Цихоцкий

Номер патента: 1839913

Опубликовано: 20.06.2006

Авторы: Абакумов, Андреев, Вивденко, Грезин, Деньгин, Кропотин, Куркин, Маслаков, Мифтахов, Никонов, Овчинников, Пучинин, Романенко, Сургучев, Цихоцкий, Юрин

МПК: B64G 1/50

Метки: орбитальной, станции, терморегулирования

Система терморегулирования орбитальной станции, включающая содержащий основной вентилятор газовый тракт системы вентиляции, связанный с содержащим устройство для удаления конденсата контуром охлаждения и осушки газа и с гидравлическим контуром теплосъема посредством газожидкостного теплообменника, отличающаяся тем, что, с целью увеличения холодопроизводительности при одновременном уменьшении массы и повышении безопасности эксплуатации орбитальной станции, в контур осушки и охлаждения газа дополнительно введена замкнутая магистраль на основе хладагента с фазовым переходом с последовательно установленными в ней компрессором, конденсатором хладагента, дросселем и содержащая не менее одного основного и дополнительного трехканальных...

Номер патента: 1797248

Опубликовано: 27.12.2005

Авторы: Востриков, Засимов, Кондратьева, Коптелов, Кузьмин, Несынов, Овчинников, Стогов, Сургучев, Цихоцкий

МПК: B64G 1/50, F25D 17/08

Метки: аппаратов, гидромагистралей, дефектации, космических, обитаемых, отсеков, системы, терморегулирования

Способ дефектации гидромагистралей системы терморегулирования обитаемых отсеков космического аппарата, содержащей двухполостной компенсатор давления, заключающийся в контроле изменения давления на отдельных участках гидромагистралей при их последовательном отсечении, отличающийся тем, что, с целью предотвращения утечки теплоносителя из системы при контроле, в газовой полости компенсатора создают давление Pк, определяемое из соотношения Pн.п.<Pк<Pа, где Pн.п. - давление насыщенных паров теплоносителя в гидромагистрали;Pк - давление в газовой полости компенсатора;Pа - давление...

Номер патента: 1811132

Опубликовано: 27.12.2005

Авторы: Коптелов, Овчинников, Пучинин, Цихоцкий

МПК: B64G 1/50

Метки: аппарате, жидкости, космическом, слива

Способ слива жидкости на космическом аппарате, включающий гидравлическую локализацию поврежденного участка гидромагистрали и создание перепада давлений между поврежденным участком гидромагистрали и сливной емкостью, отличающийся тем, что, с целью повышения безопасности слива путем предотвращения попадания сливаемой жидкости в обитаемые отсеки, сливную емкость предварительно вакуумируют до давления, определяемого соотношением где PЕ - давление, создаваемое в сливной емкости; UЕ - объем сливной емкости;Uлу - объем локализованного участка...

Номер патента: 1811131

Опубликовано: 27.12.2005

Авторы: Несынов, Овчинников, Цихоцкий

МПК: B64G 1/50

Метки: аппаратов, гидравлических, демонтажа, космических, оборудования, систем, терморегулирования

Способ демонтажа оборудования гидравлических систем терморегулирования космических аппаратов, включающий предварительное изменение давления в газовой полости компенсатора системы, расстыковку и последующую герметизацию расстыкованных гидромагистралей, отличающийся тем, что, с целью предотвращения пролива теплоносителя, а также повышения экономичности и удобства при эксплуатации, перед каждой расстыковкой гидромагистрали давление в газовой полости компенсатора понижают до величины, меньшей величины давления газовой среды на участке расстыковки гидромагистрали на величину, равную или превышающую гидростатическое давление теплоносителя от места расстыковки гидромагистрали до места ее...

Номер патента: 1805621

Опубликовано: 27.12.2005

Авторы: Коптелов, Сургучев, Цихоцкий

МПК: B64G 1/50

Метки: аппаратов, гидравлических, замкнутых, заправки, космических, систем, терморегулирования

Способ заправки замкнутых гидравлических систем терморегулирования космических аппаратов, включающий вакуумирование системы, заполнение ее предварительно деаэрированным теплоносителем, и тарированный слив теплоносителя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля герметичности заправленных систем в процессе их длительного хранения в составе космических аппаратов, после завершения тарированного слива при равенстве температуры теплоносителя температуре окружающей среды, понижают давление в газовой полости компенсатора до величины, соответствующей давлению насыщенных паров теплоносителя для температуры окружающей среды.

