H01L 21/38 — диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями

Номер патента: 140914

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Лихтман, Самохвалов, Татаренков, Червнявский

МПК: H01L 21/38

Метки: диффузионных, производства, сплавных, триодов

...с одной стороны пластинка 1 из полупроводникового материала (германия или кремния) закрепляется на базовой подкладке 2, выполненной, например, в виде кварцевого параллелепипеда, Крепление полупроводниковой пластины может производиться за счет ее припайки к двум никелевым штырьками. Затем подкладка вместе с пластиной вставляется в молибденовую кассету 4. где фиксируется плоскими пружинами 5 и 6. Кассета имеет два штыря 7 для фиксации с. соответствующими отверстиями шаблона 8. Шаблон изготовляется из слюды или кварца и имеет сквозные отвер14(,)914 Иредмег изобретения Способ производства вплавных диффузионных триодов с использованием шаблонов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии производства триодов, для создания...

Номер патента: 336727

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Павлов, Пашков, Туловчиков

МПК: H01L 21/38

Метки: hoteka, iпдтентй0-ш1, всесоюзная, не1ж15f, тух

...контейнера, образованного двумя коаксиально встав. ленными с зазором между стенками кварцевыми стаканами. Источник примеси помещен непосредственно на входе в рабочий объем, что позволяет подводить газовую фазу от источника к пластинам без промежуточного контакта ее с кварцевыми стенками. Однородность газовой фазы в рачочем объеме достигается за счет узкого (дцаметром до 1,5 лтлт) отверстия на входе в рабочий объем, где осу. ществляется интенсивное перемешцвацце газа. носителя.На чертеже схематически показан предлагаемый контейнер.Контейнер содержит внешний стакан 1, сваренный с подводящей;рубой 2, которая оканчивается узким отверстием 3. В конце подводящей трубы вплотную к отверстгпо 3 помещена лодочка 4 с источником примеси....