Патенты с меткой «поликристаллических»

Номер патента: 473699

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Анастасюк, Олейников, Першин, Третьяков

МПК: C04B 35/00

Метки: поликристаллических

...материалов, заключающийся в том, что исходные реагенты распыляют, заморажпвают до температуры охлаждающей среды, сублимнруют и подвергают термической обработке в неподвижном слое. Процесс разложения сублимировапного порошка во многих случаях состоящего из термически устойчивых солей, например, сульфатов, осуществляют при темисратурах 800 - 1200 С за 6 - 10 час.Предложенный способ отличается тем, что с целью улучшения изготовления полпкристаллнческих материалов и повышения их качества, термообраоотку ведут в кипящем слое при температурах 700 в 9 С.П р и м е р. Получение 11 - Ха феррпта хао,озо 1.1 о,4 в 4 Ге ,в 04.Для изготовления 1.1 - Ха феррита Ха оозв 1.1 о 4 о 4 Ге.,з 04 15% -ный водный раствор сульфатных солей, содержащ 4...

Номер патента: 411725

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Верещагин, Вобликов, Преображенский, Степанов

МПК: C01B 31/06

Метки: агрегатов, алмазных, заданной, поликристаллических, формы

...угперодсодержащей модепи-заготовки, имеющей форму будущего издепия, в импульсном режиме нагрева при температуре 10овыше 1500 С и давлении выше 80 кбар в присутствии порошкообразного катализатора. Однако такой способ не обеспечивает получения деталей машин, инструмента и других изделий сложной формы, 15Предлагаемый способ отличается тем, что для изготовления указанных изделий заданных размеров и любой формы поверхности используют модель-заготовку с размерами, на 20-30% превышающими размеры буду щего изделия, а порошкообразный катализатор - с размерами частиц, меньшими минимальных деталей рельефа модели-заготовки,В реакционную камеру высокого давления помещают графитовую модель, выпол ненную, например, в виде гайки с линейными размерами,...

Номер патента: 575557

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Кучеренко, Михайлов, Монахов, Монахова

МПК: G01N 27/02

Метки: бора, внутренних, дефектов, кубического, нитрида, основе, поликристаллических

...контроля,включающий нанесение на поверхность исследуемого материала покрытия, пропускацие электрического тока и измерение электрических характеристик 1 21,1 едостатком способа является необьективцость контроля, та как вце поликристалла имеет олее циз теское сопротивление, чем остаЦелью изобретения является точности контроля,Поставленная пель достигве с поверхности материала предвт, а в качестве и П р и м е р, Были использоваць 1 цилицъ рические заготовки ца основе кубического нитрида бора, Заготовки перед измерением тшательно очишали от графита в концентрированной серной кислоте с добавкой,тЪ бихромата калия, затем в асплаве щелочей Iедкое кали и едкий натр . 11 вдежный электрический контакт к заготовкам обеспечивали нанесецием...

Номер патента: 329761

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Варфоломеева, Верещагин, Преображенский, Слесарев, Степанов, Штеренберг, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: агрегатов, алмазных, заданной, поликристаллических, формы

...Составитель Н СеменоваРедактор О, Филипповн Техред О. Луговая Корректор С, Ц 1 екм арЗаказ 422 /2 Тираж 658 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров ССс Р по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж 35, Рауаская наб., д. 4/5филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 нагрев приводит к прибавке давления в камере, Это, по-видимому, облегчает кинетику превращения графита.в алмаз, увеличивая неустойчивость решетки графита. Нагрев заканчивают в момент быстрого нарастания электросопротнвления реакционной ячейки в несколько раэ. Расположение катализатора в виде порошка по периферии графитовой заготовки приводит к росту алмазного полнкристалла в направлении от поверхности к центру графита, который таким...

