Способ изготовления интегрального транзистора

Номер патента: 1084683

Опубликовано: 07.04.1984

Автор: Кушнир

МПК: G01P 5/00

Метки: интегральной, скорости, течения

...между собой тросом 3. К тросу на кронштейнах 4 и 5 крепятся кронштейны б и 7 измерителя скорости, соединенные между Собой кабелем 8. На каждом из этих контейнеров установлены гидроакустические преобразователи 9 и 10 и флюгеры 11 и 12, соединенные посредством магнитных муфт с потенциомет-, рами.Схема соединений элементов измерителя фиг. 3) состоит из двух частей, размещенных в контейнерах б и 7. В контейнере б находится измеритель 13 гидростатического давления, компас 14, лотенциометрический измерительный преобразователь 15 флюгера 11, импульсный генератор 16, приемник 17, соединенные с гидроакустическим преобразователем 9. В контейнере 7 расположены измеритель 18 гидростатического давления, компас 19, потенциометрический измерительный...

Номер патента: 1274889

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев

МПК: B23K 31/02

Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов

...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...

Номер патента: 1464209

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Зуб, Прокофьев, Сидоренко, Сирота

МПК: G11C 7/06

Метки: интегральном, исполнении, моп-транзисторах, считывания, усилитель

...7 транзисторов, разница между которыми характеризует чувствительность усилителя счтьвания и составляет малую величину (не более 0,05 В ), обеспечивается вторым делителем 1 напряжения. Высокая чувствительность усилителя считывания выдви.ает высокие требования по помехоустойводных ценней, Поэтому делитель 1 напряжения характеризуется тем, что его верхний 12 и нижний 14 транзисторы работают в режиме насыьцения вольтамперных характеристик, в котором их токи практически не зависят от напряжения между стоком и истоком, а значит помехи, имеющиеся на шине питания и общей шине, не попадают на его выходь 1, Разница напряжений на его выходах задается падением напряжения на транзисторе )3. Фильтруюций элемент 15 обеспечивает фильтрацию затворного...

Номер патента: 1545864

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дорогутин, Ильинский, Славинский, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: интегральных, микросхем, многокристальных, сборки, свч-транзисторов

...ПТШ и СВЧмощных кремниевых транзисторов в плоские металлокерамические корпусы на модернизированном полуавтомате УВП. П,-ЗОО. Отличительная особенность сборки - распределение кристаллов и плат в соответствии со схемой, совмещение схемы с инструментом (вакуумной матрицей) и последующее перенесение схемы к подложке,Сборку СВЧ многокристальных транзисторов производят по схемам прямого и обратного монтажа. В первом случае производят сборку кремниевого транзистора, имеющего 24 кристалла толщиной 30 мкм. Перед разделением пластины на кристаллы на ее контактной поверхности создают гетерокомпозицию из слоев золота и германия, Затем пластину режут алмазной пилой и кассетируют отбракованные кристаллы. Кассету с кристаллами устанавливают в сборочный...

Номер патента: 146073

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Алексеева, Колядин

МПК: G01J 1/42

Метки: заготовок, интегральное, микрон, области, оптических, прибор, пропускание

...вогнутым зеркалом собирается на сернисто- свинцовый фотоэлемент запорного типа, закрытый отрезающим многослойным интерференционным фильтром. Длинноволновая граница чувствительности фотоэлемента лежит на участке спектра с длиной волны около 3 ик, коротковолновая граница прозрачности фильтра лежит на участке около 2,5 мк. Полоса чувствительности фотоэлемента с фильтром имеет максимум при 2,75 мк. Испытуемые заготовки накладываются непосредственно на фильтр, закрывающий фотоэлемент, что позволяет последовательно контролировать их как в обработанном, так и в необработанном виде. Фототок измеряется микроамперметром с оптическим указателем. Испытания макета прибора показывают, что его показания простым соотношением связаны с средним...