Инжекционная полупроводниковая структура

СООЗ СОВЕТСКИХ ЦИАЛИСТИЧЕСНИ СПУБЛИН О 9) 01) Р 1)5 Н 01 Ь 27/О САЙКЕ ИЗОБРЕТ НИ ыполаботу и уси. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(51)(57) ИНЖЕКЦИОННАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА, содержащая высоко"легированную подложку п-типа, эпиИзобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в логических и линейных интегральных схемах с инжекционным питанием.Известен ряд интегральных схем с инжекционным питанием, содержащих многоколлекторные транзисторы.Недостатком указанных структур является отсутствие требований по идентичности выполнения коллекторов много коллекторных транзисторов, а отсюда - невозможность использования таких структур в кацестве инжекционных линейных устройств (они пригодны только для построения на их основе логических инжекционных устройств) .Наиболее близким техницеским решением является инжекционная полупроводниковая структура, содержащая высоколегированную подложку п-типа,таксиальную область п-типа, выполненные в ней базовую область и область инжектора р -типа, созданные вобласти базы линейно расположенныепо крайней мере три высоколегированные коллекторные области переключающего транзистора, о т л и ч а ю щ ая с я тем, что, с целью расширенияФункциональных возможностей структуры, базовый контакт расположенсимметрично относительно любой парыколлекторных областей, при этом продольная осевая линия инжекторной области параллельна линейному расположению коллекторных областей. эпитаксиальную область п-типа, выполненные в ней базовую область и область инжектора р+-типа, созданные в области базы линейно расположенные, по крайней мере, три высоко- легированные коллекторные области переключающего транзистора.Недостатком данной структуры является влияние неидентицности в нения коллекторных областей на р инжектора в линейньх, в цастност лительных устройствах.Цель изобретения - расширение 1функциональных возможностей инжекционной полупроводниковой структуры.Поставленная цель достигается тем, цто в инжекционной полупроводниковой структуре, содержащей высоколегированную подложку п-типа, эпитаксиальную область п-типа, вы полненные в ней базовую область и область инжектора р -типа, созданные в области базы линейно расположенные, по крайней мере, три высоко. легированные коллекторные области переклюцающего транзистора, базовый контакт расположен симметричнр относительно любой пары коллекторных областей, при этом продольная осевая линия инжекторной области параллельна линейному расположению коллекторных областей.На Фиг, 1 представлена инжекционная полупроводниковая структура, продольнй разрез; на фиг, 2 - эквивалентная электрицеская схема, реализуемая на инжекционной структуре.На подложке и+-типа 1 с контактом 2 в эпитаксиальном слое и-типа 3 20 сформирована базовая область 1, в пределах которой выполнены три линейно расположенные коллекторные области и -типа 5.+Поверхность структуры покрыта ди электрической пленкой 6, в которой созданы окна для контактной металлизации 7 к крайним коллекторным областям 5 и для контактной металлизации 8 к средней коллекторной области, 30 которая симметрично охвачена базовой металлизацией 9, Такое взаимное расположение указанных областей обеспецивает идентичность и симметрию работы каждого коллектора, при этом область инжектора расположена параллельно осевой линии линейного расположения коллекторнь 1 х областей.Схема по Фиг.2 вклюцает трехколлекторный и-р-п-транзистор 10, у которого первый коллектор 11 соединен с базой 12 и с положительным полюсом источника тока 13. Второй коллектор 1 ч соединен с сигнальным входом устройства, а третий коллектор 15 - с вторым выходом и с положитель 4ным полюсом второго, источника тока 16. Эмиттер 17 транзистора 10 и отрицательные полюсы истоцников тока 13 и 16 присоединены к шине нулевого потенциала 18.В данном варианте весовой коэффициент коллектора 11 транзистора 10, соединенного с базой 12, составляет относительно любого другого коллектора 1/2. Бсли коллектор 15 нагрузить на идентицное устройство, то можно реализовать линейный усилитель, который работает на линейном участке круто подающей переходной характеристики инжекционного ключа . Рабоцая точка на середине переход" ной характеристики инжекционного клюца устанавливается автоматически, так как весовые коэффициенты, коллекторов равны. Налицие третьего коллектора 15 позволяет управлять прохождением сигнала по основному каналу, Это объясняется наличием внутреннего паразитного транзистора, образованного коллектором 15, базой 12 и коллектором 1 ч, который шунтирует цепь усиления основного сигнала. На коллектор 14 можно, например, подать сигналы АРУ или любой другой управляющий сигнал. Если требуется увеличить мощность, рассеиваемую усилительным каскадом, то коллектор 11 следует замкнуть с коллектором 15. Мощность каскада при этом увелицится в два раза. И наоборот при необходимости создания двух каналов усиления на коллекторе 11 следует обеспечить режим, идентичный режиму на коллекторе 15.Инжекционная структура способна работать как в линейных, так и в. логицеских устройствах, что существенно расширяет ее функциональные возможности.Е Редактор липпова ектор С,1 Цекмар Тиражмитета по изобретени сква, Е, Раушская Т СССР роизводственн тельский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул рина, 10 аказ 1301НИИПИ Государствецног113035 ставитель В Техред Л,Одина йнык Под и отк б., д исноеытиям при Г 4/5