Номер патента: 1785188

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Коптелов, Копяткевич, Сургучев, Цихоцкий

МПК: B64G 1/50

Метки: аппарата, космического, пилотируемого, терморегулирования

1. Система терморегулирования пилотируемого космического аппарата, включающая внутренние контуры теплосъема и влагосъема, связанные через жидкостно-жидкостные теплообменники с секциями радиатора-излучателя и содержащие гидроблоки и регуляторы расхода, связанные через блок автоматики с датчиками температуры, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности и увеличения ресурса системы, в нее введена магистраль, содержащая гидроблок и соединяющая выходы жидкостно-жидкостных теплообменников с входами секций радиатора-излучателя, при этом секции радиатора-излучателя и жидкостно-жидкостных теплообменников связаны между собой последовательно, а регулятор расхода установлен на выходе одной...

Номер патента: 1785187

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Белявский, Капинос, Сургучев, Трепов, Цихоцкий

МПК: B64G 1/50

Метки: баз-станций, кораблей, космических, многоцелевых, терморегулирования, тяжелых

Устройство для терморегулирования тяжелых космических кораблей и многоцелевых космических баз-станций, содержащее линию тепловлагосъема, включающую внешние и внутренние гидравлические контуры промежуточного теплоносителя, объединяющие газо-жидкостные и жидкостно-жидкостные теплообменники, наружные излучательные радиаторы, гидронасосы, теплообменник-конденсатор, клапанно-распределительную и дренажно-заправочную арматуру, воздуховод централизованной подачи кондиционированного воздуха, вентиляторы, малогабаритные электронагреватели и автоматические каналы регулирования температуры, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности регулирования и снижения весо-энергетических...

Номер патента: 1797245

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Васильев, Крестов, Несыпов, Овчинников, Сургучев, Цихоцкий

МПК: B64G 1/00

Метки: аппаратов, гидравлических, заправки, космических, систем, теплоносителями, терморегулирования

Способ заправки гидравлических систем терморегулирования космических аппаратов теплоносителями, включающий операции по вакуумированию системы, заполнению ее деаэрированным теплоносителем, тарированному сливу и установке рабочего давления в системе, отличающийся тем, что, с целью исключения снижения установленного рабочего давления за счет растворения в теплоносителе остаточного воздуха из невентилируемых при вакуумировании объемов системы, после заполнения системы теплоносителем проводят включение системы с циркуляцией теплоносителя в течение времени, достаточного для растворения остаточного воздуха в теплоносителе, а затем проводят тарированный слив и установку рабочего давления в системе.

Номер патента: 1778992

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Васильев, Крестов, Сургучев, Цихоцкий

МПК: B64G 1/50

Метки: аппаратов, воздуха, заправленной, космических, объема, системе, теплоносителем, терморегулирования

Способ определения объема воздуха в заправленной теплоносителем системе терморегулирования космических аппаратов, включающий операцию измерения давления в системе с компенсатором с эластичным разделителем сред, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности заправки системы за счет количественной оценки фактического объема воздуха в заправленной теплоносителем системе, после завершения заполнения системы теплоносителем создают последовательно прямой и обратный перепады давления на эластичном разделителе сред компенсатора системы, измеряют величины установившихся давлений и объема газовой полости компенсатора после каждой операции создания перепада давления и по разности измеренных...

Номер патента: 1830857

Опубликовано: 09.06.1995

Автор: Цихоцкий

МПК: B64G 1/50

Метки: аппаратов, космических, систем, теплоносителя, терморегулирования, удаления

...равна 1 б мм рт,с 1.Дл(я Даной св ажо считать, чта на уста 44 овившемся режиме выпаривания теплоносителя параметры среды г;нутри таубопровода не изменя 4 атся, так как убыль пара за счет его истеченич в вакуум постоянно восстанавливается за счет кипения жидкости, т,е. с большой степенью достоверности можно принять, чта мы имеем де- лО с истечени 814 пара иэ сасудэ неограниченной емкости.В соответствии с теорией при адиабатическом истечении газов из таких сосудов режим истечения мажет оыть определен из соотношенийдля случая закритического режима истечения; для случая докритического режима истечения,Где Рз - давление внешней среды; Р 1 - давление среды внутри сосуда; К - показатель адиабаты газов. Для данной схемы и теплоносителя Р=1 10 -...