Номер патента: 605807

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Грищенко, Могиленский, Полонский

МПК: C04B 35/18, C04B 35/80

Метки: волокон, неорганических, поликристаллических

...Совета Министров СССР по делам изобретений ы открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП фПатентф, г, Ужгородул. Проектная, 4 воде соли с высокой гигроскопичностью,в количестве 0,5-10 вес.В от веса йеоуганкческого окисла.При этом при введении в смесьМЯСА БНО количество последней составляет 2,6-3 вес,Ф.Эффект сохранения влажности, а следовательно, и пластичности волокна,достигается эа счет способности крыс., таллогидрата адсорбировать влагу иэвоздуха, а также образовывать ориентированные диполи молекул кристаллизационной воды обладающие вязко-пластичными свойствамиВ качестве гигроскопической солимогут быть использованы соединения металлов, либо входящих в состав мате риала волокна, либо положительно...

Номер патента: 635071

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Левина, Старцева, Третьяков, Фокин

МПК: C04B 35/472, C04B 35/48, C04B 35/491 ...

Метки: оксидных, поликристаллических

...(соосажденные с предварительнь;м замораживанием) гидроокиси и продукты их термического разлокения отличаются повь 1 шенной химической однородностью Продукты термического разложения ериосоосажденных п 1 дроокисей при 500 - 650 С состоят из частиц (кристаллитов или их агрегатов) От 0,5 до 10 - 12 лкл.П р и м е р 1, К 481.9 лл азотнокислого раствора титана с концентрацией 0,0578 глл по Т 10 прцоавляют 286,6 лл раствора нитрата свинца с концентрацией 0,2798 г/лл по РЬО, 6,8 лл раствора нитрата лантаца с концентрацией 0,2168 г,лл по 1.а 20, и 2,95 .цл раствора нитрата марганца с концентрацией 0,1069 г/лл по МНО 2.,Раствор за мор аживают распылением через многодырочную фильеру с дцамет 1 ол отверстий 50 лкл при избыточном давле 1...

Номер патента: 654278

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Волынцев, Гаврилова, Жибоедов, Макаров, Скотников, Третьяков, Фокин

МПК: B01J 17/04

Метки: главной, гранул, групп, металлов, окислов, периодической, подгруппы, поликристаллических, системы, элементов

...2, Раствор нитрата цирконила готовят, как описано в примере 1. После этого его обрабатывают 10%-ным раствором аммиака до рН 0,5. К обрабэ танному раствору прибавляют 25 мл 6% ного раствора поливинилового спирта. По лученный после перемешивания раствор подвергают распылению, замораживанию и сублимационной сушке, а также терми ческому разложению в режимах, описанных в примере 1.П р и м е р 3, Раствор нитрата цир конила готовят, как описано к примере 1. После этого его обрабатывают 10%-ным раствором аммиака до рН 1,5. К обрабо танному раствору прибавляют 20 мл 7,5%-ного раствора крахмала. Полученный после перемешивания раствор подо. Температура разложения, С Выход целых гранул, % Отклонение от сферичности, % Плотность гранул после...

Номер патента: 665208

Опубликовано: 30.05.1979

Авторы: Бекренев, Федоров

МПК: G01B 15/02

Метки: основаниях, покрытий, поликристаллических, толщины

...заключающийся в том, что направляют рентгеновский пучок под углом к контролируемому объекту, регистрируют интенсивности излучений, рассеянных от основания с покрытием 1 и от основания без покрытия - 1 и по их отношению судят о толщине покрытия 2. случае тонкого покрытия, поглощениетгеновских лучей в нем настолько мапезультате измерения интенсиви 1 они получаются почти одичто даст малую точность.1 зобретення является повышение измерения.остигается за счет того, что нарентгеновский пучок на контрообъект под углом, который опреиз условия 2(10/1 П 0(5, Резульения имеет минимальную погпри=35,1 0 Для определения толпредлагаемому методу бпокрытия и устанавливле рентгеновского аппарпервичному лучу, составко градусов, Затем опрность...

