Интегральная схема

(51)4 Н 01 1. 2 ОСУДАРСТВЕ ННЫЙ О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТ МИТЕТ СССРЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИСАН М АВТОРСКОМ ЗОБ ЕНИЯ(54) (57) ИНТЕ рительного у лупроводнико ми контактом ти, включающи НАЯ СХЕ 1 А предва. ржащая по- омическипров одимо сорого тина илнтеля, содую подложку ервого тнп ласть в 7 ВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Патент США У 3278853,кл. 330-24, опублик, 1966.Патент США Ид 4050031,кл, 330-24, опублик. 1977. проводимости, в которой образован полевой транзистор с управляющим р-п переходом, а также с областями стока, истока и верхнего затвора, сопротивление последовательно включенное с областью истока и диод, о т - л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью снижения собственных шумов и повышения входного сопротивления, сопротивление сформировано в област второго типа проводимости, один из контактов которого расположен между контактами к подложке и области истока, а другой является общим с контактом к области истока.858494 областями стока, истока и верхне гозатвора, сопротивление, последовательно включенное с областью истокаи диод, сопротивление сформированов области второго типа проводимости,один из контактов которого расположен между контактами к подложке иобласти истока, а другой являетсяобщим с контактом к области истокаНа фиг. 1 дан вид сверку,на фиг,2 разрез А-А на фиг. 1,Интегральная схема содержит полупроводниковую подложку 1, омическийконтакт 2, область второго типапроводимости 3, омический контакт кобласти стока 4, комический контактк области истока 5, верхний затвор6, контакт сопротивления 7, сопротивление 8.Снижение собственных шумов в предварительном усилителе, а также повышение его входного сопротивлениявозможно в связи с тем, что все элементы интегральной схемы, содержащей полевой транзистор, управляемыйр-и переходом, диод во входной цепии сопротивление в цепи истока, формируются на единой полупроводниковойподложке без изолирующих областеймежду ними, а сопротивление в цепиистока транзистора формируется какнеотделимая от канала транзистора область с проводимостью, противоположной проводимости подложки, удаленныйот канала конец этой области соединяется с положительным полюсом источника питания в случае р-канального транзистора,. При этом в качестведиода для отвода тока утечки затворатранзистора используется . р-и переход,образованный между подложкойи областью сопротивления. Входнойомический контакт выполняется на поверхности подложки.Устройство по изобретению может быть использовано, например в миниатюрном электретном микрофоне, для миниатюрного слухового аппарата, а также для усиления слабых электрических сигналов от высокоомных датчиков информации, в качестве высокоомного входа измерительных усилителей и преобразователей переменных электрических сигналов в постоянный ток, в сенсорных системах управления. Изобретение относится к областиполупроводниковой микроэлектроники,в частности к микросхемам предварительных усилителей низкочастотных5сигналов от высокоомных источников,которые могут применяться в качестве предусилителей электретных микрофонов .Известна микросхема предваритель. ного усилителя низкой частоты, реализованная на полевом транзисторе идиоде для отвода постоянного токаутечки затвора транзистора.Недостатком такого устройства является относительная сложность изготовления за счет того, что элементысхемы формируют в отдельных изолированных р-и переходом областях онокристаллической подложки.20Наиболее близкой по техническойсущности к устройству по изобретению является интегральная схемапредварительного усилителя, содержащая полупроводниковую подложку с 25омическими контактом первого типапроводимости включающим область второго типа проводимости, в которойобразован полевой транзистор с управляющим р-и переходом и областями сто- ЗОка, истока, а также верхнего затвора,сопротивление последовательно включенное с областью истока и диод.Недостатком такой интегральнойсхемы является высокий уровень шумовза счет наличия на входе диоднойструктуры с большой площадью перехода, значительно превышающей площадьзатворного перехода полевого транзистора, что снижает также входноесопротивление микросхемы. Кроме того, источником шумов являются ир-и переходы, разделяютие элементымикросхемы,Целью изобретения является снижение собственных шумов и повышениевходного сопротивления.Поставленная цель достигаетсятем, что в известной интегральнойсхеме предварительного усилителя,содержащей полупроводниковую подложку с омическими контактом первоготипа проводимости, включающей областьвторого типа проводимости, в которойобразован полевой транзистор с управляк им р-и переходом, а также с858494 Т,Во вчук аКорректор Л.Пилипенко едактор Н.Снльнягин ое аказ 648 оизводственно-полиграфическое предприятие, г. Ухгород, ул, Проектная, 4 Составите Техред А,К Тирах 746НИИПИ Государственногопо делам изобретений35, Москва, Ж, Рауш омитета СССРоткрытийая наб , д. 4/