Способ защиты кристаллов кремния

Номер патента: 137893

Авторы: Дубровский, Мельник, Одинец

ZIP архив

Текст

Класс 1211, 1121, 3813893 СССР БИБЛИОТЕКА ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУПодписные группы ММЪ 43 и 4 а В. Г. Мельник,овский, Одине СОБ ЗАЩИТЫ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Заявлено 17 и 1 оия 1960 г ва,Ло 670385123 в Комитет по дела и открытий ири Совете Министров СССР изобретений ене изобретений М аа 1 1 г. публиковано в Болл ана и залита водои,процессе оксидпроИзвестен способ защиты кристаллов кремния от внешних химических воздействий созданием на их поверхности оксидного защитногослоя, О этой целью кристаллы кремния подвергаот электрохпмпческочокислению в растворах солей, кислот или основанн 11. Однако вследствиетого, что при электрохимическом окислении слой окисла содержит всебе элементы, входящие в состав электролита, данный способ непригоден для получения чистых окпсных пленок, необходимых для защитыкристаллов кремния полупроводниковых приборов. Кроме того, применение многокомпонентных электрохимических растворов связано сосложной задачей предварительной очистки исходных реактивов.В отличие от известного, предлагаемый способ предусматриваетэлекртохимическое окисление кремния в чистой обессоленной воде с применением кремниевого катода. Спосоо обеспечивает необходимуо чистоту и достаточнуо толщину оксидного покрытия,Практическое осуществление способа заключается в следуощем. Надне сосуда из органического стекла монтируют кремниевый катод высокой степени чистоты, после чего параллельно ему на расстоянии 5 - 10лл в специальной ячейке закрепляют кремниевый анод, подлежащийпокрытию оксидной пленкой. Вода, используемая для электролиза, предварительно очищается ионнообменным способом и имеет удельное сопротивление 1 - 1,5 лгол. сл,После того как электрохимическая ячейка собрна электроды подаот ток напряжением 20 - 30 в. В137893 вания ток непрерывно падает (особенно сильно в начальный период до достижения насыщения, что соответствует толщине оксидной пленки порядка 2000 А., Толщину пленки определяют емкостным методом, пред. полагая, что диэлектрическая проницаемость пленки равна диэлектрической проницаемости кварца. Тангенс угла диэлектрических потерь для окисленного кристалла равен 0,1. Пр едмет из о бр етения Редактор С, А, Барсуков Техрсл А. А, Камышникоза Корректор Ю, Рябцова Формат бум 70 Х 108/6 Тираж 650 ПЫИ прп Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, И Черкасский перд, 2/6Объем 0,17 уел. п, л,Цена 3 коп, Полн, к печати 13/1 -61 1066 Кирякачская гипография отдела издательств и полиграфической промышленности Владимирского областного Управления культуры.Способ защиты кристаллов кремния, например, полупроводниковых приборов, от внешних химических воздействий путем создания оксидной пленки электрохимическим окислением, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью упрощения окисления, его проводят в чистой, например, обессоленной воде, и используют в качестве катода кремний.

Смотреть

Заявка

670385, 17.06.1960

Дубровский Л. А, Мельник В. Г, Одинец Л. Л

МПК / Метки

МПК: C30B 7/12, H01L 21/316

Метки: защиты, кремния, кристаллов

Опубликовано: 01.01.1961

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-137893-sposob-zashhity-kristallov-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ защиты кристаллов кремния</a>

Похожие патенты