Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов

Номер патента: 953536

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Борисов, Горюнов, Назарова

МПК: G01N 19/04

Метки: качества, подложки, полупроводниковой, соединения, электровыводами

...к свободным выходам источника 3 напряжения и измерительного 2 оприбора 4 и блока 2 электрическойнагрузки. К испытуемому соединению 5прикладывают одновременно механическую и электрическую нагрузки.Механическую нагрузку отрыва электрровыводов от полупроводниковой подложки создают блоком 1 механическогонагружения, например вибростендом, аэлектрическую - от источника 3 напряжения, на котором устанавливают рабочее напряжение 30-60 В, При прохождении электрического тока черезполупроводниковую подложку рабочеенапряжение источника 3 напряжения понижается до напряжения срабатывания35полупроводниковой подложки, котороез ави си т от ее мате ри ала, и, напри"мер, для кремниевой полупроводниковойподложки составляет О,8-1,6 В,В случае...

Номер патента: 788050

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Бобров, Соболев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентиля, внутреннего, полупроводникового, силового, сопротивления, теплового

...силовогополупроводникового вентиля с паянными контактами и одностороннимохлаждением измеряют и сравниваюттемпературы основания корпуса и гиб 25 кого силового вывода в месте его запрессовки, а предельно допустимоезначение теплового сопротивления фиксируют в момент появления превышениятемпературы гибкого силового выводаЗо над температурой корпуса,Всесоюзный ордена Трудоного Красного Знамени научноисследовательский институт железнодорожного транспортаЗаказ 8345/53 Тираж 1019 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Суцность предлагаемого способа контроля внутреннего теплового сопротивления силового...

Номер патента: 938219

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Беляков, Голубев, Грицевский, Груздев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, теплозащищенных, элементов

...Вп, =80 оС.Схема содержит резисторы 1 и 2, величина сопротивления каждого из ко. торых равна (1/2 Йп) - половине соб-. ственного теплового сопротивления терморегулятора, резистор 3 (Й) - контактное сопротивление терморегулятор-полупроводниковая структура, В.п - тепловое сопротивление, равное Йп, = 1/2 В., + В емкость 4, Сптеплоемкость термор.гуля 1 ора, резистор 5 и емкость 6 йт и Ст - тепловое сопротивление и теплоемкость полупроводниковой структуры, соответственно, Чт - мгновенный перегрев терморегулятора, Чп - мгновенный перегрев полупроводниковой структуры.1 В реальном теплозащищенном приборе выполняются следующие соотношения:й йт; СС,; "-т 1 где п - пк Сп а Тт = йт СтПусть в произвольный момент времени С = С; полупроводниковая...

Номер патента: 1649473

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Долгов, Моторин, Рабодзей, Сычев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, корпусу, кристалла, неразрушающего, полупроводникового, присоединения

...протекающего через р-и переход тока, процессор дает команду блоку 6 выборки-хранения запомнить мгновенное па деиие напряжения на р-и переходе, а аналого-цифровому преобразователю 5 - измерить его величину, Благодаря малому изменению падения напряжения на р-и переходе б,Н из-за нагрева последнего,(см. Фиг. 2 б), а также соответствующего выбора смещения разностного усилителя 7 и его коэффициента усиления напряжения на выходе блока 6 выборки-хранения находится в динамическом диапазоне второго аналогоцифрового преобразователя 5, чем и обеспечивается нормальная работа последнего (на фиг. 2 а представлена эпюра тока на р-и переходе), Измеренное значение падения напряжения на нагретом р-и переходе запоминается микроЭВМ 9. По измеренным...

Номер патента: 128520

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронин, Гринберг

МПК: H01L 35/34

Метки: отрицательного, охлаждающего, положительного, полупроводникового, термоэлемента, электродов

...прессования. ения дмет изо ельного электродов на основе теллурпщи йся тем что а) пресс-форме, а й тер моо бр а ботке в изготовления отрицательного го полупроводникового терм ений путем прессования, производится в холодной 1 б ые электроды подвергаются п и положитоэлементатличаюз подогревоследующ Спосооохлаждающстых саедпрессованиотпрессовавакууме,Предлагаемый способ отличается от известных тем, что прессование производится в холодной (без подогрева) пресс-форме, а отпрессованные электроды подвергаются последующей термообработке в вакууме.Применение такого способа упрощает технологический процесс изготовления электродов и позволяет получать электроды, обладающие более высокими техническими свойствами.Согласно предлагаемому способу...