Номер патента: 1820236

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Гуля, Коптелов, Цихоцкий

МПК: G01J 5/50

Метки: аппарата, излучения, космического, коэффициента, поглощения, полете, радиатора, системы, солнечного, терморегулирования

...КА продольной осью перпендикулярно вектору скорости 25 Качественным отличием предложенно го способа от прототипа является то, что он позволяет на любом этапе полета и на орбите с любой освещенностью определить фактическую величину коэффициента А, тогда как в способе-прототипе операции по ори ентации можно было проводить только 2 раза в год на солнечных орбитах и по данным измерениям определялось относительное изменение коэффициента Ь А, а его. начальное значение А закладывалось по 40 данным предстартовых наземных испытаний. которые в случае запуска КА за 2-3 месяца до первой солнечной орбиты могло изменить свое значение на 15-20 О и поэтому определяемое в дальнейшем относитель ное изменение коэффициента ЛА могло давать еще большие...

Номер патента: 1738798

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Головнин, Данцигер, Девликанова, Дудкина, Завьялов, Нагиев, Разумовская, Резниченко, Фесенко, Цихоцкий

МПК: C04B 35/49

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...диоксид германия 0,3-0,10 беОг. Полученный методом горячего прессования и по обычной керамической технологии материал имеет следующие параметры: 6 з/ео 1220-1370; т 9 д (0,19-0.30) 10; Кр 0,549- 0,623; дз 1 119-140 и Кл/Н: Ом 430.1100: Тк 328- 333 С. 1 табл,РЬТ Оэ 40,71-41,70РЬ 2 гОз 48,46-49,48 Рьйьг/з 2 п 1 аоз 7,02-7,05 РЬМ/1/г Мп 1 ПОз . 1,10-1.14 РЬИЬг/зМп 1/зОз . 1,55-1,59 6 еОг . 0,03-0,10 Синтез пьезокерамического материала осуществляется по обычной керамической технологии. Температура синтеза Т 1 850 С, Тг = 870 С, продолжительность т 1- гг= 5 ч. Спекание образцов проводится методом горячего прессования по следующему режиму; температура 1150-1175 ОС, давление 19,6 МПа, время выдержки 40 мин - и по обычной керамической...

Номер патента: 1096251

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Гринева, Данцигер, Иванова, Куринов, Панич, Пономаренко, Постников, Разумовская, Резниченко, Фесенко, Цихоцкий

МПК: C04B 35/495

Метки: варианты, его, керамический, материал, пьезоэлектрический

...13,64-13,2077,00-74,51С 30 3,60-0,38Указанная цель достигается тем,что пьезоэлектрический керамическийматериал, включающий НаО, К 20,8 Ъ 0, бе 02, содержит указанные компонеггты н следующем соотношении, мас,7,:агО 8, 88-8, 9313,49-13,57111 гО 5 76, 14-76, 60Сге 02 0,90-1,49.В табл. 1 приведены примеры конкретного выполнения составов материала.Синтез осуществляют двукратнымобжигом при Т 1 = 800 С, Т 2 = 850 С,О опродоггжительностях 11=г 2= 5 ч, Спе -кание проводят методом горячегопрессования при давлении 100200 кг/см-, длительностях изотермических выдержек при температурахспекания от 40 мин до 6-8 ч. Болеенизкие величины давления (4200 кг/см )ги удлиненные изотермические выдержки (6-.8 ч) применяются при изготовлении материалов в...

Номер патента: 1089075

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Гринева, Данцигер, Иванова, Куринов, Панич, Пономаренко, Постников, Разумовская, Резниченко, Фесенко, Цихоцкий

МПК: C04B 35/495

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...0,59-1,17В табл, 1 приведены примерыконкретного выполнения составовпредлагаемого материала,Продолжение табл. 1 Пример Параметры 1 т 42 9м с 8, ж К 1, 1 О, д, 10,о Кл/Н Вм/Н 3м/с Еь 10 Т Н/м оС 10,8 5,56 9,4 5,57 6,1 5,46 2,8 5,33 3,2 1,7 5,33 с другой стороны, хорошее электричес-.кое согласование узлов датчиковс измерительными блоками устройств.. Последнее благоприятствует высокомусоотношению уровней полезного сигнала и шума в высокочувствительных 30 устройствах, в частности устройствах измерения механических воздействий, например, давления, Как правило, увеличение ведет к снижению яи сохранение высоких значений последней не всегда достижимо. Снижение Тспособствует улучшению воспроизводимости свойств полученныхматериалов путем...

