Элемент интегральной схемы

СОЮЗ СОВЕ ТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕ СКИХРЕСПУБЛИК,170 5 Н 01 2144 КОМИТЕТИ ОТКРЬЗТИ ГОСУДАРСТВЕН ПО ИЗОБРЕТЕН ПРИ ГКНТ СССР ПИСА ИЕ ИЗОБРЕТ Н РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ К ов, В,С,ев и В,В8)ииН 01(54) ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЬ (57) Изобретение касается микроэлектроники и может быть использовано в системых для обработки данных в запоминающих устройствах. Цель изобретения - расширение функциональных воэможностей и повышение плотности компоновки. Элемент интегральной схемы содержит полупроводниковую подложку 1, нг поверхности которой размещен первый металлический электрод 2, соедине ный емкостной связью через слой диэлектрика 3 со вторым металлическим электродом 4, размещен. ным на плате 5, Данный элемент позволяет осуществить коммутацию интегральных схем, изготовленных как по биполярной, так и по КМОП-технологии. 1 ил.1707655 Частотный диапазон работы элементаограничен снизу частотой Составитель Е.ПановТехред М.Моргентал Корректор М. Кучерявая Редактор В.Данко Заказ 270 Тираж Подписное ВКИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в системах для обработки данных и взапоминающих устройствах,Цель изобретения - расширение функциональных воэможностей и повышениеплотности компоновки,На чертеже представлен элемент интегральной схемы.Элемент содержит полупроводниковуюподложку 1, на поверхности которой размещен первый металлический электрод 2, соединенный емкостной связью через слойдиэлектрика 3 с вторым металлическимэлектродом 4, размещенным на плате 5.В качестве диэлектрика 3 использованполиимид, толщина которого выбрана равной 0,1-15 мкм,Элемент интегральной схемы работаетследующим образом.На первый металлический электрод 2,расположенный на полупроодниковой подложке 1, подается импульсное напряжениеО, например, значением до 5 В, за счетемкостной связи между электродами 2 и 4подложки 1 и платы 5 на втором металлическом электроде 4 платы 5 возникает импульсное напряжение, значение которогоопределяется отношением емкостей, однаиз которых является паразитной емкостьюэлектродом 4 платы 5 и землей (С 2), а вторая- емкость между электродами 2 и 4 (С). Всостав емкости С", входит и входная емкостьприемника сигала, например затвораМОП-транзистора, подсоединенного к элекРоду 4 платы 5,Значение напряжения на электроде 4платы 5 (О 2) равноЧ 1О 21+В реальных устройствах отношение емкостьюне превышает единицы, поэтомуСО 2 может уменьшаться по отношению к Оне более, чем в 2 раза. 1глвСгде В - выходное сопротивление приемника сигнала, подсоединенного к электроду 4.Рекомендуется использовать приемник с высоким входным сопротивлением, например МОП-траэистор, у которого В 10 Ом. Емкость С при размерах основания электрода 4 10 х 10 мкм и толщине зазора между площадками 1 мкм составляет 2 10 пФ,-4 ЧтО ДаЕ 7 т ОЦЕНКУ НИжНЕй ГРаНИЧНОй чаСтОтЫ 1 н10 Гц. Следовательно, данный элемент при указанных размерах позволяет передавать импульсные сигналы с частотой выше 10 МГц.Увеличение размера основания электрода 4 до 100 х 100 мкм позволяет снизить граничную частоту до 0,1 МГц. а уменьшение толщины полиимида до 0,1 мкм - до 0,01 МГц,Помимо возможности увеличить(при четырехуровней степени интеграции практически на порядок) плотность компоновки элемент интегральной схемы позволяет осуществлять коммутацию интегральных схем, изготовленных как по биполярной, так и по КМОП-технологии, и, кроме того, открывает путь к комбинации подложек из различных материалов, например кремния и арсенида галлия, и тем самым расширяет функциональные воэможности интегральных схем (например, двухуровневая интегральная схема может содержать электронные и оптоэлектронные узлы),Формула изобретения Элемент интегральной схемы, содержащий полупроводниковую подложку, на поверхности которой размещен первый металлический электрод, соединенный ем. костной связью через слой диэлектрика с вторым металлическим электродом, о т л и ча ю щ и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения плотности компоновки, второй электрод размещен на плате, пои этом толщины электродов выбраны равными 2-20 мкм, а в качестве диэлектрика использован полиимид, толщина которого выбрана равной 0,1-15мкм,5 10 15 20 25 30 35 40 45