Сиедин

Номер патента: 1132746

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Берестенко, Боков, Бочканов, Носов, Сиедин, Федоров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: маски, негативной

...и продолжительность прививки 1"10 ч.При давлении мономера менее 01 Торр при продолжительности прививкименее 1 ч толщина маски получается недостаточной, так что выход за эти пределы практически нецелесооб-. разен. Процесс пострадиационной графт-полимеризации практически завершается в течение 10 ч, поэтому увеличение продолжительности не дает существенного выигрьппа.В предложенном способе, в отличие от известных, применяемая полимерная пленка не содержит летучих компонентов, не требует обработки в жидких мономерах и проявления в жидкомрастворителе. На фиг, 1-4 показана схема получения негативной маски согласно изобретению.На фиг. 1 изображена первая стадия- формирование полимерной пленки, содержащей молекулы полимера (Р). Полимер...

Номер патента: 580485

Опубликовано: 15.11.1977

Авторы: Дроздова, Селиванов, Сиедин, Шмелев, Штраусе

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, пленки, подложке

...1 ми адгезпонными свойствами.Величина этой зоны зависит от различныхфакторов, связанных с методом формирования периметра адгезионного соединения, и составляет от нескольких единиц до нескольких десятков мкм, что сравнимо с размерами элемен580485 Формула изобретения 20 Составитель Г. Коновалова Техред И. Рыбкина Корректор Л, Котова Редактор И. Марголис Подписное Заказ 2583/3 Изд.942 Тираж 1109 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 тов контролируемых приборов, например, интегральных схем.Все это существенно снижает точность оценки адгезии между подложкой и участками фоторезиста, создающими защитную массу в процессе...