Номер патента: 745882

Опубликовано: 05.07.1980

Автор: Соловьева

МПК: C04B 35/00

Метки: выявления, металлов, микроструктуры, окислов, поликристаллических, спеченных, тугоплавких

...аншлифовна стадии получения образцов,Это достигается эа счет того,что в способе выявления микроструктуры поликристаллических тугоплавкихокислов, включающем операции получения образцов прессованием и спеканием745882 Формула изобретения Составитель Н. СоболеваРедактор Н. Воликова Техред А. Щепанская Корректор С,Шекмар Заказ 3886/16 Тираж 671БНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Подпи сное Филиал ППППатент , г. Ужгород, ул, Проектная, 4 и"изготовление аншлифов, прессованиеосУщесТиОяют пуансонами, поверхностькоторых обработана по классу шерохов , и Н о озй уПрессование проводят при комнатйой температуре и давлении 1000-4000кг/см . Размер образцов 10-15 мм диаа"...

Номер патента: 859890

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: пленок, поликристаллических, толщины

...дифракционной картины, образец рентгенографируюг в неподвижном состоянии при значении угле наклона, соответствующем исчезновению дифракционных отражений от подложки, при этом перемещают детектор излучения по окружности фокусировки, а глубину .анализируемого слоя. определяют по формуле40 она 1а преломление ренггелучейскорость пеуемещенияизлучения;т линейного ослабле 50 Ьфния;Е - суммарная (интенсивность дифрагированных И;- мощность первиаого пучка;9 - доля дифрагированных лучей внаправлении даюого дифракционного отражения.Для несимметричного (Ы, с 9) ения рентгеновских луней ог исса и определяют глубину анализируема о слоя.П р и м е р 1, В качестве исследуемого образца берут алюминиевую фольгу толщиной 20+1 мкм и ренггенографируют ее...

Номер патента: 864117

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Андреева, Левинская, Обухов

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектов, материалах, поликристаллических, ультразвуковой

...воздействия, например нажатия или удара. Причем установлено, что величина этого изменения зависит от наличия в образце дефектов. В случае. дефектов происходит значительное изменение резонансной частоты.Согласно предлагаемому способу по известной методике определяется резонансная частота исследуемого образца. Затем он подвергается механическому воздействию. Это может быть осуществлено. в виде приложения давления к торцу образца. Желательно зто проводить в течение 30-60 с. После снятия нагрузки необходимо сразу же вторично провести измерение резонанс864117 Формула изобретения Составитель С.Федоров Редактор Т.Парфенова Техред М. Табакович Корректор О.БилакЗаказ 7771/63 Тираж 910 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам...

Номер патента: 875586

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Кицюк, Новиков, Соснин, Шлипченко

МПК: H03H 3/00

Метки: поликристаллических, пьезоэлементов

...ипрессуют заготовки в электрическом поле,после чего производят высокотемпературныйобжиг, металлизацию н поляризацию и ементов.П р и м е р, Пьезокерамический материал ЦТБС - 3, синтезируют в стехиометрическомсоотношении из окислов циркония, титана,бария, свинца по реакции в твердой фазе пр1100 С с последующими технологическимиоперациями, включающими дробление спека двеличины зерна 3 - 5 мкм, пластификацию массы 5%-ным раствором поливинилового спирта.Прессование заготовок пьезоэлементов в элек875586 10 Составитель Н. БанковТехред А,Бабинец Редактор О. Черниченко Корректор Л. Ьокгнан Тираж 991 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Заказ 9378/84 Подписное Филиал П...

Номер патента: 939424

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Морозов, Новиков

МПК: B28B 1/26, C04B 35/00

Метки: литья, поликристаллических, шликер

...времени изменения поля.Применение периодических полей положительной и отрицательной полярности позволяетзначительно продлить время взаимодей. ствия наведенного дипоня с внешним полем и довести его до времени, н течение которо. го существует внешнее поле. При этом важную роль играет период внешнего поля, который должен быть меньше удвоенного времени жизни неконлинеарной полю составляющей дипольного момента, наведенного на любой частице порошка.Жидкие диэлектрики Не приспособлены дня выполнения функций вяжущих, они медленно испаряются, поэтому для придания механической прочности отформированному путем литья изделию его охлаждают до температуры ниже температуры застывания диэлектрика, вынимают из формы при этой температуре и помещают в...

