Способ измерения эффективного времени
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 306512
Авторы: Арцис, Кричевский
Текст
ОП И САНИ ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 306 Я 2 Союз Соеетских Социалистических РесоубликЗависимое от авт. свидетельстваЗО.Ч 11.1966 ( 1093793/26-25) К Н 01/ 7/00 Сл 01 г 29/О аявл с присоединением заявкири ет омитет о изобретений и открыти пь19 Х 11.1971 1.382: 621.317.799088,8) ликовано 11 Ч 1,1971. Бюлл опубликования описанияори Соеете Министр СССР. Э. Кричевский и Н ис явител СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТЖИЗНИ НЕОСНОВНЪХ НОСИТЕЛЕЙПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПР А активной нагрузкой, Питание схемы осуществляется от источника с изменяющейся частотой выходного напряжения, При различных значениях частоты определяется величина заряда диода при его переключении с прямого направления на обратное, По полученным значениям заряда находят частоту, прп которой извлеченный заряд имеет максимальную величину. По найденной частоте определяют эффективное время жизни неосновных носителей заряда как величину, обратную угловой частоте. пособам из мер полупроводник мет изобретения Способ измерения эффективного временижизни неосновпых носителей заряда в р-и- переходе полупроводникового прибора по величине извлеченного заряда, отляаюцийая тем, что, с целью повышения точности измерения за счет исключения влияния собственной емкости и обратного сопротивления измеряемого р-п-перехода, на переход подают ток синусоидальной формы, частоту которого после довательно изменяют до достижения извлеченным зарядом своего максимального значения, и далее по полученному значению частоты определяют эффективное время жизни неосновных носителей заряда как величину, 30 обратную этой частоте. зобретение относится к сени физических параметров овь приборов.Известные способы измерения эффективного времени жизни с неосновпых носителей заряда в базе полупроводникового диода основаны или на переключении диода прямоугольным импульсом из проводящего состояния в непроводящее или на наложении малого переменного сигнала и измерении импеданса.Основные недостатки этих способов заключаются в том, что они применимы при ограниченном диапазоне значений т; на результаты измерений влияют собственная емкость диода и диододержателя.Кроме того, посредством этих способов определяют значение эффективного времени жизни для одного фиксированного значения уровня инжекции, в то время как во многих случаях целесообразно получать среднее значение т при различных уровнях инжекций,Цель изобретения заключается в повышении точности измерения за счет исключения влияния собственной емкости и обратного сопротивления измеряемого р-а-перехода.Для этого, согласно предложенному способу, определяют частоту, при которой извлеченный заряд имеет максимальное значение. Испытуемый диод устанавливают в схему однофазного однополупериодного выпрямления с И ВНОГО ВРЕМЕНИЗАРЯДА В р-и-ПЕРЕХОД
СмотретьЗаявка
1093793
М. Э. Кричевский, Н. Арцис
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, эффективного
Опубликовано: 01.01.1971
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-306512-sposob-izmereniya-ehffektivnogo-vremeni.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения эффективного времени</a>
Предыдущий патент: Радиально-отклоняющая система электроннолучевой трубки с круговой разверткой
Следующий патент: Установка для герметизации полупроводниковыхприборов
Случайный патент: Рабочее колесо центробежного вентилятора