Способ изготовления полупроводникового преобразователя механических перемещений

союз соВетскихСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 6 А 171 34 51 з Н 0 АНИЕ И О АВТОРСКОМ ДЕТЕЛЬСТВУ итут фильянов,ОЛУПРОЕЛЯ МЕрительно при ГОСУДАРСТВЕ ННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТХАНИЧЕСКИХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ. (57) Изобретение относится к измной технике и может быть использо Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приизготовлении полупроводниковых преобразователей механических величин, в частности давления и ускорения.Цель изобретения - упрощение способаи повышение выхода годных,Сущность изобретения заключается втом, что изготавливают кремниевый кристалл с алюминиевыми контактными площадками и корпус. нэ одной изсоприкасающихся поверхностей кристаллаили корпуса формируют последовательнымнапылением, фотолитографией и гальванопластикой медные центрирующие выступы,.устанавливают кристалл в корпус с помощью медных выступов, осуществляя егоцентровку, соединяют кристалл с корпусом,удаляют центрирующие выходы травлениемв концентрированной азотной кислоте и изготовлении полупроводниковых преобразователей механических величин. Целью изобретения является упрощение способа и повышение выхода годных. Сущность изобретения заключается в том, что на поверхности кристалла или корпуса со стороны их соприкосновения при сборке формируют методами напыления, фотолитографии и гальванопластики медные центрирующие выступы, расположение которых соответствует габаритам противостоящей детали или кристалла, в процессе сборки кристалла в корпусе центрируют их между собой по выступам, а после соединения кристалла с корпусом удаляют выступы в концентри рова н н ой азотной кислоте. присоединяют выводы к контактным площадкам.П р и м е р. На пластинке кремния тол- а щиной 300 мкм, диаметром 60 мм, ориентации (100) термическим окислением д выращивают пленку двуокиси кремния толщиной 0,2 - 0,3 мкм, затем двусторонней фотолитографией вскрываются в ней окна под области для зазора и травится кремний в КОН на глубину 15-1 мкм, равную величине О зазора. Вторым окислением создают пленку Я 02 толщиной 0,4 - 0,5 мкм, вытравливают окна под щели собоих сторон пластины и травят в них кремний на глубину 1252 мкм.После третьего окисления нэ глубину 0,2 - 0,3 мкм формируют в щелях участки ЯО 2, соотетствующие перемьчкам, и травят кремний с двух сторон пластины до образования сквозных щелей и утоньшенных перемычек толщиной 20+2 мкм. Напылением и1712986 Составитель Е.ПановРедактор А.Долинич Техред М.Моргентал Корректор Э.Лончаковэ Заказ 538 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 фотолитографией формируют контактные площадки,На пластину из стекла марки типа "Пирекс", например, Снапыляют алюминий толщиной 1,0 мкм и формируют фотолитографией обкладку и контактную площадку. Нэ поверхность пластины напыляют адгезионный слой ванадия толщиной 0.03-0,1 мкм и слой меди толщиной 0,3-0,8 мкм. Фотоли-. тографией создают защитный слой из фоторезиста марки ФПс окнами под выступы, Электрохимическим осаждением (гальванопластикой) наносят в областях выступов утолщенный слой меди толщиной 30 - 80 мкм. Затем удаляют фоторезист и стравливают напыленный слой меди в травителе состава: 450 г оксида хрома (Ч 1), 50 мл серной кислоты, до 100 мл деионизованной воды и ванадия в 33/,-ном растворе перекиси водорода, Разделяют пластину нэ отдельные платы резкой дисками. Совмещают кремниевый кристалл со стеклянной платой по выступам и проводят электростатическое соединение в вакууме при подаче напряжения постоянного тока величиной 0,5 - 1,5 кВ и температуре 400-500 С. Далее удаляют медные выступы травлением в холодной концентрированной азотной кислоте, не воздействуя на алюминиевые слои кристалла и платы.Использование способа позволяет упростить сборку деталей преобразователя, 5 так как не требует применения специальнойцентрирующей оснастки.Формула изобретения ЪСпособ изготовления полупроводнико вого преобразователя механических перемещений. включающий изготовление кремниевого кристалла с алюминиевыми контактными площадками и.корпуса, установку кристалла в корпус; соединение кри сталла с корпусом и присоединениевыводов к контактным площадкам, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода-годных, перед установкой кристалла в корпус нэ одной из 20 соприкасающихся поверхностей кристаллаили корпуса формируют последовательным напылением, фотолитографией и гальванопластикой медные центрирующие выступы, при помощи которых при установке кри сталла осуществляют его центровку, а передприсоединением выводов центрирующие выступы удаляют травлением в концентрированной азотной кислоте.