Номер патента: 958994

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Касаткина, Лядов, Носков

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитной, полей, поликристаллических, ферритов

...анизотропии в поликристаллических ферритах, включающий анализ спектров магнитной проницаемости 1).Однако этот способ является косвенным и,в основном, пригоден для измерения относительно больших полей, т,е. имеет ограниченный диапазон применения.Известен другой способ определения полей магнитной анизатропии поли- кристаллических ферритов, включающий определение ширины линии ферромагнитного резонанса (ФМР) образца и вьделение составляющей, пропорциональной полю анизотропии 12).Способ имеет невысокую точность 25 вследствие того, что ширина линии ФМР в общем является суммой пяти- шести составляющих, и выделение составляющей, пропорциональнбй полю аниэотропии, возможно лишь, когда ЗО большинство остальных составляющих пренебрежимо...

Номер патента: 976358

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, образцов, поликристаллических, рентгеноструктурного

...-коэффициент, линейного ослабления;суммарная интенсивность дифрагированных лучей; (6.- скорость перемещеният 5 детектора излучения;- мощность первичного пучка и (, - доля дифрагированных лучей в направлении данной интерференции 1 21,Однако для известного способа характерны нарушение фокусировки прирентгенографировании нв дифрактометре Брегга-Брентано неподвижного образца и невозможность получения колицеформула изобретения Составитель Т. рладимироваРедактор Л. Гратилло Техред И.Гергель Корректор Б. Рошко Заказ 8995/71 Тираж 887 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,5 97635В предлагаемом способе...

Номер патента: 1062579

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Григорьев, Евграфов, Кринари, Халитов

МПК: G01N 23/207

Метки: аксиальной, анализа, дифрактометрического, объектов, поликристаллических, рентгеновского, текстурой

...под Углом 2 8, а плоскость образца подсоответствующим ему углом сд к направлению прямого пучка и приводядетектор и держатель образца в совместное синхронное вращение такимобразом, что угловое положение образцаи детектора 6 в каждый моментудовтелворяет соотношению:5 о 9 о= ки6 асс со 5и 6 65)гоотры элементари прямой ресос -со 5 Со(со Во 5н у доопар амной ячейщетки; де где- число натурального ряда0; 1; 2 и т.д.После этого повторяют указанную операцию для всех значений 9 г и, регистрируя при этом интенсивность рассеянного излучения, устанавливают углы дифракционных максимумов для отражений общего положения,Б основу способа положены особенности дифракции.рентгеновских лучей на поликристаллических объектах с ярко выраженной аксиальной...

Номер патента: 1097555

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Можаев, Третьяков, Шабатин, Шередеко

МПК: C01B 13/14, C04B 35/00

Метки: оксидных, поликристаллических

...Полученные криогранулы размером 3-70 мкм отделяют от жидкого азота декантацией и небольшими порциямипомещают в 654, 1 мл предварительноохлажденный до -30 С раствор щавелеовой кислоты в этиловом спирте с концентрацией Н С 204 0,1837 г/мл(20,1 мас,Ъ) при интенсивном перемешивании. После прибавления последнейпорции криогранул смесь выдерживаютпри -300 С в течение 1 ч. Затем температуру смеси повышают до комнатной,Осадок оксалата кобальта отфильтровывают, промывают дистиллированнойводой, сушат при 95 С 2 ч и дегидраотируют при 200 фС 30 мин. Данные электронно-микроскопического и микроскопического анализов по размеру частицполученного оксалата кобальта приведены в табл. 1. Размер частиц образца Со 04, полученного...

Номер патента: 1221558

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, массивных, неразрушающего, объектов, поликристаллических, послойного, рентгеноструктурного

...дифракционнойлинии подложки,Доводят поверхность подложки до13-14-го классов чистоты (Б=0,040,08 мкм) и рентгенографируют приоуглах наклона 2-3 , причем в ходесъемки держатель образцов остается5101520 неподвижным относительно оси гониометра, а детектор излучения перемещается в рабочем интервале двойных угловотражения,При съемке используют юстировочныещели (0,05 мм), для которых величинаЮ горизонтальной расходимости пучкаосоставляет 0,13 . Значения а, находятся в интервале+и/2 сагсс 1 (ь 9/о) - 1 Г,9 где ч, - угол полного внешнего отражения рентгеновских лучей,равный для меди 0,48 ; ь 9 - точностьрегистрации углов на гониометреГУР, составляющая +0,005 , 3 - декремент показателя преломления (длямеди в выбранном излучении 35,5 10 ).Таким...

