Способ определения влагозащитных свойств изоляционных материалов

305525 Союз Ссеетснит Социалистичесиин РеспублинЗависимое от Заявлено 04.1 с присоединен вт. свидетельства1969 ( 1318661/26-25)ем заявкиМПК Н 01 7/346 01 г 19/02 ПриоритетОпубликовано 04 Л.19Дата опубликования о смите асламатнрыти изобретении лри Совете СССистро Авторыизобретения цев и А, С. Плеш явител СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЛАГОЗАЩИТНЫХ СВОЙС ИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВкачестве чувуют образец в себе функепроницаемой о изделия. Изобретение относится к спосооам испытания влагозащитных свойств изоляционных материалов и покрытий на них основе, применяемых для герметизации полупроводниковых приборов.Известен способ исследования влагозапгитных свойств органических материалов по изменению скорости изменения тангенса угла диэлектрических потерь образца из пористой керамики, защищенного исследуемым материалом, при выдержке его в атмосфере с повышенной влажностью,При использовании указанного способа контактирующая с исследуемым материалом поверхность является влагопроницаемой, характер взаимодействия органических материалов с поверхностью керамического датчика отличается от характера взаимодействия с поверхностью полупроводника.Известный способ не позволяет количественно оценить влагозащитные свойства органических материалов и определить их пригодность для защиты полупроводниковых приборов от действия влаги.Цель изобретения - разработка способа определения влагозащитных свойств изоляционных материалов., позволяющего оценить весь комплекс влагозащитных свойств органических покрытий, применяемых для герметизации полупроводниковых приборов, Поставленная цель достигается тем, что в ствительного элемента исполь полупроводника, совмещающий цпи индикатора влаги, влаго 5 подложки и модели защищаемо Полупроводниковый элемент защищаютслоем испытуемого материала (лаки, компаунды и т. п.) и выдерживают в увлажненной 10 среде. Оценку влагозащитных свойств производят путем определения значения равновесной концентрации влаги на поверхности полупроводника по изменению величины эффективного времени жизни неосновных носителей 15 заряда в полупроводнике.Величина равновесной концентрации влаги, измеренная на границе испытуемой материал - полупроводник, учитывает комплексное влияние влажностных констант (О, Р, г) 20 объема материала, степень адгезионной связи материала покрытия с поверхностью полупроводника, изменение физико-механических свойств материала вблизи поверхности полупроводника (возникновение граничного слоя), 25 изменение абсорбционных свойств поверхности полупроводника.Принципиальная схема испытания приведена на чертеже, где 1 - источник регулируемой влажности; 2 - измерительная камера;30 8 - чувствительный полупроводниковый элеЗаказ 2035 П 4 Изд. Ы 854 Тираж 473 )1 одпнсноеЦНИИПР Коиитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, К, Раушская наб д, 4,5 Типография, пр. Сапунова, 2 мент; 4 - испытуемый материал; 5 - блок измерения тафф.н н заряда полупроводника.П р и м е р в ы п о л н е н и я. Предварительно готовят чувствительный полупроводниковый элемент, который представляет собой травленую плоскопараллсльную пластину германия с электрическими контактами, Подготовленны полупроводниковый элемент помещают в камеру влаги и снимают зависимость та,к 1,нзаряда в полупроводнике от относительной влажности воздуха. Измерение тафф может быть произведено любым известным методом, например по спаду фото- проводимости.При каждом значении относительной влажности в камере влаги на поверхности полупроводника устанавливается определенная концентрация влаги , значение которой може Оы 6 Определено, например, по даппьм Лоу, Строят график зависимости тфп, от относительной влажности воздуха и концентрации влаги на поверхности полупроводника. Полупроводник защищают испытуемьэ изоляционным материалом, помещают в камеру влаги с относительной влажностью 98% при температуре 40 С и снимают зависимость тафф.п.п от времени выдержки до момента насыщения. О моменте насьпцения судят по установке постоянного значения тнн, Строят график. По велачтпе установившегося значсния та,ря,пп и графику зависимости тай 1 нп от концентрации влаги на поверхности езащищенного полупроводника определяют равновесную копцентрациО влаги на гранПгс испытуемый материал -- полупроводник. Значение равновесной концентрации влаги,определегцое для эпоксидного компаундаЭКМ, равно 1,5 10 мольсу-,При отсутствии адгезионной связи с поверхностьО полупроводника испытание этогоже материала дает значение равновесной концентрации влаги, превышающее указанное более чем в три раза.Лучшими влагозащитными свойствами об 10 ладает материал, дающий меньшую кощентрацию влаги на границе раздела с защищаемой поверхностью.Пригодным для защиты от влаги являетсятот материал, для котоэого значение равно 15 весной концентрации влаги на границс с полупроводником меньше того значения, при ко,торо 1 Пол проводниковый приоор забраковывается. 20 Предмет изоорстенияСпособ определения влагозащитных свойствизоляционных материалов по измененио параметрОв чувствительного элемента во влажнои среде до и после нанесения испытуемого материала, отличающийся . ем, что, с целью приближения условий испытания к эксплуатационным, в качестве чувствительного элемента используют полупроводник, служаций одновременно и влагонепропипаемой подложкой, а оценку влагозащитных свойств производят по величине равповсснон концентрации влаги на поверхности полупроводника, определяемой по изменению всли чины эффективного времени жизни пеоснов.:ых носителей заряда 35 полупроводника,