Номер патента: 1066970

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Аржановская, Бондаренко, Гавриляченко, Данцигер, Девликанова, Завьялов, Крыштоп, Сервули, Фесенко, Филипьев, Цихоцкий

МПК: C04B 35/497

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...юееютт Ееттт веютюав тет.ют т Х У . 2 0 Бвюавюют вещав ееееюета авт ю вта 4,30 0,28 30,55 62,57 2, 30 1100 370 2 3 91 0,2927 70 64,53 3,57 1180 280 3 3,69 0,30 26,20 65,56 4,25 1100 230 4,94 1100 180 4 3,47 0,31 24,65 66,63 5 4,49 0,27 31 88 61,65 1,71 1100 380 1100 213 6 За 23 Ою 32 23 ю 03 67 е 75 5 ф 67 Изобретение относится к пьезоэлектрическим материалам и может бытьиспользовано в высокочастотных уст-.ройствах с минимальными .потерями навнутреннее трение, например, в уст ройствах на поверхностных акустических волнах.Известны следующие пьезоэлектрические материалы на основе ниобатов:хБаБЬОЗ .-уЬ 1 БЬ 03 - ИНГО 13; Ба 20ио - Бь о - т 102 - Рьо Г 23; 10ЬТБЪОБ - ЯгБЬ О - БаБЪО Г 33.Однако эти материалы имеют низкие значения...

Номер патента: 1002272

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Барчуков, Головнин, Данцигер, Дудкина, Завьялов, Клевцов, Панич, Разумовская, Фесенко, Цихоцкий

МПК: C04B 35/49

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...4эффициента электромеханической связи Кй= 0,662-0,698 и удельной чувствительности д ЯЦ )6 о = (4,1 8-,4,69) 6 й 10 " Кл.Н 1 при диэлектрической проницаемости Е 1 о = 1850-3130. Расши-,Трение интервалов концентраций составля-. ющих компонентов приводит к снижению коэффициента электромеханической связи, диэлектрической проницаемости и удельной чувствительности (см. табл. 2). Как видно из таблиц, материал имеет более высокие значения коэффициента электромеханической связи (Кр "Ой 652- 0,698 н удельной чувствительности (Д ЯТ(4 .18-4 69) 10 Кл Н по сравйению с прототипом при диэлектрической проницаемости б (= 1850- 3130, что позволит улучшить характеристики преобразователей, работающих в режиме приема и уменьшить их габариты.Заказ 1716/8...

Номер патента: 1000439

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Бондаренко, Гринева, Данцигер, Завьялов, Клевцов, Марчук, Мирошниченко, Панич, Разумовская, Резниченко, Фесенко, Цихоцкий

МПК: C04B 35/495, H01L 41/187

Метки: варианты, его, керамический, материал, пьезоэлектрический

...= 1,28 - 1,57%.25Исследованный материал имеет достаточно высокие значения коэффИциента электромеханической связи Кр = 0,174 - 0,202,. скорости звукаЧ = (5,51 - 5,83) 10 з м/с, механическойдобротности О = 790 в 9,ЯЗначения диэлектрической проницаемости. / Ео, температуры Кюри Тк, диэлектрических потерь Я /Ео в предлагаемом материале практически такие же, как в известном,В аставах 1 - 4 Тх= 338 - 345 С, ,Т/о =100 - 110, 10,Ь = 1,67 - 2,17%, Сочетаййе в 35предлагаемом материале Йфниженных значенийД 1 ц /Х 1. с достаточно низкими значениямиТ/ о, довольно высокими значениямиЯКр, Ч, Т 0 является весьма благоприятным, так как позволяет улучшить характеристики ультразвуковых устройств, упроститьсхемные решения, увеличить надежностьобъектов.Как...

Номер патента: 939426

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Данцигер, Дудкина, Разумовская, Фесенко, Филипьев, Цихоцкий

МПК: C04B 35/462

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...составов предлагаемогбпьезокерамического материала осу 4ществлялся по обычной керамическойтехнологии, Температура синтеза750 ОС и с = 800 ОС, продолжительность - 4 и 5 ч соответственно.5 Спекание образцов проводят методомгорячего прессования по следующемурежиму: температура 1045-1170 С,давление 19,6 МПа) время выдержки40 мин. Поляризацию образцов прово дят в полиэтиленсилоксановой жидкости ПЭСпри 140 С в течение 25 минв поле напряженностью 3,6-4,4 МВм "с последующим охлаждением под полем до 90 С в течение 20 мин. ИзмеО15 рение электрофизических параметровпроводят через 24 ч после поляризации. Ре зульта ты измерения Я /Яо тангенса угла диэлектрических потерь г 9 с) удельного объемного сопротивления РЧ, Рр, д 1) ц , механической...