Номер патента: 1245966

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Беляевская, Ингал, Комяк, Мясников

МПК: G01N 23/20

Метки: гинье, дифрактометр, исследования, поликристаллических, рентгеновский, схеме

...расположение элементов блок-схемы при съемке на похождение и на отражение; на фиг. 4 - рентгенооптическая схема съемки нескольких образцов с помощью двухкоординатного детектора телевизионного типа.Дифрактометр (фиг. 1) содержит источник 1 рентгеновского излучения, монохроматор 2 и гониометр 3, расположенные на фокусирующей окружности радиуса Я. На гониометре 3 радиуса г расположены держатель образца 4 и детектор 5. Первичный пучок ограничивается щелями 6. Детектор связан с устройством 7 обработки информации. С увеличением длины волны рентРабота дифрактометра поясняется фиг. 3, на которой показан ход лучей при с ьемке на просвет (буквы с индексом 1) и на отражение (буквы с индексом 2). При съемках на просвет пуцок рентгеновских...

Номер патента: 1251002

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Найден, Рябцев

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, гексагональной, магнитной, полей, поликристаллических, структурой, ферритов

...НПовышение степени текстуры образцаприводит к обострению пика на кривой д м/,1 в окрестности особойтачки при направлении импульсногомагнитного поля перпендикулярноплоскости текстуры (кривая 2). Приодинаковом доверительном интервалепри измерении Р М /д погрешностьопределения Н на текстурированном415 материале уменьшается до 10-127при степени текстуры 1, - "0,75.На Фиг. 2 приведены зависимостид М д 7 и Н(11 для поликристаллического гексаферрита с анизотропией 20 рипа "легкая ось", при этом кривая- для нетекстурированнаго образца,кривая 2 - для текстурированногообразца с 1,= 0,65 при направлении внешнего поля перпендикулярноплоскости текстуры, кривая 3 - временная развертка поля. Криваяполучена известным способом; погрешность измерения...

Номер патента: 1252720

Опубликовано: 23.08.1986

Авторы: Иодо, Кулеш, Максютова, Малевич, Подлипко

МПК: G01N 29/00

Метки: анизотропных, поликристаллических, свойств

...вход - с генератором 1 ультразвука. Генератор 1 ультразнукавыполнен из оптически связанных импульсного лазера 8 и сферическойсветопоглощающей мишени 9, предназначенной для установки и центре сферического образца 10 контролируемогоматериала, а приемники 2 и 3 выполнены с воэможностью установки на поверхности образца 10 попарно с диаметрально противоположных сторон повзаимно ортогональным направлениям.В сферическом образце 10 выполненосверление 11, через которое осуществляется оптическая связь импульсноголазера 8 со сферической снетопоглощающей мишенью 9. Устройство работает следующим образом.Излучение лазера 8 в виде светового импульса, распространяясь по радиальному сверлению 11, попадает на светопоглощающую мишень 9. При поглощении...

Номер патента: 1364966

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Вишняков, Жуков, Петрухин, Урусов, Фирер, Цыганков

МПК: G01N 27/30

Метки: ионоселективных, мембран, поликристаллических, твердых, электродов

...перемешивании с последующим охлаждением, При плавлении смеси в присутствии серы в количестве 5 или 10 мас.7. электрод имеет худшую электродную функцию и предел обнаружения, а также большее время установления равновесного потенциала.Мембраны изготавливают следующим образом.Смесь порошков сульфидов серебра и соответствующего металла получают совместным соосаждением сульфидов из 0,1 М растворов (соотношение 1:1) нитрата серебра и нитрата свинца, Например, осаждение проводят О, 1 М раствором сульфида натрия, причем осадителя берется 5-107 избыток, Полученные осадки тщательно отмываются раствором азотной кислоты и затем дистиллированной водой до отрицательной реакции на сульфид-ионы и сушатся при 80 С. Высушенные осадки помещаются в...

