Степкина
Способ определения концентрации локальных центров в полупроводниках
Номер патента: 1413684
Опубликовано: 30.07.1988
Авторы: Галанов, Потихонов, Степкина
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, локальных, полупроводниках, центров
...на дисплей 20.Отношение сигналов ЕП есть магнитный круговой дихроизм и определяется соотношением 4 ос 1 4 нк д(1,е+1,е )зхп 2 й 1где ьы. - приращение коэффициента поглощения для циркулярно поляризованного излучения,обусловленное магнитным полем;Ж о. - коэффициент поглощения электромагнитного излучения присовпадении направлений распространения излучения с направлением магнитного поляи при противоположной направленности распространенияизлучения и магнитного полясоответственно;й - толщина образца;1 - поток излучения, прошедшийчерез образец при напряженности магнитного поля Н=О,Величина 4 Р связана с концентраци ей локальных центров Б в полупроводнике следующим соотношении: 6 В Б = М-и ед,пл.где М=О, 310 - . -- калибровочныйсм...