическими факторами, обеспечивающими различную скорость стравливания в зависимости от расстояния до катода и получения наклонного профиля травленной поверхности, конкретная форма которой ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) АНИЕ ИЗОБР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) СПОСОБ ПОДКРЕМНИЯ ДЛЯ ОПРНОСТИ СТРУКТУРЫ Изобретение относится к области микроэлектроники,а более конкретно - к технологии препарирования образцов и может быть использовано для контроля структурного состояния полупроводниковых материалов, Цель изобретения - повышение производительности процесса исследования дефектной структуры образца кремния,Указанная цель достигается тем, что в известном способе исследования дефектной структуры образца кремния, включающем обработку его поверхности селективным травителем, на образце приготавливают наклонный шлиф с помощью электрохимического анодного растворения материала при воздействии на поверхность образца некогерентным светом с плотностью энергии Ю 500 Джейсм, после чего выявляют дефектную структуру, переводя процесс травления в селективный режим путем снижения интенсивности облучения до уровня Я 150 Дж/см.(я)5 0 01 И 1/28, Н 01 е относится к может быть исния образцов ния. Сущность разца подверм травителем. лектрохимичении поверхно, Травление ервой стадии е менее 500 е 150 Дж/см,1800309 Составитель А.щитаехред М,Моргентал едактор ректор И,Шулла аказ 1158 ВНИИПИ Гос Тираж Подписноерственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 изводственно-издательский комбинат "Патент",т. Ужгород, ул.Гагарина, 101 определяется конфигурацией катода, расстоянием от него до образца и их взаимным расположением.Обнаружено, что при облучении поверхности образца кремния некогерентным светом от лампы накаливания с плотностью энергии Ю 2500 Дж/см, процесс травлениягне зависит от степени дефектности материала, наличия примесей, а также типаи концентрации носителей в пределах экспериментальной точности измерений. Данный эффект достигается за счет интенсивной генерации неравновесных носителей заряда в объеме образца, концентрация которых при указанной плотности энергии облучения существенно превышает фоновую величину, определяемую конкретными свойствами материала и оказывающую влияние на кинетику процесса растворения,Таким образом, осуществляя анодное электрохимическое растворение образца в оговоренных выше условиях, можно приготовить наклонный шлиф.с параметрами, которые заданы конкретной конфигурацией системы травления,Установлено, что способ дает возможность существенно повысить производительность процесСа исследованиядефектной структуры образца кремния, по 5 зволяя получить информацию о распределе- .нии кристаллографических дефектов поглубине, а также других объемных свойствахкристалла без дополнительных промежуточных операций стравливания тонких поверх 10 ностных слоев материала, при этомэкономия времени по сравнению с традиционными методиками в некоторых случаяхдостигает 50%,Формула изобретения15 Способ подготовки образца кремниядля определения дефектности структуры,включающий обработку его поверхности се.лективным травителем, о т л и ч а ю щ и й -.с я тем, что, с целью повышения производи 20 тельности процесса, селективное травлениепроводят путем электрохимического травления в две стадии при освещении поверхности некогерентным светом, причем напервой стадии травление проводят при25 плотности энергии света не менее 500Дж/см, а на второй стадии - не более 1502Дж/см .