Способ изготовления кремниевых диффузионных диодов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
140499 Предмет изобретенияСпособ изготовления кремниевых диффузионных диодов диффузией примесей из стеклообразующих соединений, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения параметров диодов и упрощения технологии их изготовления, стеклообразующие соединения, например, водный раствор ортофосфорной кислоты при кремнии р-типа и водный раствор буры при кремнии п-типа наносят на окисленные кремниевые пластины, проводят диффузию в атмосфере воздуха до получения выпрямляющих переходов и переходов для невыпрямляющего контакта, промывкой снимают стекловидные пленки, осаждают никель на область невыпрямляющего контакта, локально осаждают золото, разрезают пластины между участками, покрытыми золотом, и стравливают не защищенные золотом участки кремния до плоскости р - п-перехода. Гоставитсль описания В. Г, Туфельд Редактор А. К. Лейкина Техред А. Л. Резник Корректор П, Е, Евдокимов Формат бум. 70(1081/1 вТираж 1200ЦБТ 1 Л при Комитете по делам изобретений и открытийпри Совете Министров СССРпри Совете Министров СССР Поди. к печ. 12.1-61 гЗак. 9069 Объем 0,18 изд. л.Цена 4 коп. Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Говете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.Высушенные пластины помещают в печь, где в течение нескольких часов при высокой температуре порядка 1300" производится окисление поверхности пластин кремния. После охлаждения пластин на их по. верхность наносятся соединения, содержащие необходимые легирующие элементы, которые при высокой температуре образуют совместно с двуокисью кремния стекловидные слои, Для создания выпрямляющих переходов на кремнии р-типа используется водный раствор ортофосфорной кислоты, а на кремнии г-типа - водный раствор буры.Пластины с нанесенными на окисную пленку составами вносятся для проведения диффузии в печь, температура которой должна быть не ниже точки образования жидкого стекловидного слоя на поверхности кремния.Во время этого процесса на пластинах кремния образуются одновременно как выпрямляющие, так и не выпрямляющие переходы. Образовавшиеся во время процесса диффузии на поверхности кремния твердые стекловидные пленки снимаются промывкой в горячей азотной и плавиковой кислотах.Контакты к диффузионным слоям получают нанесением слоя ни. келя толщиной 5 - 7 мк химическим путем с последующим отжигом в вакуумной установке при температуре около 700 в течение 1 час. Никель наносится в два слоя, причем на последний слой электролитически в цианистой ванне наносят локально слой золота толщиной 4 - 5 мк при помощи трафарета или замазки. Полученные пластины разрезают на отдельные квадраты или шайбы так, чтобы линии реза проходили между участками, покрытыми золотом. Поверхность, нарушенная прп разрезке по торцам квадратиков и шайб, травится в кипящей щелочи, При этом благодаря устойчивости никеля к щелочам не происходит травления со стороны нижней и верхней плоскостей пластин, Для получения стабильных параметров диодов окончательное травление до плоскости р - и-переходов производится в полирующих смесях плавиковой и азотной кислот. После последующей промывки в деионизованной воде полученные кристаллы пригодны к сборке диодов,
СмотретьЗаявка
662475, 11.04.1960
Брук В. А, Ратенберг И. С, Недобейко А. Я, Сущик А. С, Фронк С. В
МПК / Метки
МПК: H01L 21/329
Метки: диодов, диффузионных, кремниевых
Опубликовано: 01.01.1961
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-140499-sposob-izgotovleniya-kremnievykh-diffuzionnykh-diodov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кремниевых диффузионных диодов</a>
Способ легирования пластин кремния
Номер патента: 1507129
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина
МПК: H01L 21/268
Метки: кремния, легирования, пластин
Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.
Устройство для термического окисления пластин кремния
Номер патента: 535771
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Воинов, Глущенко, Морохов, Фарбер
МПК: C30B 31/06
Метки: кремния, окисления, пластин, термического
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ, включающее горизонтально установленный кварцевый реактор, снабженный магистралями для подачи кислорода и воды с каплеобразователем, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса окисления, реактор снабжен поперечной перегородкой с окном, отделяющей место расположения пластин от магистралей подачи воды и кислорода, а каплеобразователь - наклонно расположенным в полости реактора патрубком, выходное отверстие которого расположено ниже окна в перегородке.
Электролизер фильтр-прессного типа для электролиза водного раствора хлорида щелочного металла
Номер патента: 717930
Опубликовано: 20.07.1999
Метки: водного, металла, раствора, типа, фильтр-прессного, хлорида, щелочного, электролиза, электролизер
1. Электролизер фильтр-прессного типа для электролиза водного раствора хлорида щелочного металла, содержащий электродные блоки, выполненные в виде плоских полых металлических коробок с закрепленными электродными элементами, составляющими рабочую поверхность электродного блока, ионообменные мембраны, расположенные между электродными блоками и стянутые вместе с блоками в единый комплект через герметизирующие и электроизолирующие прокладки, и устройство для подачи электролита и вывода продуктов электролиза, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности электролизера и снижения расхода электроэнергии, коробка снабжена герметичной перегородкой, расположенной параллельно рабочей поверхности...
Способ окисления пластин кремния
Номер патента: 1099782
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Канищев, Костенко, Куксо, Пухов, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/316
Метки: кремния, окисления, пластин
Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.
Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния
Номер патента: 1387797
Опубликовано: 20.06.2000
Автор: Фомин
МПК: H01L 21/314
Метки: геттера, кремния, монокристаллических, пластинах
Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.
Предыдущий патент: Устройство для бесстартерного включения люминесцентных ламп
Следующий патент: Электронная лампа с катодной сеткой
Случайный патент: Регулировочное устройство