Номер патента: 1294226

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Бархатов, Грязнова, Малышев, Плеханова, Поляков, Семирунний, Семко

МПК: H01L 21/66

Метки: корундовых, подложек, поликристаллических, свч-устройств, сортировки

...для подложек толщиной 10 и 1,010 м соответст венно в различныхмасштабах интервала25 дискретизации выборочных данных на отрезках одинаковой длины, Интервалыразбиения при построении гистограммвыбирались кратными удвоенной абсолютной ошибке измерения коэффициента светопропускания, равной 0,005с вероятностью 0,99.Полученные линейчатые гистограммы распрецеления выборочных данных-эУбо 1,0 1 О м (фиг,4,6); исходя изЗ 5 экспериментально обнаруженных интервалов смещения резонансных частотмикрополосковых фильтров, разбивались на три практически равные зо".ны изменения коэффициента пропуска 40 ния, аналогичные подложкам групп А,Б и В на фиг 1. Для подложек толщиной 0,5 1 О мсоответствующий интервал А охватывает значения коэффициентов...

Номер патента: 1436036

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Абовьян, Акопян, Безирганян, Григорьян

МПК: G01N 23/20

Метки: параметров, поликристаллических, решетки

...поглощения рентгеновских лучей веществом, Естественная энергетическая ширина К-уровня главного края поглощения некоторых элементов, материалы из.которых могут быть использованы в качестве поглотителя (например, элементы с атомным номером Е 24), составляет несколько электронвольт,При дифракции соответствующее уг" ловуе разрешение составляет порядка 10 рад. Искажения углового положения провала интенсивности.на дифрагированном фоне, обусловленные геометричес-кими параметрами для конкретной рентгенооптической схемы (как и в обычных случаях регистрации детектором или фотометодом), могут быть учтены и занижены практически до уровня рсходимости падающего излучения (10-10 рад), Использование в качестверегистрирующего элемента...

Номер патента: 1453299

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Вишняков, Жуков, Капин, Краснощеков, Урусов, Фирер, Цыганков

МПК: G01N 27/30

Метки: ионоселективных, мембран, поликристаллических, твердых, электродов

...мВ. Данные по селективности приведены в таблице,Время установления оавновесногопотенциала от 30 с до 2 мин в течениедлительного времени (до б мес ),Таким образом, способ получениямембран позволяет повысить стабильность потенциала ионоселективныхэлектродов . Способ получения поликристаллических твердых мембран ионоселективных электродов путем сплавления суль.фидов серебра с сульфидами тяжелыхметаллов в атмосфере инертного газа,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения стабильности потенциала электродов и окислительной устойчивости, сплавление производят вприсутствии графита, полученногопредварительным пиролизам углеродсодержащего растворителя,Электрод/К На БРеСД РЪМп, 10-4 5, 10- 3 100 10-3 Сц-СЭ Мешает 5,5 10 5,7 10 5 10 1,1...

Номер патента: 1509697

Опубликовано: 23.09.1989

Автор: Гирин

МПК: G01N 23/20

Метки: аксиальной, анализа, дифрактометрического, поликристаллических, рентгеновского, текстурой

...рентгеновского дифрактомет-, рического анализа использовали образец меди, полученный электролитическим осаждением из сернокислогооэлектролита при 20 С и плотности тока 3 А/дм . По данным текстурного анализа, 82 Х кристаллитов медного образца имели беспорядочную ориентировку, а 187. - аксиальную текстуру с осью (111) (максимальный угол рассеяния текстуры К м, составлял 25 ).Дифрактометрический анализ проводили на рентгеновском аппарате ДРОН,5 в РеК-излучении (напряжение на трубке составляло 20 кВ, анодный ток 10 мА), Образец устанавливали в держателе гониометра осью текстуры (111) под углом к гониометрической оси, равным ) = 90 - 25о65 , а детектор - под двойными брэгговскими углами 55,3 и 136,4 для отражения (111) и (222), образец...

