Способ измерения температуры электроннодырочного перехода полупроводникового прибора
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советски Социалиотичеоких Рвопублииявки 5 о с присоединение Комитет по делам зобретений и открытий ори Совете Министров СССР. Бюллетень М 1 Дата опубликования описания 16 ХП.1971 Авторы зобретени К. Тоомсоо аявитель СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЬ ЭЛЕКТРОННО 1 РОЧНОГО ПЕРЕХОДА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2 измерения олупровод тилей пл температуу вентилей ер, на теметви вольтсти малых ти времени рых случах тиристогрешцостям х темпераельным тцбуют ицдц- следуемого ратуры почей цли ти- реобразоваобеспечить иод без обаключаетс в качестве метра темИзобретение относится к области физических параметров мощных п пиковых приборов, например ве тиристоров. Известны способы определения ры полупроводниковой структуры и тиристоров, основанные, паприм пературцой зависимости прямой в амперной характеристики в обла токов, ца температурной зависимос восстановления.Но указанные способы в некотоях, в частности при исследованияров, приводят к значительным поиз-за большого разброса указаннытурозависимых параметров по отдристорам (или вентилям) или тревидуальцой тарировки каждого исприбора.Иногда при определениях темпелупроводниковой структуры вепти,ристоров в реальных условиях в птельных установках невозможнопосле такого полупериода полуперратного напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой структуры,Данный способ позволяет измерять температуру полупроводниковой структуры при ца 20 лцчцц обратного напряжения на вентиле илитцрцсторе, зависимость измеряемой величиныот температуры в линейн, ц разброс зависимости по отдельным вецтилям цлц тцристорам - минимальный.25 Данный способ удобен прц определении теплового сопротивления вентилей цлц тцрцсторов в обратном направлении. Последние необходимы прп определениях перегрузочнойспособности вентилей цлп тцрцсторов по об 30 ратному напряжекшо.305524 Предмет изобретения Составитель М. ЛепешкинаТехред Л. В": Куклина Редактор Ю. Полякова Корректор 3. И. Тарасова Заказ 1951/15 Изд. Мо 824 Тираж 473 ПздписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж-З 5, Раушская наб. д 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Способ измерения температуры электроннодырочного перехода полупроводникового прибора, обладающего контролируемым лавинообразованием в обратном направлении, путем подачи на переход измерительного тока, измерения напряжения и оп.ределения температуры расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, измерительный ток постоянной величины, соответствующей режиму лавинного пробоя, пропускают в обратном направлении.
СмотретьЗаявка
1270381
А. А. Аси, Г. К. Тоомсоо
МПК / Метки
МПК: G01R 29/00, H01L 21/00
Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-305524-sposob-izmereniya-temperatury-ehlektronnodyrochnogo-perekhoda-poluprovodnikovogo-pribora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения температуры электроннодырочного перехода полупроводникового прибора</a>
Предыдущий патент: Магниторазрядный насос
Следующий патент: Способ определения влагозащитных свойств изоляционных материалов
Случайный патент: Двухканальный формирователь импульсов