Шаховцов

Номер патента: 921378

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Борковская, Дмитрук, Конакова, Литовченко, Шаховцов

МПК: H01L 21/263

Метки: основе, поверхностно-барьерных, соединений, структур

...не вызывающих нагрева струй- туры при исходной .концентрации примеси 10 "ф - 5106 см,э.Улучшение рекомбинационных параметров эпитаксиального слон происходит вследствие радиационно-стимулированного геттерирования глубоких рекомбинационных центров (определяющих время жизни неосновных носителей тока )дефектами эпитаксиальной структуры, соаредоточенныки у границы раздела эпитаксиальный слой - металлиэирования; поверхность и выступающими в роли активных стоков и центров аннигиляции объемных дефек" тов.( Дефекты границы раздела эпитаксиальный слой - подложка также могут выступать в качестве центров геттерирования. Их роль более существенна в случае, тонких эпитаксиальных слоев ). Центрами аннигкляции могут быть либо дислокации, либо атомы...

Номер патента: 987711

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Гирий, Ескендиров, Ладыгин, Мустафаев, Огородников, Туякбаев, Шаховцов

МПК: H01L 21/283

Метки: интегрального, транзистора

...яют, например,роизводят, наго разгонку -оит тветИзвестен также спогрального транзисторазовой области днффузидующей разгонкои, котлечить достаточную прого в соответствии сэ соб изготовления инте- путем формирования баей бора и его послеорый позволяет обесчность изготовленноним интегрального транользование предлагае в значительной степе ю стойкость икте же обеспечить просто интегральных транэи транзисторы, изготовл м, могут най аратуре, мого способа п ни повысить ра в т ционнуа так способа состоит в маойкости изготовленного в интегрального транзистора.- повышение радиационгрального транзистора. мым способотовой апп нстора 23.Недостаток такого ой радиационной стответствин с ним Цель изобретения ой стойкости инте гральных транзисторов, у...

Номер патента: 716286

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Вишневский, Мизрухин, Устинцев, Шаховцов, Шаховцова

МПК: C09K 11/32

Метки: вещество, гамма-до-зиметра, термолюминесцентное

...в химически агресных средах,Известно термолюминесцентное вещество для гамма-дозиметра, состоящееиэ керамической окиси бериллия. Этовещество обладает пороговой дозиметрической характеристикой.Однако высокая токсичность окисиберилпия затрудняет широкое испоЛьэованне этого вещества.Цель изобретения - обеспечение нетоксичного термолюминесцентного вещества, обладающего пороговой дозиметрической характеристикой. 20Это достигается применением синтетического алмаза, легированного бором.:-и парамагнитным азотом, в качествегермолюминесцентного вещества длягамма-дозиметра.щ,Наибольшей интенсивностью термолюминесцении обладает синтетический алмаз с концентрацией бора 0,02-0,13 .вес,Ъ и концентрацией парамагнитного азота в пределах 5.10 -1,10 е см...

Номер патента: 736219

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Курицын, Мокрицкий, Шаховцов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...точечных. дефектов. При энергии электронов менее 4 МэВколичество и стабильность названных дефектовнедостаточны для образования явно выраженногоградиента концентрации носителей заряда, Кро.ме того, при таком значении энергии частиц,набор необходимой дозы облучения происхо 119 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 диз гд время 1 е.41 нпее пр к 1 ичееки 1 еие.1 е сообрд 1 ным ие 1 дх 11 кндние дко 1 н способа. Принергил чдси 11 бо 11 ее 5 МВ количество дефек 1 ов и их евойс 1 вд дков 11, 1 го обрд 1 уюзся необратимы и 1 менения с 1 рук 1 урпых свойств исходно 1 о м;периен 1 д, ухудшающие основные пдрдме 1 ры приборов, создаваемых на его основе, В связи с эим оптимальным следует считать диапазон значений быстрых электронов от 3 до 5 МэВ.П р и м е...

Номер патента: 293395

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Атрощенко, Гальчинецкий, Кошкин, Руденко, Шаховцов

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллический, материал, полупроводниковый

...Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Рвушсквя наб., д, 4/5 Фп;и 1 ад ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ЙСЯвз 1 ь О5и сплавы ня ихОснОвегде вторым компонентом являютсяэлементарныебинарные, тройные крисгаллические вещества, с решеткой типа алмаза.без 1 квгионных вакансий, например геманий, бфп- алюминий, гаддий, индий;А- магний, цинк, кадмий, ртуть;А - серебро, медь; В - фосфор, сурьма,мьпльях; ц "/ и С 1 - сера, теллур, седенИ(Я 15 7 сдГ Е, Си,1 РТЕ ,Сс 1." п,А 5 1 СОЬ Яе д, )Указанные кристаллические соединенияи сплавы обладают полупроводниковымисвойствами, При воздействии на такие крис 15гадлические соединения и сплавы с решеткой типа алмаза, имеющие в катионной подрешетке...