Номер патента: 812784

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Гринева, Данцигер, Дудкина, Клевцов, Москалева, Разумовская, Феронов, Фесенко, Филипьев, Цихоцкий

МПК: C04B 35/01, C04B 35/491

Метки: керамическийматериал, пьезоэлектрический

...РЬО. Температура синтеза 700-750 С, продолжительность 4-10 ч. Спекания проводятметодом горячего прессования по следующему режиму: температура 1070-1190 С,одавление 200 кг/см, время выдержки40 мин. Поляризацию образцов производят в силиконовом масле при 140 С во 1 о течение 45 мин в псе напряженностью40-45 кВ/см с последующим охлаждениемпод полем до 90 С.оЗначения диэлектрической проницаемости Е (Ео, а также значения КР,5Ет 13 ъФ - -ЧР Ы 61 т, приведеныдля предлагаемой системы в таблице.з и ц 1 ф И + а,ф со Ф О нсч с 1 Ьй л л Ц 1 Л В О е М в в в ф - о л л л л л л сч сч сч сч . м м о О о:о о а о в л ц 1 о о м в сч м мсч л, ф - ф М ММ сЧсЧ л л Ю В л л О О О О О О а а в О О Ол л, о о в о .з .э м о о ц 1 а ц 1 а лл л л л м сч сч в м ф3м...

Номер патента: 810645

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Гавриляченко, Данцигер, Разумовская, Рогач, Фесенко, Филипьев, Цихоцкий

МПК: C04B 35/491

Метки: керамическийматериал, пьезоэлектрический

...высок, чтоограничивает область применения указанного материала.Целью изобретения является повышениекоэффициента электромеханической связипри высокой температурной стабильностирезонансной частоты.Поставленная цель достигается тем, чтопьезоэлектрический керамический материал, включающий РЬ 2 гОРЬТ 10 з и добавки, содержит в качестве последних РЬЬ 2,и 1 О, и РЬЬЬ т ХЬ т О, при следую 2 2 2 соотношении компонентов, мол810645 4Спекание проводят методом горячегопрессования по следующему режиму: темпертура 1080 - 1200 Сдавление 200 кг/см, время выдержки 40 мин. Поляризацию об разцов проводят в силиконовом масле притемпературе 140 С в течение 45 мин в поле напряженностью 30 - 48 кВ/см с последующим охлаждением под полем до 90.Данные о...

Номер патента: 642272

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Гринева, Данцигер, Разумовская, Резниченко, Фесенко, Цихоцкий

МПК: C04B 35/495, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...ют высо ф 340- коэици зи Кр ачения 8 огореап тееОпд оп 1 егМГ, ЫГ 1 Сп,ба 1 ГМНОМ Составитель Н. Фельдманактог Л. Жаворонкова Техред Н.АндрейчукКорректор И. ГоксТираж 701рственного комитета СССРелам изобретений и открыт5, Москва, Ж-З 5, Раушска одписно й наб., д, 4/ Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 илиал П Составы предлагаемого матотличаются заметно повышеннниями рьезочувствительности-1,42 Ю В МН,резко пониженнойтрической проницаемостью Е 395-111)Кроме того, материалы имекую температуру Кюри Тх (Тк.358 С), достаточно высокиеоенты электромеханической свя(Р -"О,205-0,250) и малые зн Пьезоэлектрический керамический материал, включающий КОИМ(и ) АДЬО, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью снижения тангенса угла диэлектрических...

Номер патента: 323153

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Нефедов, Прилипко, Цихоцкий

МПК: C30B 13/20

Метки: зонной, плавкой, электропровадящйх

...м иееся тем,включений тор, выпол с витками, стройства позв ючения от ф ссе зонной плав ющий на поверх оля рон ки длаена схема водочку 1, например, ЗО Изобретение мож очистки металлов и плавкой.Известные устро тропроводящих мате в лодочке, включаю аксиально лодочке например, цилиндри ляют производить о мого материала от окисных пленок, ос сти слитка. ано 1 О,Х 11,1971, Бюллетень1 за 197 из графита, в которую помещают исходный материал, подвергаемый зонной плавке. Лодочку устанавливают в полости камеры, например, из кварцевой трубы 2, коаксиально которой расположен индуктор 3. Выполнение индуктора в виде усеченного конуса обеспечивается увеличением диаметра последующих витков относительно предыдущих. Плоскости витков составляют с...