Кружаев

Номер патента: 1040547

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков, Рут

МПК: H01H 21/66

Метки: заряда, носителей, полупроводниках, фактора, эффективного

...ЭнергииеЧ 1 еЧФ2где Ер - энергия Ферми материала ис-,следуемого образца;е - заряд электрона;Ч( и ЧФ - значения напряжений на тун- З 0нельном контакте,при которыхнаблюдается осцилляции, связанные со спиновыми подуровнями уровня Ландау, при этом;знак напряжения соответствует знаку потенциала на полупроводнике.На чертеже приведен график экспериментальной зависимости дифференциальногомагнитосопротивления от напряжения натуннельном контакте для магнитных полей20,30,40 кГс (кривые 1-3 соответственно).Сущность способа заключается вследующем.Туннельный ток системы металл-тун 45нельный барьер-полупроводник описывается выражением) (и):я чЫ) и(яЫЬ (50где Ч(Я) - прозрачность барьера;М(Я) - плотность состояний полу"проводника;А - константа (для...

Номер патента: 1000945

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков, Рут

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках, свободных

...период осцилляций дифференциального магнитосопротивления туннельного контакта при нулевом напряжении смещения на нем.Поскольку в данном случае регистрируются осцилляции дифференциального магнитосопротивления образца с туннельным контактом в магнитном поле,в нем определяется средняя концентрация свободных носителей заряда в малом объеме Ч=5 й, где 5 - площадь"уннельного контакта, Р - длина свобо;ного пробега, т.е, обеспечиваетсявысокая локальность измерений.физическая сущность способа поясняется следующим образом,Диффере;(циальное сопротивление туннельного контакта при постоянном напОяж;:.,ии смещения Ч обратно пропорцио(Гально готности состояний полупроводни в ; при энергии Я .+еЧ ( - энергия7 ер(;, полупроводника, знак...

Номер патента: 817808

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков

МПК: H01L 21/66

Метки: носителей, полуметаллах, полупроводникахи, эффективноймассы

...и - А 5 с концентрацией б= 2 10") см З. Туннельный контакт йзготовлен по известной методике. При этом образец исследуемого материала технически шлифуют и полируют, травят в полирующем травителе (5 ч НИО+Зч НГ,+Зч. ледя- ной уксусной кйслоты), затем обезгаживают в вакууме 5 10 6 торр при 120 ОС 5 ч и окисляют в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и 120 С 36 ч с целью получения на поверхности туннельного тонкого окисла, После этого в вакууме 10 торр на полученную поверхность напыляют свинец.Во время измерений туннельный контакт помещают в сосуд Дьюара, вставленный в рабочий объем сверхпроводящего соленоида. Внутри сосуда с помощью стабилизатора температуры, поддерживают требуемую фиксированную температуру в...