Патенты с меткой «полупроводнику»
Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику
Номер патента: 1711271
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Бормонтов, Крячко, Сыноров, Чистов
МПК: H01L 21/66
Метки: диэлектрику, контакта, полупроводнику, создания, электрического
...изобретения позволяетез,дополнительной операции напыления(71) Воронежский государственный университет им, Ленинского комсомола(56) Авторское свидетельство СССР М 995000, кл. 6 01 й 1/06, 1983,Авторское свидетельство СССР М 476517, кл. 6 01 й 1/06, 1975.(54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПОЛУПРОВОДНИКУ ИЛИ ДИЭЛ Е КТРИ КУ Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приконтроле технологических процессов в по-лупроводниковом приборостроении,Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта.Сущность изобретения заключается втом, что зонд из сплошного индия прижимают с усилием, обеспечивающим давление,равное 2-4 Н/мм, к поверхности полупро 2водника или диэлектрика и выдерживают...