Номер патента: 1543258

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Комар, Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01L 1/24

Метки: напряжений, объектах, остаточных, поликристаллических

...с пониженной симметрией. Остаточные напряжения в областях с пониженной симметрией определяют путем поворота анализатора до полного восстановления коноскопическойкартины, а в остальных областях -путем измерения интенсивности светав центральной области коноскопической картины. лизатором, помещают матрицу микроконоскопов-компенсат оров из одноосного кристалла таким образом, что их ось перпендикулярна поверхности объекта, Затем на фотографии объекта по искажению изогир находят области с пониженной кристаллографической симметрией. Затем поворачивают анализатор до восстановления коноскопической картины и по углу поворота определяют остаточные напряжения в областях с пониженной кристаллографической симметЗаказ 394 Тираж 477 ПодписноеВИИИПИ...

Номер патента: 1608505

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Вохменцев, Кукуй, Третьякова

МПК: G01N 21/35

Метки: веществ, оптической, ориентации, поликристаллических

...восстанавливают по ориен- Е тации во всех трех плоскостях. 2 ил. ственно ориентированного образца из"вестняка или мрамора вырезаются иполируются три взаимно перпендикулярно ориентированных пластины смаркировкой их ориентации. На ИКспектрометре для всей площади срезакаждого образца получают ИК-спектротражения. Известно, что у несдвой-,никованных зерен кальцита, например,в известняках и мраморах ориентировка оптических осей совпадает с направлением оси сжатия. В ИК-спектрахотражения кальцита в диапазоне 515 мкм выделяют два максимума на11,24 и 6,66 мкм, величина первогозависит от ориентации кристалла(фиг. 1). Определяется интенсивность1 отражения на длинах волн 11,24,и1608505 Щ ЮО 40 Составитель Д.ПахомовТехредЛ.Сердюкова...

Номер патента: 1670001

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Галкин, Жидовинова, Смирнова, Фришберг, Цымбалист

МПК: C30B 23/00, C30B 29/48

Метки: блоков, кадмия, оптических, поликристаллических, халькогенидов, цинка

...селенида цинка, испаряются и уносятся за пределы горячего контейнера, При этом частицы порошка селенида цинка, находящиеся возле стенок контейнера, раньше прогреваются и начинают испаряться, В порошке, состоящем из частиц разного размера, мелкие частицы вследствие большой поверхностной энергии испаряются интенсивнее крупных, Инертный газ подавляет диффузию паров селенида цинка, поэтому пары сепенида цинка диффундируют на небольшие расстояния к более крупным частицам сырья. В результате мелкие частицы испаря 1 огся, а крупные увеличиваются в размерах, Отдельно растущие частицы срастаются друг с другом, образуя сырье с единообразным физическим состоянием, характеризуеглым кубической структурой и кажущейся плотностью 2,5-3,0 г/см. Затем...

Номер патента: 1691353

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Бочечка, Кебко, Кислый, Шульженко

МПК: C04B 35/52

Метки: алмазных, волок, заготовок, поликристаллических

...качестве пороговых были выбраны35 значения Ь/Н, являющиеся средним арифметическим между зафиксированным значением Ь/Н, при котором еще непроисходит разрушения образца, и зафиксированным значением Ь/Н, при котором40 происходит это разрушение. Экспериментыс дисками из гидрида циркония дали а 11 алогичные результаты.Таким образом, экспериментально была получена зависимость порогового значе 45 ния Ь/Н от температуры. спекания. Этузависимость отображает функцияЬ/Н=Ао 1/Т+А 1+А 2 Т+АЗТ +А 4 Т,так как из таблицы видно, что с.ростом Тзначения Ь/Н уменьшаются. Для удобства50 определения коэффициентов А представимданную функцию в видеЬ/НТ=Ао+А 1 Т+А 2 Т+АЗТ+А 4 Т-;В результате проведения стандартныхпроцедур методом наименьших...