Способ получения тонкой базы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ дписная группа Л" 97. И. Курносов и Ю. И, СЛУЧЕНИЯ ТОНКОЙ БВОДНИКОВЫХ ПРИБ. Сущик,ПОСОБ ППОЛУПРО идоров ЗЪ РА анвлено 21 марта 1960 г, за658930/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРза 1960 г ллетене изобретений2 публиковано Способы получения тонкой базы в полупроводниковых приборах известны. Однако процессы получения тонкой базы при больших размерах полупроводниковых пластин, основанные на известных способах, весьма сложны.В предлагаемом способе процесс получения тонкой базы при меньших размерах полупроводниковых пластин значительно упрощен.Предлагаемый спосоо основан на известном факте, что если имеется прослойка некоторого сплава в монолите полупроводникового материала и он помещен в температурное поле с градиентом температуры, перпендикулярным плоскости прослойки, то прослойка будет перемещаться в сторону оольшей температуры при условии, что сама величина температуры достаточна для расплавления сплава. При этом участок полупроводникового материала, через который прошла прослойка (зона расплава), оудет легирован желаемой примесью, если последняя была в составе сплава.На фиг. 1 (положение а и б ) изображены различные этапы и;юцесса получения тонкой базы для структуры, содержащей один р=п переход, а на фиг. 2 (положение а и б) - от структуры, содержащей два р = п перехода.Для получения тонкой базы в структуре, садержашей один р = г пе рсход (фиг, 1, а и б) на пластину 1, выполненную, например, из кремния р-типа, накладывают пластину 2 из легирующей примеси, например силумина, и пластину 3, выполненную из кремния п-типа, Полученную структуру помешают в печь с заданным температурным градиентом (Т 1 ) Т,), направленным в сторону пластинки 3 из кремния и-типа (фиг, 1 а), Зная из опыта или соответствующего расчета скорость движения зоны при заданном градиенте, процесс ведут до тех пор, пока зона ра; плава не подойдет на необходимое расстояние (где д - толщина базы) к границе пластинки 3 из кремния и-типа. Зз133954тем, не охлаждая композиции ннжеточки звтектики ( - Ь 77), во избежание появления трещин в кремнии при малых величинах д, изменяют направление температурного градиента на обратное (Т 2) Т,) и отводят зону расплава в обратном направлении от полученной базы (фиг. 1,б) .Для получения тонкой базы з структуре, содержащей два р = и перехода (фиг, 2,а и б) на пластину 1, выполненную из кремния р-типа, накладывают пластинку 2 из силумина, пластину 3 из кремния п-типа, пластину 4 также из силумина, и, наконец, пластинку 5 из кремния р-типа. Причем желательно, чтобы обращенная в сторону большой гемпературы (Т,)Т) пластинка б из кремния р-типа была тоньше пластины 3 из кремния п-типа на величину И (фиг. 2,а). Помещают полученную структуру в печь с заданным температурным градиентом и ведут процесс до получения необходимой толщины базы д, после чего изменением направления температурного градиента на ооратное отводят зону расплава в пластине 3 из кремния и-типа (зона расплава в пластине 5 из кземния р-типа вышла при описанном процессе на повер:сиость пластинки и в обратном направлении двигаться не будет) от полученнои тонкой оазы и при необходимости выводят ее наруж (фиг, 2,6).Предмет изобретенияСпособ получения тонкой базы в полупроводниковых приборах, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью упрощения процес са получения онкой базы при больших размерах полупроводниковых пластин, на пластинку, выполненную, например, из кремния р-типа, накладывают пластинку из легируюшей примеси, например силумина и пластинку, выполненную из кремния п-типа, полученную структуру пом- щают в печь с заданным температурным градиентом, доводят зону расплава до границы пластинки из кремния п.типа и, не охлаждая композиции ниже точки эвтектики, изменяют направление температурного градиента, отводя зону расплава в обратном направлении.
