Светодиод торцового типа

ОЮЗ СОВЕТСНИХ ОЦИА ЛИСТ ИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН) 4 Н 01 1 33/00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЖ)БРЕТЕНИЯЮ И ОЩРЦТИЯПРИ ГННТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Д ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 232/31-254,861,89. Бюл. Р 4ит т а иотехник электротрахов Диаграммаффективв на ос1 пР.)нферплуМин гетыфиико6,еэи свечения при сохранен высоко .ся тем,тодиоярк и шкода достига о о квантовог то геометри а, имеющего пр ск кие размеры с рму параллеле словию 51/1) в направлени толщина дво Изобретение иипеда, 6, где вывода ной ге- зволяет удовлетворяю 1 - длина ди излучения, а п в:;е Д С Д.З. и д чатели на =1,3 мкм) основе ЖТФ983 структуры сколько р ВОГО А з повысить яркость св в хранении высокого кван ения при ого выхо к облас ь испол носится ожет бы л й житщенем ттер- ожки т конаиме(71) Инст у р д и ники АН СССР(56) Караченцева М.В. и др направленности и квантовой ности торцевых диодо ропереходов 1 пСаАзР- докл, 4-й Всесоюзной зических процессов.ввых гетероструктурахс. 124-125,Гарбузовтанные излу1 пСаАзРт. 53, И 7, с, 1408.(57) Изобретение отоптоэлектроники и м Изобретение относится к оптоэлек-. тронике и может быть использовано в качестве источников ИК излучения в волоконно-.оптических системах.Целью изобретения является повышение яркости свечения при сохранении высокого квантового выхода.На фиг. 1 схематически представлен светодиод торцового типа, разрез;на фиг, 2 - экспериментальные зависимости яркости свечения В и внешнего квантового выходаот отношения длины 1 гетероструктуры к ее толщине зовано в качестве источников ИК-излучения в волоконно-оптических системах, Целью изобретения является повышение яркости свечения при сохранении высокого квантового выхода, Светодиод торцового типа содержит непоглощающую подложку с последовательновыращенными на ней первым эмиттернымслоем, активным слоем, вторым эмиттернымслоем.На поверхность подложки ипротивоположную поверхность второго эмиттерного слоя нанесены контакты, Повышение 2Ь/Ь для световода с длиной во1=1,54 мкм, . 5=180 мкм, шириноИ=300 мкм, плотности тока 120 А/при Т=ЗОО К.Светодиод торцового типа содеподложку 1 с последовательно вырными на ней первым эмиттерным сл2, активным слоем 3 и вторым эминым слоем 4. На поверхность подл1 и противоположную поверхностьрого эмиттерного слоя 4 нанесеньтакты 5 и 6. Излучающий кристаллкреплен на держателе 7. Кристалл53734сплошные линии). Вклад излучения, выводимого за счет эффекта многопроходности на длинных диодах, существенно 5выше, чем на коротких, поскольку сростом длины излучающего кристаллауглы падения лучей на контакты, а следовательно, коэффициент отражениявозрастают. При больших значениях1/Ь заметно насыщение яркости и внешний квантовый . выход начинает падать(фиг.2).Таким образом, использование предлагаемого светодиода позволяет суще ственно повысить яркость свечения присохранении высокого квантового выхода. Э 145 ет форму параллелепипеда с толщиной д 1 войной гетероструктуры Ь и длиной в направлении вывода излучения 1.В качестве гетероструктуры может быть использована двойная гетеростуктура типа 1 пГаАвР/1 пР, в которой на п 1 одложке 1 пР выращены последовательно эмиттерный слой 2 из 1 пР, активый слой иэ 1 пСаАэР, соответствующий лине волны излучения 1,3-1,5 мкм,эмиттерный слой 4 из 1 пР. Подложа 1 пР является непоглощающей для элучения с указанной длиной волны.Повышение яркости свечения при сохранении высокого квантового выхоа достигается тем, что геометрические размеры параллелепипеда удовлетворяют условию 51/М 16.Светодиод работает следующим образом.При подаче напряжения на контакты ,5 и б в активном слое 3 гетероструктуры генерируется спонтанное излучение. В выводимое в торец излучение дают вклад лучи, падающие непосредственно на поверхность торца под углами, меньшими угла полного внутреннего отражения (на фиг. пунктирные линии), и лучи, выводимые за счет эффекта многопроходности - отражения от контакта 5, .перепоглощения и переиэлучения активным слоем 3 ;на фиг,1 Формула изобретения Светодиод торцового типа, содержащий излучающий кристалл из двойной гетероструктуры с непоглощающей подложкой, выполненный в виде параллелепипеда, и контакты, расположенные 25 на поверхности подложки и поверхностиэмиттерного слоя гетероструктуры, .о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения яркости свечения при сохранении высокого квантового . ЗО выхода, длина 1 кристалла в направлении вывода излучения выбрана из условия 561/М 1 б, где Ь - толщина кристалла..роизводс;ение-полиграфическое предприятие город, ул. Проектная,аказ 7458/56НИИПИ; о уца венного комите 113035, Москва Подписноепо изобретениям и открытиям при ГКНТ СС