СмотретьЗаявка
658930, 02.03.1960
Курносов А. И, Сидоров Ю. И, Сущик А. С
МПК / Метки
МПК: H01L 21/24
Опубликовано: 01.01.1960
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-133954-sposob-polucheniya-tonkojj-bazy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения тонкой базы</a>
Установка контроля базового среза полупроводниковых пластин
Номер патента: 1771006
Опубликовано: 23.10.1992
Авторы: Воронцов, Каргапольцев, Плотников, Черных
МПК: H01L 21/66
Метки: базового, пластин, полупроводниковых, среза
...4 получают движение от электродвигателя 22 через приводной шнур 23, взаимосвязанный с одним из шкивов 17, на которых расположены транспортирующие шнуры 16, Шкивы 17 вращаются на валах 18, установленных в стойках 19, 20. закрепленных нэ плите 21. Подвижный упор 5 от сработавшего электромагнита 27 через кронштейн 25, установленный на оси 26, переводится в поднятое положение, и его рабочая плоскость с вырезом оказывается над шнурами 16 транспортера 4. Пластина 49 краем базового среза упрется в упор 5 в точке А. Возникшие моменты вращения, воздействующие на пластину 49 от сил трения шнуров 16 о пластину 49 М 1=- Р 1 Н и М 2=Р 2 Ъ, вызовут вращение пластины относительно точки А по направлению:трелки М, так как М 1 М 2 из-за...
Способ утонения пластин с кристаллами полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 1787295
Опубликовано: 07.01.1993
Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук
МПК: H01L 21/304
Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения
...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...
Способ бесконтактного контроля чистоты поверхности полупроводниковых пластин
Номер патента: 1796079
Опубликовано: 15.02.1993
Авторы: Котов, Крячко, Олейниченко
МПК: H01L 21/66
Метки: бесконтактного, пластин, поверхности, полупроводниковых, чистоты
...поверхности полупроводниковых пластин реализуется следующим образом.Множество дискретных значений потенциала поверхности получают с помощью измерителя потенциала поверхности ИПП при сканировании платиновым зондом диаметром 500 мкм вдоль кремниевой пластины диаметром 100 мм с толщиной естественного окисла 50 А на расстоянии 30-50 мкм от поверхности без ее освещения и при40 где Чт - потенциал поверхности без ее освещения,Ъ - объемный потенциал материалапластины,ф мо цпотенциал выхода материала зонда,Хп= потенциал электронного сродства материала пластины,Ь - толщина диэлектрического слоя на поверхности пластинок.Например, для платинового зонда над поверхностью Я р-типа проводимости с удельным сопротивлением р=12 Ом см, на поверхности...
Способ получения кремния -типа проводимости
Номер патента: 747403
Опубликовано: 23.07.1980
Авторы: Карл, Манфред, Ханс-Эрих, Эрнст
МПК: B01J 17/40
Метки: кремния, проводимости, типа
...стекла, подобранные по размеру отверстия поглощающих дисков, Выполнение Р -профиля зависит от раэ - личной длины диафрагмирующих трубок 13 и 14, от их внутреннего диаметра и различной толщины поглощающего материала. Это устройство (см, фиг. 5) для легиронания Фосфором посредствомоблучения нейтронами монтируется нреакторе, который на рисунке не изображен.Изображенное на Фиг, 5 устройствоможет быть ныполнено, как показано на фиг, 6. Здесь для облучения дисков кремния 15 (причем на рисунке изображена заполненной только одна камера), применяется открытая с двух концов трубка 8 с незсущими элементами для дисков кристалла кремния, которые могут быть выполнены иэ поглощающего нейтрона материала в виде колец 16, Эти элементы размещаются на...
Автомат для контроля и разбраковки полупроводниковых пластин
Номер патента: 1732399
Опубликовано: 07.05.1992
МПК: H01L 21/68
Метки: автомат, пластин, полупроводниковых, разбраковки
...измерителем в контрольных точках фиг.7, представлены в таблице,Подача пластин.1 к измерителю 9 осу ществляется следующим образом.В исходном положении толкатели 3 и 4занимают положение по обе стороны от кассеты 5 подачи пластин, и после включения линейного шагового двигателя 23 связан ный с его плунжером 24 ролик 18 перемещает пластину 1 в зону контроля, После завершения цикла кОнтроля автомат в зависимости от результатов контроля сбрасывает пластину 1 в контейнер 11 брака или 55 перемещает ее в одну из кассет (позиция ана фиг,8).После того, как достигнуто симметричное расположение роликов 18 и 19 относительно выбранной кассеты, линейный шаговый двигатель 23 останавливается и путем поворота стопора 15 с помощью электромагнита 13 (фиг.3)...
Предыдущий патент: Способ электрической формовки полупроводниковых диодов
Следующий патент: Способ непрерывной регистрации электронограмм
Случайный патент: Гидравлическая система транспортного средства